NJG1127HB6-TE1
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6000/-
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NJG1127HB6(TE1)
8942
USB8B6/0903+
原装现货实单来谈
NJG1127HB6
33000
SMD/22+
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NJG1127HB6
38431
QFN/09+
只做原装，也只有原装
NJG1127HB6
996
15+/QFN
原装无铅现货
NJG1127HB6
8860
SMD/22+
全新原装公司现货可免费送样可含税可BOM配单-终端享
NJG1127HB6
20000
USB8B6/-
原装现货，欢迎实单，请加QQ
NJG1127HB6
8000
QFN/23+
只做原装现货
NJG1127HB6
25325
11+/QFN
原装进口百分百现货
NJG1127HB6
8913
QFN/23+
柒号芯城，离原厂的距离只有0.07公分
NJG1127HB6
9200
QFN/23+
只做原装更多数量在途订单
NJG1127HB6
9800
QFN/11+
全新原装，，公司现货供应
NJG1127HB6
14850
QFN/2022+
特价现货，没有最低，只有更低
NJG1127HB6
7800
QFN/23+
终端可以免费供样，支持BOM配单
NJG1127HB6
28683
QFN6/21+
原装现货终端免费提供样品
NJG1127HB6
36850
-/NEW
100%原装正品价格，不要错过量大可定
NJG1127HB6
5000
SMD/23+
原装现货，实单支持
NJG1127HB6
8500
QFN/21+
原装现货
NJG1127HB6
12000
QFN/21+
进口原装现货优势物料，可含13%增值税
NJG1127HB6
50000
QFN/2020+
原装现货
新日本无线已研发成功适用于采用cmos rf ic的800mhzcdma手机的带有旁通电路的低噪声放大器gaas mmic njg1127hb6，并开始样品供货。 利用cmos技术实现高频rf电路的cmos rf ic很难内置低噪声放大器，所以需要高性能的低噪声放大器。 njg1127hb6正是为了满足这样的要求而开发的，主要用于800mhz的cdma手机的设有旁通电路的低噪声放大器。 njg1127hb6由低噪声放大器、旁通电路、控制用逻辑电路等构成，实现了iip3=+8dbm min. @f=880mhz(高增益模式时)的低失真特性，便于信号接收电路的设计。此外，因为强电场输入时不需要使用放大器对rf信号进行增幅，njg1127hb6在内置不通过低噪声放大器的旁通电路的同时，使内置低噪声放大器处于待机状态，实现了低消耗电流(低增益模式)。电场输入处于通常状态时，通过内置低噪声放大器对rf信号进行增幅(高增益模式)。对上述高、低增益模式的切换，利用微处理器，可通过控制逻辑电路以1比特控制信号进行切换。 来源:小草
新日本无线已研发成功适用于采用cmos rf ic的800mhzcdma手机的带有旁通电路的低噪声放大器gaas mmic njg1127hb6，并开始样品供货。 利用cmos技术实现高频rf电路的cmos rf ic很难内置低噪声放大器，所以需要高性能的低噪声放大器。 njg1127hb6正是为了满足这样的要求而开发的，主要用于800mhz的cdma手机的设有旁通电路的低噪声放大器。 njg1127hb6由低噪声放大器、旁通电路、控制用逻辑电路等构成，实现了iip3=+8dbm min. @f=880mhz(高增益模式时)的低失真特性，便于信号接收电路的设计。此外，因为强电场输入时不需要使用放大器对rf信号进行增幅，njg1127hb6在内置不通过低噪声放大器的旁通电路的同时，使内置低噪声放大器处于待机状态，实现了低消耗电流(低增益模式)。电场输入处于通常状态时，通过内置低噪声放大器对rf信号进行增幅(高增益模式)。对上述高、低增益模式的切换，利用微处理器，可通过控制逻辑电路以1比特控制信号进行切换。 投产后预定月产量为50万只，样品价格为50日元。
新日本无线已研发成功适用于采用cmos rf ic的800mhz cdma手机的带有旁通电路的低噪声放大器gaas mmic njg1127hb6，并开始样品供货。 利用cmos技术实现高频rf电路的cmos rf ic很难内置低噪声放大器，所以需要高性能的低噪声放大器(lna: low noise amplifier)。 njg1127hb6正是为了满足这样的要求而开发的，主要用于800mhz的cdma手机的设有旁通电路的低噪声放大器。 njg1127hb6由低噪声放大器、旁通电路、控制用逻辑电路等构成，实现了iip3=+8dbm min. @ f=880mhz(高增益模式时)的低失真特性，便于信号接收电路的设计。 此外，因为强电场输入时不需要使用放大器对rf信号进行增幅，njg1127hb6在内置不通过低噪声放大器的旁通电路的同时，使内置低噪声放大器处于待机状态，实现了低消耗电流(低增益模式)。电场输入处于通常状态时，通过内置低噪声放大器对rf信号进行增幅(高增益模式)。 对上述高、低增益模式的切换，利用微处理器，可通过控制逻辑电路以1比特控制信号进行切换． 投产后预定月产
新日本无线已研发成功适用于采用CMOS RF IC的800MHz CDMA手机的带有旁通电路的低噪声放大器GaAs MMIC NJG1127HB6，并开始样品供货。
利用CMOS技术实现高频RF电路的CMOS RF IC很难内置低噪声放大器，所以需要高性能的低噪声放大器(LNA...
新日本无线已研发成功适用于采用cmos rf ic的800mhzcdma手机的带有旁通电路的低噪声放大器gaas mmic njg1127hb6，并开始样品供货。 利用cmos技术实现高频rf电路的cmos rf ic很难内置低噪声放大器，所以需要高性能的低噪声放大器（lna: low noise amplifier）。 njg1127hb6正是为了满足这样的要求而开发的，主要用于800mhz的cdma手机的设有旁通电路的低噪声放大器。 njg1127hb6由低噪声放大器、旁通电路、控制用逻辑电路等构成，实现了iip3=+8dbm min.@ f=880mhz(高增益模式时)的低失真特性，便于信号接收电路的设计。 此外，因为强电场输入时不需要使用放大器对rf信号进行增幅，njg1127hb6在内置不通过低噪声放大器的旁通电路的同时，使内置低噪声放大器处于待机状态，实现了低消耗电流（低增益模式）。电场输入处于通常状态时，通过内置低噪声放大器对rf信号进行增幅（高增益模式）。 对上述高、低增益模式的切换，利用微处理器，可通过控制逻辑电路以1比特控制信号进行切换。
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