NTD50N03RT4G
356000
NEW/NEW
一级代理保证
NTD50N03R
8000
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/23+
原厂渠道，现货配单
NTD50N03R
8913
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/23+
柒号芯城，离原厂的距离只有0.07公分
NTD50N03R
228000
NR/2017+
诚研翔科技，专业配单公司，可开增值税发票
NTD50N03R
4980
TSSOP/2021+
只做原装假一罚十自己库存实单可议公司现货
NTD50N03R
9200
TSSOP/23+
只做原装更多数量在途订单
NTD50N03R
60701
DPAK/24+
深圳原装现货，可看货可提供拍照
NTD50N03R
14850
DPAK4LEADSingleG/2022+
特价现货，没有最低，只有更低
NTD50N03R
15922
/2423+
助力国营二十余载，一站式解决BOM配单，行业标杆企
NTD50N03R
8000
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/22+
原厂渠道，现货配单
NTD50N03R
22358
DPAK 4 LEAD Single Gauge Surface Mount/22+
房间现货，价格优势。
NTD50N03R
60000
D2PAK3LEAD/23+
十年配单，只做原装
NTD50N03R
56500
DPAK4LEA/2021+
一级代理品牌，价格优势，原厂原装，量大可以发货订货
NTD50N03R
8500
DPAK/21+
原装现货
NTD50N03R
99361
DPAK/22+
22+
NTD50N03R
18850
DPAK4LEAD/19+
专营三极管质量保证
NTD50N03R
30000
DPAK/2022+
进口原装现货供应，原装 假一罚十
NTD50N03R
6000
SOP8/23+
终端可以免费供样，支持BOM配单
NTD50N03R
8000
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/23+
原厂渠道，现货配单
今天同步控制器架构的性能限制。安森美半导体的pwm控制器成功推出后，我们已证明这创新的双缘架构，能够为先进cpu功率控制提供高性能的解决方案，性价比远高于数字或其他模拟平台。" 完整的解决方案 除ncp5381外，安森美半导体的cpu功率控制4相解决方案还包括四个独立12伏 (v) ncp3418b mosfet门极驱动器，用于同步降压。这些产品采用soic-8和dfn-10无铅封装。八个25 v、单n-沟道mosfet也是双缘vcore核心电压子系统解决方案的一部分，包括四个45安培(a)的ntd50n03r mosfet和四个65 a的ntd65n03r mosfet。这些器件的rds(on)门极电荷以及逆向恢复电荷较小，而且使用无铅dpak封装。一个驱动器和两个mosfet用于驱动ncp5381的四个输出相位。 供货日期 ncp5381mnr2g采用40引脚无铅qfn封装。现备样品供索，计划于2006年第一季度投入生产。更多信息，请发送邮件至michael.stapleton@onsemi.com或致电1-602-244-5027与mike stapleton联系。 ncp5381拓展了安森美半
同步控制器架构的性能限制。安森美半导体的pwm控制器成功推出后，我们已证明这创新的双缘架构，能够为先进cpu功率控制提供高性能的解决方案，性价比远高于数字或其他模拟平台。” 完整的解决方案 除ncp5381外，安森美半导体的cpu功率控制4相解决方案还包括四个独立12伏 (v) ncp3418b mosfet门极驱动器，用于同步降压。这些产品采用soic-8和dfn-10无铅封装。八个25 v、单n-沟道mosfet也是双缘vcore核心电压子系统解决方案的一部分，包括四个45安培(a)的ntd50n03r mosfet和四个65 a的ntd65n03r mosfet。这些器件的rds(on)门极电荷以及逆向恢复电荷较小，而且使用无铅dpak封装。一个驱动器和两个mosfet用于驱动ncp5381的四个输出相位。 供货日期 ncp5381mnr2g采用40引脚无铅qfn封装。 ncp5381拓展了安森美半导体现有计算应用中的ddr控制器、通用控制器、mosfet和分立产品的产品系列。 来源:小草
产品型号:NTD50N03RG
源漏极间雪崩电压VBR(V):25
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):11.700
最大漏极电流Id(on)(A):45
通道极性:N
封装/温度(℃):DPAK-4/-55~175
描述:25V,45A,N沟道MOSFET
价格/1片(套):暂无
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制器架构的性能限制。安森美半导体的pwm控制器成功推出后，我们已证明这创新的双缘架构，能够为先进cpu功率控制提供高性能的解决方案，性价比远高于数字或其他模拟平台。" 完整的解决方案 除ncp5381外，安森美半导体的cpu功率控制4相解决方案还包括四个独立12伏 (v) ncp3418b mosfet门极驱动器，用于同步降压。这些产品采用soic-8和dfn-10无铅封装。八个25 v、单n-沟道mosfet也是双缘vcore核心电压子系统解决方案的一部分，包括四个45安培(a)的ntd50n03r mosfet和四个65 a的ntd65n03r mosfet。这些器件的rds(on)门极电荷以及逆向恢复电荷较小，而且使用无铅dpak封装。一个驱动器和两个mosfet用于驱动ncp5381的四个输出相位。 供货日期 ncp5381mnr2g采用40引脚无铅qfn封装。现备样品供索，计划于2006年第一季度投入生产。更多信息，请发送邮件至michael.stapleton@onsemi.com或致电1-602-244-5027与mike stapleton联系。 ncp5
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