NTD15N06T4G
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22+/TO252
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,工作频率为100khz。在有两个开关s1和s2的情况下,接地开关是一个n沟道fet,而上面的开关是一个p沟道fet,二极管是肖特基型,设正向电压为0.6v。电感为150μh 4a,内阻是0.1ω,电容为高质量、低阻抗类型,其损耗经过计算表明可以忽略。对fet的开关损耗进行估计,假设开关时间是100ns,忽略二极管的开关损耗,控制电路的损耗假设也是可以忽略的。 fet的特性如下: p-沟道: on semi mtd5p06v,rds(on)=0.45ωn-沟道: on semi ntd15n06,rds(on)=0.09ω 电感值选为150μh,这样电感和其它元件中的纹波电流大约为20%,可以无须顾虑电流波形摆动而将其看作平顶电流脉冲。 2.损耗计算 我们为四个电路设计了一个电子表格,设定输出电压为24v,电流为2a,然后将输入电压以2v间隔递增计算其性能。在sepic和图1d(d1=d2)中,因为传递函数(vout/vin)在电压低于或高于输出电压时是一样的,所以过程可以简化。而另外两个电路则要取决于输入是小于还是大于输出而采用不同的函数。 因为fet中的导通损耗是电阻性
产品型号:NTD15N06L
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):76
最大漏极电流Id(on)(A):15
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPAK/-55~175
描述:15A,60V功率MOSFET
价格/1片(套):¥2.80
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