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  • NTGS3441T1G的技术参数

    产品型号:ntgs3441t1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):90最大漏极电流id(on)(a):2.350通道极性:p沟道封装/温度(℃):tsop-6/-55 ~150描述:1 a, 20 v功率mosfet价格/1片(套):¥1.90 来源:xiangxueqin

  • NTGS3441T1G的技术参数

    产品型号:NTGS3441T1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):20
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):90
    最大漏极电流Id(on)(A):2.350
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):TSOP-6/-55 ~150
    描述:1 A, 20 V功率MOSFET
    价格/1片(套):¥1.90

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ntgs3441t1g替代型号

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