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  • IGBT及其子器件的几种失效模式

    以看出: (1) 紧随器件关断后,初始拖尾电流电平(lio)直至失效的延迟时间是由能量决定的,或者说由器件关断后的温度决定的。能量越大,拖尾电流电平也越高,失效的延迟时间则越短。例如,图中给出的最大能量是tsc=60us,这时,tds趋向一个极小值。 (2) 当tsc=33us时,属于e<ec状态,不发生延迟失效。 当tsc=35us,tds=25us,开始出现热击穿。 4.2管壳温度的影响 管壳温度对临界能量ec的影响最大,管壳温度升高,ec就下降,测量sgw15n60的结果是: 温度:25℃125℃ ec:0.81j0.62j 4.3集电极电压的影响 集电极电压升高,ec就下降: vc:250v540v ec:2.12j1.95j 4.4穿通型(pi)igbt pt—igbt的短路失效特性和npt—igbt类似,但是,临界能理值ec比npt—igbt低。例如:在125℃,短路电压vsc=400v时: 600v pt—igbt(irgp20u):ec=0.37j 600v npt—igbt(sgw15n60):ec=0.62

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