STP7N95K3
9000
TO220/23+
找现货，找原装，找好价格，就找宝芯创BOM配单
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6697
TO220/23+
原装，授权代理
STP7N95K3
80000
-/-
深圳原装现货
STP7N95K3
2718
TO220/09+
只做原装，也只有原装
STP7N95K3
36
1404+/TO220
绝对原装现货假一赔十
STP7N95K3
32500
NA//23+
优势代理渠道,原装,可全系列订货开增值税票
STP7N95K3
20000
SOT32/22+
奥利腾只做原装正品，实单价优可谈
STP7N95K3
6500
TO220/23+
只做原装现货
STP7N95K3
5000
TO220/22+
原装现货，实单来谈，配套服务
STP7N95K3
8000
SOT32/2024+
原装现货，支持BOM配单
STP7N95K3
9200
TO220/23+
只做原装更多数量在途订单
STP7N95K3
9800
TO220/11+
全新原装，，公司现货供应
STP7N95K3
5000
TO220/21+
原装现货，实单支持
STP7N95K3
14850
TO220/2022+
特价现货，没有最低，只有更低
STP7N95K3
15922
/2423+
助力国营二十余载，一站式解决BOM配单，行业标杆企
STP7N95K3
9000
/22+
原厂渠道，现货配单
STP7N95K3
10212
TO220/21+
原装现货终端免费提供样品
STP7N95K3
12300
TO220/21+
原装现货，实单支持
STP7N95K3
60000
TO2637/23+
十年配单，只做原装
至1.35欧姆以下。新产品的单位芯片面积导通电阻rds(on)比前一代mosfet降低30%，设计人员 可以提高功率密度及能效。 同时，因为达成低栅电荷量(qg)和低本征电容，这些新的mosfet还能提供优异的开关性能，这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件，以进一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet实现这些性能优势归功于意法半导体的最新一代supermesh3?技术。新产品采用工业标准封装：stf7n95k3采用 to-220fp封装；stp7n95k3采用标准的to-220封装；stw7n95k3采用to-247封装。 随后将推出的新产品是：950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出这些产品后，意法半导体还将在2009年推出后续产品，包括850v、950v、1050v和1200v系列产品。 stx7n95k3系列已投产。 来源:风中的叶子
单位芯片面积导通电阻rds(on)比前一代mosfet降低30%，设计人员可 以提高功率密度及能效。 同时，因为达成低栅电荷量(qg)和低本征电容，这些新的mosfet还能提供优异的开关性能，这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件，以进一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet实现这些性能优势归功于意法半导体的最新一代supermesh3™技术。新产品采用工业标准封装：stf7n95k3采用 to-220fp封装；stp7n95k3采用标准的to-220封装；stw7n95k3采用to-247封装。 随后将推出的新产品是：950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出这些产品后，意法半导体还将在2009年推出后续产品，包括850v、950v、1050v和1200v系列产品。 stx7n95k3系列已投产。
n)被降至1.35欧姆以下。新产品的单位芯片面积导通电阻rds(on)比前一代mosfet降低30%，设计人员可以提高功率密度及能效。 同时，因为达成低栅电荷量(qg)和低本征电容，这些新的mosfet还能提供优异的开关性能，这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件，以进一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet实现这些性能优势归功于意法半导体的最新一代supermesh3?技术。新产品采用工业标准封装：stf7n95k3采用 to-220fp封装；stp7n95k3采用标准的to-220封装；stw7n95k3采用to-247封装。 随后将推出的新产品是：950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出这些产品后，意法半导体还将在2009年推出后续产品，包括850v、950v、1050v和1200v系列产品。 stx7n95k3系列已投产。
on)被降至1.35欧姆以下。新产品的单位芯片面积导通电阻rds(on)比前一代mosfet降低30%，设计人员可以提高功率密度及能效。 同时，因为达成低栅电荷量(qg)和低本征电容，这些新的mosfet还能提供优异的开关性能，这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件，以进一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet实现这些性能优势归功于意法半导体的最新一代supermesh3技术。新产品采用工业标准封装：stf7n95k3采用 to-220fp封装；stp7n95k3采用标准的to-220封装；stw7n95k3采用to-247封装。 随后将推出的新产品是：950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出这些产品后，意法半导体还将在2009年推出后续产品，包括850v、950v、1050v和1200v系列产品。 stx7n95k3系列已投产。
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