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              ZXMD63N03XTA
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ZXMD63N03XTA

更新时间:2024-11-24 02:47:33
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ZXMD63N03XTA 相关资料

  • 其它信息：

    电流参数：ID=2.3A/IDM=14/IS=1.5AA/ISM=14A
    电压参数：UDSS=30VUGS±20V
    功  率：PD=0.87W
    其他参数：10V/0.135Ω,4.5V/0.2Ω,trr=16.9ns
    极  性：N

ZXMD63N03XTA的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

ZXMD63N03XTA外观图

  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：-
  • FET 型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：135 毫欧 @ 1.7A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：8nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：290pF @ 25V
  • 功率 - 最大：870mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-MSOP
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：ZXMD63N03XTR
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