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  • 北京齐天芯科技有限公司

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产品型号CP566的Datasheet PDF文件预览

TM  
PROCESS CP566  
Small Signal Transistor  
PNP - Silicon Chopper Transistor Chip  
Central  
Semiconductor Corp.  
PROCESS DETAILS  
Process  
EPITAXIAL PLANAR  
Die Size  
Die Thickness  
31.5 x 31.5 MILS  
11 MILS  
Base Bonding Pad Area  
Emitter Bonding Pad Area  
Top Side Metalization  
Back Side Metalization  
7.8 x 6.2 MILS  
8.0 x 5.3 MILS  
Al - 12,000Å  
Au - 10,000Å  
GEOMETRY  
GROSS DIE PER 4 INCH WAFER  
11,380  
PRINCIPAL DEVICE TYPES  
CMPT404A  
MPS404A  
BACKSIDE COLLECTOR  
145 Adams Avenue  
Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110  
Fax: (631) 435-1824  
www.centralsemi.com  
R2 (1-August 2002)  
TM  
PROCESS CP566  
Central  
Typical Electrical Characteristics  
Semiconductor Corp.  
145 Adams Avenue  
Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110  
Fax: (631) 435-1824  
R2 (1-August 2002)  
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