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型号: | CWB308CP |
是否无铅: | 含铅 |
是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP16,.3 |
针数: | 16 |
Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.90.00.00 |
风险等级: | 5.92 |
模拟集成电路 - 其他类型: | SPST |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T16 |
JESD-609代码: | e0 |
负电源电压最大值(Vsup): | -15 V |
负电源电压最小值(Vsup): | -8 V |
标称负供电电压 (Vsup): | -10 V |
正常位置: | NO |
信道数量: | 1 |
功能数量: | 4 |
端子数量: | 16 |
标称断态隔离度: | 62 dB |
最大通态电阻 (Ron): | 160 Ω |
最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | |
输出: | SEPARATE OUTPUT |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP16,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | +-15 V |
认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Multiplexer or Switches |
最大供电电压 (Vsup): | 15 V |
最小供电电压 (Vsup): | 8 V |
标称供电电压 (Vsup): | 10 V |
表面贴装: | NO |
最长断开时间: | 220 ns |
最长接通时间: | 250 ns |
切换: | BREAK-BEFORE-MAKE |
技术: | NMOS |
温度等级: | OTHER |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
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