BAT64-07E-6327全新原装原理图各脚功能电路原理芯片引脚定义-中国IC网-芯三七

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BAT 64-07W

Silicon Schottky Diodes

• For low-loss, fast-recovery, meter protection,

bias isolation and clamping applications

• Integrated diffused guard ring

• Low forward voltage

VPS05605

ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!

Type Marking Ordering Code Pin Configuration

Package

BAT 64-07W 67s

Q62702-A3470

1 = C1 2 = C2 3 = A2 4 = A1 SOT-343

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Diode reverse voltage

Forward current

250

Average forward current (50/60Hz, sinus)

120

FAV

FSM

800

Surge forward current (t< 100µs)

250

Total power dissipation, T ≤ 104 °C

tot

Junction temperature

Storage temperature

150

°C

-55...+150

stg

Thermal Resistance

Junction - ambient

K/W

≤455

≤185

thJA

thJS

Junction - soldering point

1) Package mounted on epoxy pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 6cm Cu

Semiconductor Group

Sep-07-1998

1998-11-01

Semiconductor Group

BAT 64-07W

Electrical Characteristics at T = 25 °C, unless otherwise specified.

Parameter

Symbol

Values

typ. max.

Unit

min.

DC characteristics

Reverse current

µA

V = 30 V

Reverse current

200

V = 30 V, T = 85 °C

Forward voltage

I = 1 mA

320

385

440

570

350

430

520

750

I = 10 mA

I = 30 mA

I = 100 mA

AC characteristics

Diode capacitance

V = 1 V, f = 1 MHz

Forward current I = f (V )

Reverse current I = f (V )

T = Parameter

BAT 64...

EHB00057

BAT 64...

EHB00058

10 ²

10²

µ A

Ι_R

Ι _F

_A= 125

10 ¹

10 ⁰

10¹

= -40

85 C

125 C

10⁰

10 ^-1

10 ^-2

25 C

10 ^-1

10 ^-2

10 ^-3

0.5

V_F

V_R

Semiconductor Group

Sep-07-1998

1998-11-01

BAT 64-07W

Forward current I = f (T *;T )

* Package mounted on epoxy

300

200

150

100

°C

100 120

150

T ,T

Permissible Pulse Load R

= f(t )

Permissible Pulse Load I

= f(t )

THJS

Fmax FDC

10 ³

10 ²

K/W

10 ²

D = 0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

10 ¹

0.5

0.2

0.1

0.2

0.5

0.05

0.02

0.01

0.005

D = 0

10 ⁰

10 ^-1

10 ⁰

10 ^-6

10 ^-5

10 ^-4

10 ^-3

10 ^-2

10 ⁰

10 ^-6

10 ^-5

10 ^-4

10 ^-3

10 ^-2

10 ⁰

Semiconductor Group

Sep-07-1998

1998-11-01

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BAT64-07E6327产品参数

型号:	BAT64-07E6327
生命周期：	Transferred
包装说明：	R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.43
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.75 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
最大非重复峰值正向电流：	0.8 A
元件数量：	2
端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.12 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	40 V
最大反向电流：	2 µA
表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY
端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

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