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    • 询价
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    • 北京元坤伟业科技有限公司

           该会员已使用本站17年以上

    • BAT64T5Q-13-F
    • 数量-
    • 厂家-
    • 封装-
    • 批号-
    • -
    • QQ:857273081QQ：857273081 复制
      QQ:1594462451QQ：1594462451 复制
    • 010-62104931、62106431、62104891、62104791 QQ:857273081QQ:1594462451
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    • BAT64T5Q-13-F图

    • 集好芯城

       该会员已使用本站13年以上
    • BAT64T5Q-13-F
    • 数量6148 
    • 厂家DIODES/美台 
    • 封装SOD-523 
    • 批号最新批次 
    • 原厂原装公司现货
    • QQ:3008092965QQ：3008092965 复制
      QQ:3008092965QQ：3008092965 复制
    • 0755-83239307 QQ:3008092965QQ:3008092965
    • BAT64T5Q-13-F图

    • 昂富（深圳）电子科技有限公司

       该会员已使用本站4年以上
    • BAT64T5Q-13-F
    • 数量34933 
    • 厂家DIODES/美台 
    • 封装NA 
    • 批号23+ 
    • 一站式BOM配单,短缺料找现货,怕受骗,就找昂富电子.
    • QQ:GTY82dX7
    • 0755-23611557【陈妙华 QQ:GTY82dX7
    • BAT64T5Q-13-F图

    • 深圳市宇川湘科技有限公司

       该会员已使用本站6年以上
    • BAT64T5Q-13-F
    • 数量12660 
    • 厂家DIODES 
    • 封装SOD-523 
    • 批号23+ 
    • 原装正品现货，郑重承诺只做原装！
    • QQ:2885348305QQ：2885348305 复制
      QQ:2885348305QQ：2885348305 复制
    • 0755-84534256 QQ:2885348305QQ:2885348305

    产品型号BAT64W的Datasheet PDF文件预览

    BAT 64...W  
    Silicon Schottky Diodes  
    3
    • For low-loss, fast-recovery, meter protection,  
    bias isolation and clamping applications  
    • Integrated diffused guard ring  
    • Low forward voltage  
    2
    1
    VSO05561  
    BAT 64W  
    BAT 64-04W  
    BAT 64-05W  
    BAT 64-06W  
    ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!  
    Type  
    Marking Ordering Code  
    Pin Configuration  
    Package  
    BAT 64W  
    63s  
    Q62702-A1159  
    Q62702-A1160  
    Q62702-A1161  
    Q62702-A1162  
    1 = A  
    2 n.c.  
    3 = C  
    SOT-323  
    BAT 64-04W 64s  
    BAT 64-05W 65s  
    BAT 64-06W 66s  
    1 = A1  
    1 = A1  
    1 = C1  
    2 = C2  
    2 = A2  
    2 = C2  
    3 = C1/A2  
    3 = C1/2  
    3 = A1/2  
    Maximum Ratings  
    Parameter  
    Symbol  
    Value  
    40  
    Unit  
    V
    Diode reverse voltage  
    Forward current  
    V
    R
    250  
    mA  
    I
    F
    Average forward current (50/60Hz, sinus)  
    120  
    I
    FAV  
    800  
    Surge forward current (t< 100µs)  
    I
    FSM  
    250  
    mW  
    °C  
    Total power dissipation  
    BAT 64W, T ≤120°C P  
    S
    tot  
    tot  
    tot  
    250  
    Total power dissipat. BAT64-04/06W, T ≤111°C P  
    S
    250  
    Total power dissipation BAR 64-05W, T ≤104°C P  
    S
    Junction temperature  
    Storage temperature  
    150  
    T
    j
    -55...+150  
    T
    stg  
    Semiconductor Group  
    Semiconductor Group  
    1
    Sep-07-1998  
    1998-11-01  
    1
    BAT 64...W  
    Thermal Resistance  
    1)  
    Junction - ambient  
    Junction - ambient  
    Junction - ambient  
    BAT 64W  
    K/W  
    R
    ≤255  
    ≤290  
    ≤455  
    ≤120  
    ≤155  
    ≤185  
    thJA  
    1)  
    1)  
    BAT 64-04/06W  
    BAT 64-05W  
    R
    thJA  
    R
    thJA  
    Junction - soldering point BAT 64W  
    Junction - soldering point BAT 64-04/06W  
    Junction - soldering point BAT 64-05W  
    R
    thJS  
    R
    thJS  
    R
    thJS  
    2
    1) Package mounted on epoxy pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 6cm Cu  
    Electrical Characteristics at T = 25 °C, unless otherwise specified.  
    A
    Parameter  
    Symbol  
    Values  
    typ.  
    Unit  
    min.  
    max.  
    DC characteristics  
    Reverse current  
    -
    -
    -
    -
    2
    µA  
    I
    R
    V = 30 V  
    R
    Reverse current  
    200  
    I
    R
    V = 30 V, T = 85 °C  
    R
    A
    Forward voltage  
    I = 1 mA  
    mV  
    V
    F
    -
    -
    -
    -
    320  
    385  
    440  
    570  
    350  
    430  
    520  
    750  
    F
    I = 10 mA  
    F
    I = 30 mA  
    F
    I = 100 mA  
    F
    AC characteristics  
    Diode capacitance  
    -
    4
    6
    pF  
    C
    T
    V = 1 V, f = 1 MHz  
    R
    Semiconductor Group  
    Semiconductor Group  
    2
    Sep-07-1998  
    1998-11-01  
    2
    BAT 64...W  
    Forward current I = f (V )  
    Reverse current I = f (V )  
    F
    F
    R
    R
    T = Parameter  
    T = Parameter  
    A
    A
    BAT 64...  
    EHB00057  
    BAT 64...  
    EHB00058  
    10 2  
    102  
    µ A  
    mA  
    ΙR  
    Ι F  
    T
    C
    A = 125  
    10 1  
    10 0  
    101  
    85  
    C
    T
    A
    = -40  
    25  
    C
    C
    85 C  
    125 C  
    100  
    10 -1  
    10 -2  
    25 C  
    10 -1  
    10 -2  
    0
    10 -3  
    0
    0.5  
    V
    1
    10  
    20  
    30  
    V
    VF  
    VR  
    Semiconductor Group  
    Semiconductor Group  
    3
    Sep-07-1998  
    1998-11-01  
    3
    BAT 64...W  
    Forward current I = f (T *; T )  
    F
    A
    S
    *Package mounted on epoxy  
    BAT 64W  
    300  
    mA  
    T
    S
    T
    A
    200  
    150  
    100  
    50  
    I
    0
    °C  
    0
    20  
    40  
    60  
    80  
    100 120  
    150  
    T ,T  
    A
    S
    Permissible Pulse Load R  
    = f (t )  
    Permissible Pulse Load I  
    / I  
    = f (t )  
    thJS  
    p
    Fmax FDC  
    p
    BAT 64W  
    BAT 64W  
    10 3  
    10 2  
    K/W  
    -
    10 2  
    I
    D = 0  
    0.005  
    0.01  
    0.02  
    0.05  
    0.1  
    R
    I
    10 1  
    10 1  
    0.5  
    0.2  
    0.1  
    0.2  
    0.5  
    0.05  
    0.02  
    0.01  
    0.005  
    D = 0  
    10 0  
    10 -1  
    10 0  
    10 -6  
    10 -5  
    10 -4  
    10 -3  
    10 -2  
    10 0  
    10 -6  
    10 -5  
    10 -4  
    10 -3  
    10 -2  
    10 0  
    s
    s
    t
    p
    t
    p
    Semiconductor Group  
    Semiconductor Group  
    4
    Sep-07-1998  
    1998-11-01  
    4
    BAT 64...W  
    Forward current I = f (T *; T )  
    F
    A
    S
    * Package mounted on epoxy  
    BAT 64-04/06W  
    300  
    mA  
    T
    S
    T
    A
    200  
    150  
    100  
    50  
    I
    0
    °C  
    0
    20  
    40  
    60  
    80  
    100 120  
    150  
    T ,T  
    A
    S
    Permissible Pulse Load R  
    = f (t )  
    Permissible Pulse Load I  
    / I  
    = f (t )  
    thJS  
    p
    Fmax FDC  
    p
    BAT 64-04/06  
    BAT 64-04/06W  
    10 3  
    10 2  
    K/W  
    -
    10 2  
    I
    D = 0  
    0.005  
    0.01  
    0.02  
    0.05  
    0.1  
    R
    I
    10 1  
    10 1  
    0.5  
    0.2  
    0.1  
    0.2  
    0.5  
    0.05  
    0.02  
    0.01  
    0.005  
    D = 0  
    10 0  
    10 -1  
    10 0  
    10 -6  
    10 -5  
    10 -4  
    10 -3  
    10 -2  
    10 0  
    10 -6  
    10 -5  
    10 -4  
    10 -3  
    10 -2  
    10 0  
    s
    s
    t
    p
    t
    p
    Semiconductor Group  
    Semiconductor Group  
    5
    Sep-07-1998  
    1998-11-01  
    5
    BAT 64...W  
    Forward current I = f (T *; T )  
    F
    A
    S
    * Package mounted on epoxy  
    BAT 64-05W  
    300  
    mA  
    T
    S
    200  
    I
    T
    A
    150  
    100  
    50  
    0
    °C  
    0
    20  
    40  
    60  
    80  
    100 120  
    150  
    T ,T  
    A
    S
    Permissible Pulse Load R  
    = f (t )  
    Permissible Pulse Load I  
    / I  
    = f (t )  
    thJS  
    p
    Fmax FDC  
    p
    BAT 64-05W  
    BAT 64-05W  
    10 3  
    10 2  
    K/W  
    -
    10 2  
    I
    D = 0  
    0.005  
    0.01  
    0.02  
    0.05  
    0.1  
    R
    I
    10 1  
    10 1  
    0.5  
    0.2  
    0.1  
    0.2  
    0.5  
    0.05  
    0.02  
    0.01  
    0.005  
    D = 0  
    10 0  
    10 -1  
    10 0  
    10 -6  
    10 -5  
    10 -4  
    10 -3  
    10 -2  
    10 0  
    10 -6  
    10 -5  
    10 -4  
    10 -3  
    10 -2  
    10 0  
    s
    s
    t
    p
    t
    p
    Semiconductor Group  
    Semiconductor Group  
    6
    Sep-07-1998  
    1998-11-01  
    6
    配单直通车
    •  
    • 供货商
    • 型号 *
    • 数量*
    • 厂商
    • 封装
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