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产品型号BAQ334-TR的概述

芯片BAQ334-TR的概述 BAQ334-TR是一款高性能的集成电路芯片,专为低功耗、在高精度测量及信号处理应用中设计。该芯片通常应用于多个领域,包括物联网设备、传感器接口、医疗设备以及各种工业应用。随着科技的飞速发展,对高效能与低功耗设计的需求日益增加,BAQ334-TR被认为在市场中具有较高的竞争力。 该芯片不仅具备优异的稳定性和可靠性,还支持多种工作环境和条件,使其成为电子工程师和设计师的理想选择。更值得注意的是,BAQ334-TR具有较强的抗干扰能力,尤其适合在噪声较高的环境中使用。 芯片BAQ334-TR的详细参数 BAQ334-TR的功能参数和电气特性让其在众多芯片中脱颖而出。以下是该芯片的一些关键参数: 1. 工作电压:通常在2.5V到5.5V的范围内工作。 2. 功耗:在典型应用中,功耗低于10mA,具有显著的低功耗特性。 3. 工作温度范围:可在-40℃至+85℃的...

产品型号BAQ334-TR的Datasheet PDF文件预览

BAQ333...BAQ335  
Vishay Telefunken  
Switching Diode  
Features  
Silicon Planar Diodes  
Saving space  
Hermetic sealed parts  
Fits onto SOD 323 / SOT 23 footprints  
Electrical data identical with the devices  
BAQ33...BAQ35 / BAQ133...BAQ135  
Very low reverse current  
96 12315  
Applications  
Protection circuits, time delay circuits,  
peak follower circuits, logarithmic amplifiers  
Order Instruction  
Type  
Type Differentiation  
Ordering Code  
Remarks  
BAQ333  
BAQ334  
BAQ335  
V
V
= 40 V  
= 70 V  
= 140 V  
BAQ333–TR  
BAQ334–TR  
BAQ335–TR  
Tape and Reel  
Tape and Reel  
Tape and Reel  
RRM  
RRM  
V
RRM  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C  
j
Parameter  
Test Conditions  
Type  
Symbol  
Value  
Unit  
BAQ333  
BAQ334  
BAQ335  
V
R
V
R
V
R
30  
60  
125  
V
V
V
Reverse voltage  
Peak forward surge current  
Forward current  
Junction temperature  
Storage temperature range  
t =1 s  
p
I
2
200  
200  
A
mA  
C
FSM  
I
F
T
j
T
–65...+200  
C
stg  
Maximum Thermal Resistance  
T = 25 C  
j
Parameter  
Test Conditions  
Symbol  
Value  
500  
500  
Unit  
K/W  
K/W  
Junction ambient mounted on epoxy–glass hard tissue, Fig. 1  
R
thJA  
R
thJA  
2
35 m copper clad, 0.9 mm copper area per electrode  
www.vishay.com  
1 (4)  
Document Number 85538  
Rev. 5, 25-Jun-01  
BAQ333...BAQ335  
Vishay Telefunken  
Electrical Characteristics  
T = 25 C  
j
Parameter  
Test Conditions  
Type  
Symbol Min  
Typ Max Unit  
Forward voltage  
Reverse current  
I =100mA  
V
1
3
0.5  
1
1
1
V
nA  
A
nA  
nA  
nA  
V
V
V
pF  
F
F
E
300lx, V  
I
I
I
I
I
1
R
R
E
E
E
E
300lx, V , T =125 C  
300lx, V =15 V  
300lx, V =30 V  
300lx, V =60 V  
R
j
R
R
R
R
BAQ333  
BAQ334  
BAQ335  
BAQ333  
BAQ334  
BAQ335  
0.5  
0.5  
0.5  
R
R
R
V
(BR)  
V
(BR)  
V
(BR)  
40  
70  
140  
Breakdown voltage  
Diode capacitance  
I =5 A, t /T=0.01, t =0.3ms  
R
p
p
V =0, f=1MHz  
R
C
D
3
Characteristics (Tj = 25 C unless otherwise specified)  
10000  
1000  
100  
10  
1000  
100  
10  
V =V  
T =25°C  
j
R
RRM  
Scattering Limit  
Scattering Limit  
1
1
0.1  
200  
2.0  
0
40  
80  
120  
160  
0
0.4  
0.8  
V – Forward Voltage ( V )  
F
1.2  
1.6  
94 9079  
T – Junction Temperature ( °C )  
j
94 9078  
Figure 1. Reverse Current vs. Junction Temperature  
Figure 2. Forward Current vs. Forward Voltage  
www.vishay.com  
2 (4)  
Document Number 85538  
Rev. 5, 25-Jun-01  
BAQ333...BAQ335  
Vishay Telefunken  
0.71  
1.3  
ReflowSoldering  
1.27  
1.2  
0.152  
9.9  
0.8  
0.8  
2.4  
0.8  
0.355  
25  
Figure 4.  
10  
Wave Soldering  
2.5  
1.4  
24  
95 10329  
0.9  
1.0  
0.9  
2.8  
Figure 3. Board for R  
definition (in mm)  
Figure 5.  
thJA  
Dimensions in mm  
96 12072  
www.vishay.com  
3 (4)  
Document Number 85538  
Rev. 5, 25-Jun-01  
BAQ333...BAQ335  
Vishay Telefunken  
Ozone Depleting Substances Policy Statement  
It is the policy of Vishay Semiconductor GmbH to  
1. Meet all present and future national and international statutory requirements.  
2. Regularly and continuously improve the performance of our products, processes, distribution and operating  
systems with respect to their impact on the health and safety of our employees and the public, as well as their  
impact on the environment.  
It is particular concern to control or eliminate releases of those substances into the atmosphere which are known as  
ozone depleting substances (ODSs).  
The Montreal Protocol (1987) and its London Amendments (1990) intend to severely restrict the use of ODSs and  
forbid their use within the next ten years. Various national and international initiatives are pressing for an earlier ban  
on these substances.  
Vishay Semiconductor GmbH has been able to use its policy of continuous improvements to eliminate the use of  
ODSs listed in the following documents.  
1. Annex A, B and list of transitional substances of the Montreal Protocol and the London Amendments respectively  
2. Class I and II ozone depleting substances in the Clean Air Act Amendments of 1990 by the Environmental  
Protection Agency (EPA) in the USA  
3. Council Decision 88/540/EEC and 91/690/EEC Annex A, B and C (transitional substances) respectively.  
Vishay Semiconductor GmbH can certify that our semiconductors are not manufactured with ozone depleting  
substances and do not contain such substances.  
We reserve the right to make changes to improve technical design and may do so without further notice.  
Parameters can vary in different applications. All operating parameters must be validated for each customer application  
by the customer. Should the buyer use Vishay-Telefunken products for any unintended or unauthorized application, the  
buyer shall indemnify Vishay-Telefunken against all claims, costs, damages, and expenses, arising out of, directly or  
indirectly, any claim of personal damage, injury or death associated with such unintended or unauthorized use.  
Vishay Semiconductor GmbH, P.O.B. 3535, D-74025 Heilbronn, Germany  
Telephone: 49 (0)7131 67 2831, Fax number: 49 (0)7131 67 2423  
www.vishay.com  
4 (4)  
Document Number 85538  
Rev. 5, 25-Jun-01  
配单直通车
BAQ334-TR产品参数
型号:BAQ334-TR
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.76
配置:SINGLE
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 V
JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:2 A
元件数量:1
最高工作温度:200 °C
最大重复峰值反向电压:60 V
子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1
  •  
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