BAS70/E9各脚功能电路原理芯片引脚定义引脚图及功能IC贸易商-中国IC网-芯三七

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首天国际（深圳）科技有限公司
BAS70/E9
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北京元坤伟业科技有限公司
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柒号芯城电子商务（深圳）有限公司
BAS70/E9
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深圳市芯福林电子有限公司
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深圳市中利达电子科技有限公司
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深圳市华美锐科技有限公司
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深圳市华美锐科技有限公司
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厂家GENERAL SEMICONDUCTOR
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深圳市一线半导体有限公司
BAS70/E9

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BAS70 thru BAS70-06

Schottky Diodes

TO-236AB (SOT-23)

Features

• These diodes feature very low turn-on voltage and

fast switching.

.122 (3.1)

.110 (2.8)

.016 (0.4)

Top View

• These devices are protected by a PN junction

guard ring against excessive voltage, such as

electrostatic discharges.

Mechanical Data

Case: SOT-23 Plastic Package

.037(0.95)

Weight: approx. 0.008g

Packaging Codes/Options:

E8/10K per 13” reel (8mm tape), 30K/box

E9/3K per 7” reel (8mm tape), 30K/box

.102 (2.6)

.094 (2.4)

.016 (0.4) .016 (0.4)

Dimensions in inches and (millimeters)

Mounting Pad Layout

BAS70

BAS70-04

Marking: 73

Marking: 74

0.031 (0.8)

Top View

0.035 (0.9)

0.079 (2.0)

BAS70-06

Marking: 76

BAS70-05

Marking: 75

Top View

0.037 (0.95)

Maximum Ratings and Thermal Characteristics (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V_RRM

I_F

Value

Unit

Repetitive Peak Reverse Voltage

Forward Continuous Current at T_amb= 25°C

Surge Forward Current at t_p< 1 s, T_amb= 25°C

Power Dissipation⁽¹⁾at T_amb= 25°C

Thermal Resistance Junction to Ambiant Air

Junction Temperature

200⁽¹⁾

°C/W

°C

I_FSM

P_tot

600⁽¹⁾

200⁽¹⁾

R_θJA

T_j

430⁽¹⁾

150

Storage Temperature Range

T_S

–55 to +150

°C

Note:

(1) Device on fiberglass substrate, see layout on next page.

4/2/01

BAS70 thru BAS70-06

Schottky Diodes

Electrical Characteristics(T_J= 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V_(BR)R

I_R

Test Condition

I_R= 10µA (pulsed)

V_R= 50V

Min

Typ

—

Max

—

Unit

Reverse Breakdown Voltage

Leakage Current

Forward Voltage

—

100

V_F

I_F= 1mA

—

410

1000

I_F= 15mA⁽¹⁾

V_R= 0V

Capacitance

C_tot

t_rr

—

1.5

f = 1MHz

I_F= 10mA, I_R= 10mA

I_rr= 1mA, R_L= 100Ω

Reverse Recovery Time

—

Note:

(1) Pulse test; t_p≤ 300µs

Layout for R_θJAtest

0.30 (7.5)

0.12 (3)

Thickness: Fiberglass 0.059 in. (1.5 mm)

Copper leads 0.012 in. (0.3 mm)

.04 (1)

.08 (2)

.04 (1)

.08 (2)

0.59 (15)

0.03 (0.8)

0.47 (12)

0.2 (5)

0.06 (1.5)

0.20 (5.1)

Dimensions in inches (millimeters)

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BAS70/E9产品参数

型号:	BAS70/E9
是否无铅：	不含铅
是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred
包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.18
其他特性：	FAST SWITCHING
配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.41 V
JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	0.6 A
元件数量：	1
端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	70 V
最大反向恢复时间：	0.005 µs
子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

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