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    • BAS7006NEO图

    • 北京中其伟业科技有限公司

       该会员已使用本站16年以上
    • BAS7006NEO
    • 数量8515 
    • 厂家√ 欧美㊣品 
    • 封装贴◆插 
    • 批号16+ 
    • 特价,原装正品,绝对公司现货库存,原装特价!
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    • 010-62104891 QQ:2880824479

    产品型号BAS7006SQ62702A3469的Datasheet PDF文件预览

    Silicon Schottky Diodes  
    BAS 70 …  
    ● General-purpose diodes for high-speed switching  
    ● Circuit protection  
    ● Voltage clamping  
    ● High-level detecting and mixing  
    Available with CECC quality assessment  
    2
    3
    1
    ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precautions!  
    Package1)  
    Type  
    Marking  
    Ordering Code Pin Configuration  
    (tape and reel)  
    73s  
    Q62702-A118  
    SOT-23  
    BAS 70  
    74s  
    75s  
    76s  
    Q62702-A730  
    BAS 70-04  
    BAS 70-05  
    BAS 70-06  
    Q62702-A711  
    Q62702-A774  
    1)  
    For detailed information see chapter Package Outlines.  
    5.91  
    Semiconductor Group  
    139  
    BAS 70 …  
    ● General-purpose diodes for high-speed switching  
    ● Circuit protection  
    ● Voltage clamping  
    ● High-level detecting and mixing  
    Available with CECC quality assessment  
    3
    2
    4
    1
    ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precautions!  
    Package1)  
    Type  
    Marking  
    Ordering Code Pin Configuration  
    (tape and reel)  
    77s  
    Q62702-A846  
    SOT-143  
    BAS 70-07  
    Maximum Ratings per Diode  
    Parameter  
    Symbol  
    Values  
    70  
    Unit  
    V
    Reverse voltage  
    V
    R
    Forward current  
    IF  
    70  
    mA  
    Surge forward current, t ≤ 10 ms  
    Total power dissipation  
    BAS 70  
    BAS 70-04 … TS ≤ 40 ˚C2)  
    I
    FSM  
    100  
    250  
    P
    tot  
    mW  
    ˚C  
    T
    S ≤ 66 ˚C2)  
    Junction temperature  
    T
    T
    T
    j
    150  
    Operating temperature range  
    Storage temperature range  
    op  
    – 55 … + 150  
    – 55 … + 150  
    stg  
    Thermal Resistance  
    Junction - ambient3)  
    BAS 70  
    BAS 70-04 …  
    R
    R
    th JA  
    th JS  
    K/W  
    ≤ 405  
    ≤ 575  
    Junction - soldering point  
    BAS 70  
    BAS 70-04 …  
    ≤ 335  
    ≤ 435  
    1)  
    For detailed information see chapter Package Outlines.  
    Max. 450 mW per package.  
    Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm2 Cu.  
    2)  
    3)  
    Semiconductor Group  
    140  
    BAS 70 …  
    Electrical Characteristics per Diode  
    at T = 25 ˚C, unless otherwise specified.  
    A
    Parameter  
    Symbol  
    Values  
    typ.  
    Unit  
    min.  
    max.  
    DC characteristics  
    Breakdown voltage  
    V(BR)  
    70  
    –
    –
    V
    IR  
    = 10 µA  
    Reverse current  
    IR  
    µA  
    V
    V
    R
    R
    = 50 V  
    = 70 V  
    –
    –
    –
    –
    0.1  
    10  
    Forward voltage  
    VF  
    mV  
    IF  
    IF  
    IF  
    = 1 mA  
    = 10 mA  
    = 15 mA  
    –
    –
    –
    380  
    690  
    780  
    410  
    750  
    1000  
    Diode capacitance  
    = 0, f = 1 MHz  
    C
    T
    –
    –
    –
    1.6  
    2
    pF  
    ps  
    Ω
    VR  
    Charge carrier life time  
    = 25 mA  
    τ
    –
    100  
    –
    IF  
    Differential forward resistance  
    = 10 mA, f = 10 kHz  
    rf  
    30  
    IF  
    Semiconductor Group  
    141  
    BAS 70 …  
    Characteristics per Diode at T  
    Forward current I = f (V  
    j
    = 25 ˚C, unless otherwise specified.  
    Reverse current I = f (V )  
    F
    F
    )
    R
    R
    Diode capacitance C  
    f= 1 MHz  
    T
    = f (V  
    R)  
    Differential forward resistance r  
    f= 10 kHz  
    f
    = f (I )  
    F
    Semiconductor Group  
    142  
    BAS 70 …  
    Forward current I  
    F
    = f (T  
    A
    *; T )  
    S
    * Package mounted on epoxy  
    Semiconductor Group  
    143  
    配单直通车
    BAS7006WH6327XTSA1产品参数
    型号:BAS7006WH6327XTSA1
    是否Rohs认证： 符合
    生命周期：Active
    包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
    Reach Compliance Code：compliant
    ECCN代码：EAR99
    HTS代码：8541.10.00.70
    Factory Lead Time：6 weeks
    风险等级：1.47
    配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
    二极管元件材料：SILICON
    二极管类型：RECTIFIER DIODE
    JESD-30 代码：R-PDSO-G3
    JESD-609代码：e3
    湿度敏感等级：1
    元件数量：2
    端子数量：3
    最高工作温度：125 °C
    最低工作温度：-55 °C
    最大输出电流：0.07 A
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：SMALL OUTLINE
    峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
    最大功率耗散：0.25 W
    参考标准：AEC-Q101
    最大重复峰值反向电压：70 V
    表面贴装：YES
    技术：SCHOTTKY
    端子面层：Tin (Sn)
    端子形式：GULL WING
    端子位置：DUAL
    处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
    • 型号 *
    • 数量*
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