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  • 深圳市金亿瑞科技有限公司

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产品型号BAS7006E6327HTSA1的概述

BAS7006E6327HTSA1芯片概述 BAS7006E6327HTSA1是一款广泛应用于电子器件中的双极性晶体管,其特点是具备高性能、高集成度和低功耗等优势。该芯片在工业、汽车以及消费电子产品中展现出了良好的应用前景,尤其是在信号放大的场合。由于其优良的参数特性和灵活的应用范围,BAS7006E6327HTSA1正在逐渐成为设计工程师们的首选组件之一。 详细参数 BAS7006E6327HTSA1具有一系列卓越的电气性能,其主要参数如下: - 工作电压:BAS7006E6327HTSA1的最大工作电压可以达到30V,适合大多数电子电路的需求。 - 最大放大倍数:该设备提供高达100的直流电流增益,这意味着它可以有效地放大输入信号。 - 功耗:在正常工作状态下,功耗非常低,适合于需要节能的电子设计。 - 工作温度范围:该芯片的工作温度通常在-40℃到+125℃之间,适应了较恶劣的环...

产品型号BAS7006E6327HTSA1的Datasheet PDF文件预览

BAS70.../BAS170W  
Silicon Schottky Diode  
General-purpose diode for high-speed switching  
Circuit protection  
Voltage clamping  
High-level detecting and mixing  
BAS70-04S: For orientation in reel see  
package information below  
Pb-free (RoHS compliant) package  
1)  
Qualified according AEC Q101  
BAS170W  
BAS70  
BAS70-04  
BAS70-04S  
BAS70-05  
BAS70-02L  
BAS70-02W  
BAS70-02V  
BAS70-04W  
BAS70-05W  
6
5
4
3
3
3
D
4
D
3
D
2
1
2
D
1
D
1
D
2
D
1
D
2
1
2
3
1
2
1
2
1
2
BAS70-06  
BAS70-07  
BAS70-06W  
BAS70-07W  
3
4
3
D
1
D
2
D
2
D
1
1
2
1
2
1
BAS70-02L is not qualified according AEC Q101  
2014-02-13  
1
BAS70.../BAS170W  
Type  
BAS170W  
BAS70  
Package  
SOD323  
SOT23  
TSLP-2-1  
SC79  
SCD80  
SOT23  
SOT363  
SOT323  
SOT23  
SOT323  
SOT23  
SOT323  
SOT143  
SOT343  
Configuration  
single  
single  
single, leadless  
single  
single  
series  
dual series  
series  
common cathode  
common cathode  
common anode  
common anode  
parallel pair  
parallel pair  
L (nH) Marking  
S
1.8  
1.8  
0.4  
0.6  
0.6  
1.8  
1.6  
1.4  
1.8  
1.4  
1.8  
1.4  
2
white 7  
73s  
F
c
73  
74s  
74s  
74s  
75s  
75s  
76s  
76s  
77s  
77s  
BAS70-02L  
BAS70-02V  
BAS70-02W*  
BAS70-04  
BAS70-04S  
BAS70-04W  
BAS70-05  
BAS70-05W  
BAS70-06  
BAS70-06W  
BAS70-07  
BAS70-07W  
1.8  
* Not for new design  
Maximum Ratings at T = 25 °C, unless otherwise specified  
A
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
70  
70  
V
mA  
Diode reverse voltage  
Forward current  
V
R
I
F
100  
Non-repetitive peak surge forward current  
t 10ms  
I
FSM  
mW  
Total power dissipation  
P
tot  
BAS70, BAS70-07, T 72 °C  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
S
BAS70-02L, T 117 °C  
S
BAS70-02W, -02V, T 107 °C  
S
BAS70-04, BAS70-06, T 48 °C  
S
BAS70-04S/W/-06W, BAS170W, T 97 °C  
S
BAS70-05, T 22 °C  
S
BAS70-05W, T 90 °C  
S
BAS70-07W, T 114 °C  
S
150  
°C  
Junction temperature  
Operating temperature range  
Storage temperature  
T
T
T
J
-55 ... 125  
-55 ... 150  
op  
Stg  
2014-02-13  
2
BAS70.../BAS170W  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction - soldering point  
BAS70, BAS70-07  
BAS70-02L  
BAS70-02W, -02V  
BAS70-04, BAS70-06  
BAS70-04S/W, BAS70-06W  
BAS70-05  
Symbol  
R
thJS  
Value  
Unit  
K/W  
1)  
310  
130  
170  
410  
210  
510  
240  
145  
190  
BAS70-05W  
BAS70-07W  
BAS170W  
Electrical Characteristics at T = 25 °C, unless otherwise specified  
A
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
min.  
70  
-
typ. max.  
DC Characteristics  
Breakdown voltage  
-
-
-
V
V
(BR)  
I
= 10 µA  
(BR)  
0.1  
Reverse current  
I
µA  
R
V = 50 V  
R
mV  
Forward voltage  
V
F
I = 1 mA  
300  
600  
720  
375  
705  
880  
410  
750  
1000  
F
I = 10 mA  
F
I = 15 mA  
F
2)  
-
-
20  
Forward voltage matching  
V  
F
I = 10 mA  
F
1For calculation of R  
please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)  
thJA  
2
V is the difference between lowest and highest V in a multiple diode component.  
F
F
2014-02-13  
3
BAS70.../BAS170W  
Electrical Characteristics at T = 25 °C, unless otherwise specified  
A
Parameter  
Symbol  
Values  
typ. max.  
Unit  
min.  
AC Characteristics  
-
1.5  
34  
-
2
-
pF  
Diode capacitance  
C
T
rr  
V = 0 , f = 1 MHz  
R
-
-
Forward resistance  
r
f
I = 10 mA, f = 10 kHz  
F
100 ps  
Charge carrier life time  
τ
I = 25 mA  
F
2014-02-13  
4
BAS70.../BAS170W  
Diode capacitance C = ƒ (V )  
Forward resistance r = ƒ (I )  
f F  
T
R
f = 1MHz  
f = 10 kHz  
10 4  
BAS 70W/BAS 170W  
EHB00044  
2.0  
pF  
Ohm  
CT  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
10 3  
10 2  
10 1  
10 -2  
10 -1  
10 0  
10 1  
10 2  
mA  
F
0
20  
40  
60  
V
80  
I
VR  
Reverse current I = ƒ(V )  
Forward current I = ƒ (V )  
R
R
F
F
T = Parameter  
T = Parameter  
A
A
BAS 70W/BAS 170W  
EHB00042  
BAS 70W/BAS 170W  
EHB00043  
102  
mA  
102  
µ A  
TA = 150 C  
Ι F  
Ι R  
101  
101  
85 C  
100  
100  
TA = -40 C  
10-1  
25 C  
85 C  
150 C  
10-1  
25 C  
10-2  
10-3  
10-2  
0
20  
40  
60  
V
80  
0.0  
0.5  
1.0  
V
1.5  
VR  
VF  
2014-02-13  
5
BAS70.../BAS170W  
Forward current I = ƒ (T )  
Forward current I = ƒ (T )  
F S  
F
S
BAS70, BAS70-07  
BAS70-02L  
80  
80  
mA  
mA  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
°C  
°C  
0
15 30 45 60 75 90 105 120  
150  
0
15 30 45 60 75 90 105 120  
150  
T
T
S
S
Forward current I = ƒ (T )  
Forward current I = ƒ (T )  
F
S
F
S
BAS70-02W, -02V  
BAS70-04, BAS70-06  
80  
80  
mA  
mA  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
°C  
°C  
0
15 30 45 60 75 90 105 120  
150  
0
15 30 45 60 75 90 105 120  
150  
T
T
S
S
2014-02-13  
6
BAS70.../BAS170W  
Forward current I = ƒ (T )  
Forward current I = ƒ (T )  
F S  
F
S
BAS70-04S/W, BAS70-06W, BAS170W  
BAS70-05  
80  
80  
mA  
mA  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
0
°C  
°C  
0
15 30 45 60 75 90 105 120  
150  
15 30 45 60 75 90 105 120  
150  
T
T
S
S
Forward current I = ƒ (T )  
Forward current I = ƒ (T )  
F S  
F
S
BAS70-05W  
BAS70-07W  
80  
80  
mA  
mA  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
°C  
°C  
0
15 30 45 60 75 90 105 120  
150  
0
15 30 45 60 75 90 105 120  
150  
T
T
S
S
2014-02-13  
7
BAS70.../BAS170W  
Forward current I = ƒ (T )  
Permissible Puls Load R  
= ƒ (t )  
F
S
thJS  
p
BAS170W  
BAS70  
10 3  
K/W  
80  
mA  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
10 2  
0.5  
0.2  
0.1  
0.05  
0.02  
10 1  
0.01  
0.005  
D = 0  
10 0  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
°C  
s
0
15 30 45 60 75 90 105 120  
150  
T
t
p
S
Permissible Pulse Load  
Permissible Puls Load R  
= ƒ (t )  
thJS  
p
I
/ I  
= ƒ (t )  
BAS70-02L  
Fmax FDC  
BAS70  
10 2  
p
10 3  
K/W  
-
10 2  
D = 0  
0.005  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
10 1  
0.5  
0.2  
10 1  
0.1  
0.2  
0.05  
0.02  
0.01  
0.005  
D = 0  
0.5  
10 0  
10 0  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
s
s
t
t
p
p
2014-02-13  
8
BAS70.../BAS170W  
Permissible Pulse Load  
Permissible Puls Load R  
= ƒ (t )  
thJS  
p
I
/ I  
= ƒ (t )  
BAS70-02W, -02V  
Fmax FDC  
BAS70-02L  
10 1  
p
10 3  
K/W  
10 2  
D = 0  
0.005  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
D=0.5  
0.2  
-
0.1  
0.05  
0.02  
0.01  
0.005  
0
0.2  
10 1  
0.5  
10 0  
10 0  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
s
s
t
t
p
p
Permissible Pulse Load  
/ I = ƒ (t )  
Permissible Puls Load R  
BAS70-04, BAS70-06  
= ƒ (t )  
thJS  
p
I
Fmax FDC  
p
BAS70-02W, -02V  
10 1  
10 3  
K/W  
D=0  
0.005  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
10 2  
0.2  
0.5  
0.2  
0.5  
0.1  
10 1  
0.05  
0.02  
0.01  
0.005  
D = 0  
10 0  
10 0  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
s
s
t
t
P
p
2014-02-13  
9
BAS70.../BAS170W  
Permissible Pulse Load  
/ I = ƒ (t )  
Permissible Puls Load R  
BAS70-04S  
= ƒ (t )  
thJS  
p
I
Fmax FDC  
p
BAS70-04, BAS70-06  
10 2  
10 3  
K/W  
-
D = 0  
0.005  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
10 2  
10 1  
0.2  
0.5  
0.5  
0.2  
10 1  
0.1  
0.05  
0.02  
0.01  
0.005  
D = 0  
10 0  
10 0  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
s
s
t
t
p
P
Permissible Pulse Load  
Permissible Puls Load R  
= ƒ (t )  
thJS  
p
I
/ I  
= ƒ (t )  
BAS70-04W, BAS70-06W  
Fmax FDC  
BAS70-04S  
10 2  
p
10 3  
K/W  
-
10 2  
D = 0  
0.005  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
10 1  
0.5  
0.2  
10 1  
0.1  
0.05  
0.02  
0.01  
0.2  
0.5  
0.005  
D = 0  
10 0  
10 0  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
s
s
t
t
p
p
2014-02-13  
10  
BAS70.../BAS170W  
Permissible Pulse Load  
/ I = ƒ (t )  
Permissible Puls Load R  
BAS70-05  
= ƒ (t )  
thJS  
p
I
Fmax FDC  
p
BAS70-04W, BAS70-06W  
10 1  
10 3  
K/W  
D = 0  
0.005  
0.01  
10 2  
0.02  
-
0.5  
0.2  
0.1  
0.05  
0.05  
0.1  
0.2  
0.5  
10 1  
0.02  
0.01  
0.005  
D = 0  
10 0  
10 0  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
s
s
t
t
p
p
Permissible Pulse Load  
Permissible Puls Load R  
= ƒ (t )  
thJS  
p
I
/ I  
= ƒ (t )  
BAS70-05W  
Fmax FDC  
BAS70-05  
10 2  
p
10 3  
K/W  
-
10 2  
D = 0  
0.005  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
0.5  
10 1  
0.2  
0.1  
0.05  
0.02  
0.2  
10 1  
0.5  
0.01  
0.005  
D = 0  
10 0  
10 0  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
s
s
t
t
p
p
2014-02-13  
11  
BAS70.../BAS170W  
Permissible Pulse Load  
/ I = ƒ (t )  
Permissible Puls Load R  
BAS70-07W  
= ƒ (t )  
thJS  
p
I
Fmax FDC  
p
BAS70-05W  
10 1  
10 3  
K/W  
D = 0  
0.005  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
10 2  
-
0.2  
0.5  
0.2  
0.5  
0.1  
10 1  
0.05  
0.02  
0.01  
0.005  
D = 0  
10 0  
10 0  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
s
s
t
t
p
p
Permissible Pulse Load  
/ I = ƒ (t )  
Permissible Puls Load R  
BAS170W  
= ƒ (t )  
thJS p  
I
Fmax FDC  
p
BAS70-07W  
10 2  
10 3  
10 2  
10 1  
10 0  
-
D = 0  
0.005  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
10 1  
0.5  
0.2  
0.2  
0.5  
0.1  
0.05  
0.02  
0.01  
0.005  
D = 0  
10 0  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
10 -7 10 -6 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2  
10 0  
s
s
t
t
p
p
2014-02-13  
12  
BAS70.../BAS170W  
Permissible Pulse Load  
I
/ I  
= ƒ (t )  
Fmax FDC  
BAS170W  
10 1  
p
D = 0  
0.005  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
0.2  
0.5  
10 0  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
s
t
p
2014-02-13  
13  
Package SC79  
BAS70.../BAS170W  
2014-02-13  
14  
Package SCD80  
BAS70.../BAS170W  
Package Outline  
M
±02  
A
±±0.  
±0.3+±0±ꢀ  
±08  
-±0±3  
A
2
.
±03  
Cathode  
marking  
±±0±ꢀ  
±±0.  
±07  
Foot Print  
±03ꢀ  
Marking Layout (Example)  
2±±ꢀ, June  
Date code  
BAR63-±2W  
Type code  
Cathode marking  
Laser marking  
Standard Packing  
Reel ø.8± mm = 30±±± Pieces/Reel  
Reel ø.8± mm = 80±±± Pieces/Reel (2 mm Pitch)  
Reel ø33± mm = .±0±±± Pieces/Reel  
Standard  
4
Reel with 2 mm Pitch  
2
±02  
±07  
Cathode  
marking  
±04  
±09  
Cathode  
marking  
2014-02-13  
15  
BAS70.../BAS170W  
Date Code marking for discrete packages with  
one digit (SCD80, SC79, SC751)) CES-Code  
Month 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014  
01  
02  
03  
04  
05  
06  
07  
08  
09  
10  
11  
12  
a
b
c
d
e
f
p
q
r
A
B
C
D
E
F
G
H
J
P
Q
R
S
T
U
V
X
Y
Z
4
a
b
c
d
e
f
p
q
r
A
B
C
D
E
F
G
H
J
P
Q
R
S
T
U
V
X
Y
Z
4
a
b
c
d
e
f
p
q
r
A
B
C
D
E
F
G
H
J
P
Q
R
S
T
U
V
X
Y
Z
4
s
t
s
t
s
t
u
v
x
y
z
2
3
u
v
x
y
z
2
3
u
v
x
y
z
2
3
g
h
j
g
h
j
g
h
j
k
l
K
L
k
l
K
L
k
l
K
L
n
N
5
n
N
5
n
N
5
1) New Marking Layout for SC75, implemented at October 2005.  
.
2014-02-13  
16  
Package SOD323  
BAS70.../BAS170W  
2014-02-13  
17  
Package SOT143  
BAS70.../BAS170W  
2014-02-13  
18  
Package SOT23  
BAS70.../BAS170W  
2014-02-13  
19  
Package SOT323  
BAS70.../BAS170W  
2014-02-13  
20  
Package SOT343  
BAS70.../BAS170W  
2014-02-13  
21  
Package SOT363  
BAS70.../BAS170W  
2014-02-13  
22  
Package TSLP-2-1  
BAS70.../BAS170W  
2014-02-13  
23  
BAS70.../BAS170W  
Edition 2009-11-16  
Published by  
Infineon Technologies AG  
81726 Munich, Germany  
2009 Infineon Technologies AG  
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Information  
For further information on technology, delivery terms and conditions and prices,  
please contact the nearest Infineon Technologies Office (<www.infineon.com>).  
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For information on the types in question, please contact the nearest Infineon  
Technologies Office.  
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only with the express written approval of Infineon Technologies, if a failure of such  
components can reasonably be expected to cause the failure of that life-support  
device or system or to affect the safety or effectiveness of that device or system.  
Life support devices or systems are intended to be implanted in the human body or  
to support and/or maintain and sustain and/or protect human life. If they fail, it is  
reasonable to assume that the health of the user or other persons may be  
endangered.  
2014-02-13  
24  
配单直通车
BAS7006E6327HTSA1产品参数
型号:BAS7006E6327HTSA1
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70
Factory Lead Time:4 weeks
风险等级:1.5
配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:3
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:0.07 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.25 W
参考标准:AEC-Q101
最大重复峰值反向电压:70 V
表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
  •  
  • 供货商
  • 型号 *
  • 数量*
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 交易说明
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