BC848CW(1LT)全新原装原理图各脚功能电路原理芯片引脚定义-中国IC网-芯三七

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深圳市一线半导体有限公司
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BC846AW - BC848CW

NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR

Features

Ideally Suited for Automatic Insertion

SOT-323

Complementary PNP Types Available

(BC856W-BC858W)

Dim

MinMax

0.25

For Switching and AF Amplifier Applications

0.40

1.35

2.20

1.15

Mechanical Data

2.00

Case: SOT-323, Molded Plastic

0.65 Nominal

Case material - UL Flammability Rating

Classification 94V-0

0.30

1.20

1.80

0.0

0.40

1.40

2.20

0.10

1.00

0.40

0.18

8°

Moisture sensitivity: Level 1 perJ-STD-020A

Terminals: Solderable per MIL-STD-202,

Method 208

0.90

0.25

0.10

0°

Pin Connections: See Diagram

Marking Codes (See Table Below & Diagram

on Page 2)

Ordering & Date Code Information: See Page 2

Approx. Weight: 0.006 grams

All Dimensions in mm

Marking Code (Note 2)

Type

Marking

K1Q

Type

Marking

K1M

BC846AW

BC846BW

BC847AW

BC847BW

BC847CW

BC848AW

BC848BW

BC848CW

K1R

K1J, K1E, K1Q

K1K, K1F, K1R

K1L, K1M

K1E, K1Q

K1F, K1R

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Maximum Ratings

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

BC846

BC847

BC848

V_CBO

BC846

BC847

BC848

V_CEO

6.0

5.0

BC846, BC847

BC848

V_EBO

I_C

I_CM

Collector Current

100

200

Peak Collector Current

Peak Emitter Current

Power Dissipation (Note 1)

I_EM

200

P_d

200

°C/W

°C

R_qJA

T_j, T_STG

Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)

Operating and Storage Temperature Range

625

-65 to +150

Notes:

1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout

document AP02001, which can be found on ourwebsite at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.

2. Current gain subgroup “C” is not available for BC846W.

DS30250 Rev. 3 - 2

1 of 2

BC846AW - BC848CW

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Electrical Characteristics

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Test Condition

I_C= 10mA, I_B= 0

Collector-Base Breakdown Voltage (Note 3)

BC846

BC847

BC848

—

V_(BR)CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Note 3) BC846

BC847

BC848

—

I_C= 10mA, I_B= 0

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

h_FE

Emitter-Base Breakdown Voltage

(Note 3)

BC846, BC847

BC848

I_E= 1mA, I_C= 0

—

DC Current Gain

Current Gain Group A

110

200

420

180

290

520

220

450

800

—

V_CE= 5.0V, I_C= 2.0mA

I_C= 10mA, I_B= 0.5mA

(Note 3)

200

250

600

V_CE(SAT)

V_BE(SAT)

V_BE(ON)

—

Collector-Emitter Saturation Voltage (Note 3)

Base-Emitter Saturation Voltage (Note 3)

Base-Emitter Voltage (Note 3)

I_C= 100mA, I_B= 5.0mA

I_C= 10mA, I_B= 0.5mA

I_C= 100mA, I_B= 5.0mA

700

900

—

V_CE= 5.0V, I_C= 2.0mA

V_CE= 5.0V, I_C= 10mA

580

—

660

—

700

770

V_CB= 30V

V_CB= 30V, T_A= 150°C

I_CBO

—

5.0

µA

Collector-Cutoff Current (Note 3)

V_CE= 5.0V, I_C= 10mA,

f = 100MHz

f_T

Gain Bandwidth Product

100

—

300

3.0

—

MHz

V_CB= 10V, f = 1.0MHz

C_CBO

Collector-Base Capacitance

4.5

V_CE= 5V, I_C= 200µA,

R_S= 2.0kW,

f = 1.0kHz, Df = 200Hz

Noise Figure

—

(Note 4)

Ordering Information

Device

Packaging

Shipping

BC84xxW-7*

SOT-323

3000/Tape & Reel

Notes: 3. Short duration pulse test to minimize self-heating effect.

4. For Packaging Details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.

*xx = device type, e.g. BC846AW-7.

Marking Information

XXX = Product Type Marking Code (See Page 1), e.g. K1Q = BC846AW

YM = Date Code Marking

Y = Year ex: N = 2002

XXX

M = Month ex: 9 = September

Date Code Key

Year

1998

1999

2000

2001

2002

2003

2004

Code

Month

Code

Jan

Feb

March

Apr

May

Jun

Jul

Aug

Sep

Oct

Nov

Dec

DS30250 Rev. 3 - 2

2 of 2

BC846AW - BC848CW

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BC848CW-7产品参数

型号:	BC848CW-7
是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.04
Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	420
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0
元件数量：	1
端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	235
极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
Base Number Matches：	1

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