BC848G芯片引脚定义引脚图及功能IC贸易商引脚图技术参数-中国IC网-芯三七

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深圳市芯福林电子有限公司
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北京元坤伟业科技有限公司
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产品型号BC848G-A-AE3-R的Datasheet PDF文件预览

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

BC846-BC850

NPN SILICON TRANSISTOR

SWITCHING AND AMPLIFIER

APPLICATION

FEATURES

* Suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits.

* Complement to BC856 … BC860

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Packing

Package

Lead Free

Halogen Free

BC846L-x-AE3-R

BC847L-x-AE3-R

BC848L-x-AE3-R

BC849L-x-AE3-R

BC850L-x-AE3-R

BC846L-x-AL3-R

BC847L-x-AL3-R

BC848L-x-AL3-R

BC849L-x-AL3-R

BC850L-x-AL3-R

BC846L-x-AN3-R

BC847L-x-AN3-R

BC848L-x-AN3-R

BC849L-x-AN3-R

BC850L-x-AN3-R

BC846G-x-AE3-R

BC847G-x-AE3-R

BC848G-x-AE3-R

BC849G-x-AE3-R

BC850G-x-AE3-R

BC846G-x-AL3-R

BC847G-x-AL3-R

BC848G-x-AL3-R

BC849G-x-AL3-R

BC850G-x-AL3-R

BC846G-x-AN3-R

BC847G-x-AN3-R

BC848G-x-AN3-R

BC849G-x-AN3-R

BC850G-x-AN3-R

SOT-23

Tape Reel

SOT-23

SOT-323

SOT-523

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QW-R206-027,G

BC846-BC850

NPN SILICON TRANSISTOR

MARKING

BC846

BC847

BC848

BC849

BC850

□:

Rank Code, refer to Classification of h_FE

L: Lead Free, G: Halogen Free

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

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BC846-BC850

NPN SILICON TRANSISTOR

ABSOLUTE MAXIMUM RATING (T_A=25°C, unless otherwise specified)

PARAMETER

SYMBOL

VALUE

UNIT

BC846

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

BC847 / BC850

BC848 / BC849

BC846

V_CBO

BC847 / BC850

BC848 / BC849

BC846 / BC847

BC848 / BC849 / BC850

V_CEO

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

V_EBO

I_C

100

310

200

150

+150

-40 ~ +150

°C

SOT-23

Collector Dissipation

SOT-323

SOT-523

P_D

Junction Temperature

Storage Temperature

T_J

T_STG

Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.

Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A=25°C, unless otherwise specified)

PARAMETER

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITIONS

V_CB=30V, I_E=0

MIN TYP MAX UNIT

Collector Cut-Off Current

DC Current Gain

h_FE

V_CE=5.0V, I_C=2.0mA

I_C=10mA, I_B=0.5mA

110

800

250

MHz

Collector-Emitter Saturation Voltage

Collector-Base Saturation Voltage

Base-Emitter On Voltage

V_CE(SAT)

V_BE(SAT)

V_BE(ON)

I_C=100mA,I_B=5.0mA

I_C=10mA, I_B=0.5mA

200 600

700

I_C=100mA,I_B=5.0mA

V_CE=5.0V, I_C=2.0mA

V_CE=5.0V, I_C=10mA

V_CE=5.0V, I_C=10mA, f=100MHz

V_CB=10V, I_E=0, f=1.0MHz

V_EB=0.5V, I_C=0, f=1.0MHz

V_CE=5V, I_C=200μA,

900

580 660 700

720

300

Current Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

f_T

C_OB

C_IB

3.5

Input Capacitance

BC846/BC847/BC848

f=1KHz, R_G=2KΩ

BC849/BC850

Noise Figure

1.2

1.4

BC849

V_CE=5V, I_C=200μA,

R_G=2KΩ, f=30~15000Hz

BC850

CLASSIFICATION OF h_FE

RANK

RANGE

110-220

200-450

420-800

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

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QW-R206-027,G

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BC846-BC850

NPN SILICON TRANSISTOR

TYPICAL CHARACTERISTICS

Base-Emitter Saturation Voltage

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter on Voltage

V_CE=2V

10000

100

I_C=10I_B

V_BE(SAT)

1000

100

V_CE(sat)

0.1

100

1000

0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2

Collector Current, I_C(mA)

Base-Emitter Voltage, VBE(V)

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NPN SILICON TRANSISTOR

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other parameters) listed in products specifications of any and all UTC products described or contained

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BC848G产品参数

型号:	BC848G
生命周期：	Obsolete
IHS 制造商：	NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.55
其他特性：	LOW NOISE
集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	110
JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1
端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
Base Number Matches：	1

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