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    • BCV61C215图

    • 深圳市芯福林电子有限公司

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    • BCV61C215
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    • 批号23+ 
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    • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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    • BCV61C215
    • 数量865000 
    • 厂家NXP Semiconductors 
    • 封装原封装 
    • 批号最新批号 
    • 一级代理,原装特价现货！
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    • 0755-83225692 QQ:2881475757
    • BCV61C215图

    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • BCV61C215
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    • 厂家原厂品牌 
    • 封装原厂外观 
    • 批号 
    • 全新原装部分现货其他订货
    • QQ:2881493920QQ：2881493920 复制
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    • 0755-88608801多线 QQ:2881493920QQ:2881493921

    产品型号BCV61CQ62702-C2157的Datasheet PDF文件预览

    BCV 61  
    NPN Silicon Double Transistor  
    3
    • To be used as a current mirror  
    • Good thermal coupling and V matching  
    • High current gain  
    BE  
    4
    • Low collector-emitter saturation voltage  
    2
    C1 (2)  
    C2 (1)  
    Tr.2  
    1
    VPS05178  
    Tr.1  
    E1 (3)  
    E2 (4)  
    EHA00012  
    Type  
    Marking  
    1Js  
    1Ks  
    Pin Configuration  
    Package  
    BCV 61A  
    BCV 61B  
    BCV 61C  
    1 = C2 2 = C1 3 = E1 4 = E2 SOT-143  
    1 = C2 2 = C1 3 = E1 4 = E2 SOT-143  
    1 = C2 2 = C1 3 = E1 4 = E2 SOT-143  
    1Ls  
    Maximum Ratings  
    Parameter  
    Symbol  
    Value  
    Unit  
    Collector-emitter voltage  
    (transistor T1)  
    30  
    V
    V
    V
    V
    CEO  
    CBO  
    EBS  
    Collector-base voltage (open emitter)  
    (transistor T1)  
    30  
    Emitter-base voltage  
    DC collector current  
    6
    100  
    mA  
    I
    C
    Peak collector current  
    200  
    I
    CM  
    Base peak current (transistor T1)  
    200  
    I
    BM  
    300  
    150  
    mW  
    °C  
    Total power dissipation, T = 99 °C  
    Junction temperature  
    P
    tot  
    S
    T
    j
    Storage temperature  
    -65 ... 150  
    T
    stg  
    Thermal Resistance  
    1)  
    Junction ambient  
    K/W  
    R
    ≤240  
    ≤170  
    thJA  
    Junction - soldering point  
    R
    thJS  
    2
    1) Package mounted on pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 6cm Cu  
    1
    Sep-30-1999  
    BCV 61  
    Electrical Characteristics at T = 25°C, unless otherwise specified  
    A
    Parameter  
    Symbol  
    Values  
    typ.  
    Unit  
    min.  
    30  
    30  
    6
    max.  
    DC Characteristics of T1  
    Collector-emitter breakdown voltage  
    I = 10 mA, I = 0  
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    V
    V
    V
    V
    (BR)CEO  
    (BR)CBO  
    (BR)EBO  
    C
    B
    Collector-base breakdown voltage  
    I = 10 µA, I = 0  
    C
    B
    Emitter-base breakdown voltage  
    -
    I = 10 µA, I = 0  
    E
    C
    Collector cutoff current  
    = 30 V, I = 0  
    -
    15  
    5
    -
    nA  
    µA  
    -
    I
    CBO  
    V
    CB  
    E
    Collector cutoff current  
    = 30 V, I = 0 , T = 150 °C  
    -
    I
    CBO  
    V
    CB  
    E
    A
    DC current gain 1)  
    I = 0.1 mA, V = 5 V  
    100  
    h
    FE  
    C
    CE  
    DC current gain 1)  
    h
    FE  
    I = 2 mA, V = 5 V  
    110  
    200  
    420  
    180  
    290  
    520  
    220  
    450  
    800  
    BCV 61A  
    BCV 61B  
    BCV 61C  
    C
    CE  
    Collector-emitter saturation voltage1)  
    mV  
    V
    CEsat  
    BEsat  
    I = 10 mA, I = 0.5 mA  
    -
    -
    90  
    200  
    250  
    600  
    C
    B
    I = 100 mA, I = 5 mA  
    C
    B
    Base-emitter saturation voltage 1)  
    V
    V
    I = 10 mA, I = 0.5 mA  
    -
    -
    700  
    900  
    -
    -
    C
    B
    I = 100 mA, I = 5 mA  
    C
    B
    Base-emitter voltage 1)  
    BE(ON)  
    I = 2 mA, V = 5 V  
    580  
    -
    660  
    -
    700  
    770  
    C
    CE  
    I = 10 mA, V = 5 V  
    C
    CE  
    1) Pulse test: t ≤ 300µs, D = 2%  
    2
    Sep-30-1999  
    BCV 61  
    Electrical Characteristics at T = 25°C, unless otherwise specified.  
    A
    Parameter  
    Symbol  
    Values  
    Unit  
    min.  
    typ. max.  
    Characteristics  
    Base-emitter forward voltage  
    V
    -
    V
    BES  
    I = 10 µA  
    0.4  
    -
    -
    -
    -
    E
    I = 250 mA  
    1.8  
    E
    Matching of transistor T1 and transistor T2  
    I
    / I  
    C1 C2  
    at I = 0.5mA and V  
    = 5V  
    -
    -
    -
    -
    -
    E2  
    CE1  
    T = 25 °C  
    0.7  
    0.7  
    1.3  
    1.3  
    A
    T = 150 °C  
    A
    Thermal coupling of transistor T1 and  
    -
    5
    -
    mA  
    I
    E2  
    1)  
    transistor T2  
    T1: V = 5V  
    CE  
    Maximum current of thermal stability of I  
    C1  
    AC characteristics for transistor T1  
    Transition frequency  
    -
    -
    -
    -
    250  
    3
    -
    -
    -
    -
    MHz  
    pF  
    f
    T
    I = 10 mA, V = 5 V, f = 100 MHz  
    C
    CE  
    Collector-base capacitance  
    = 10 V, f = 1 MHz  
    C
    cb  
    V
    CB  
    Emitter-base capacitance  
    8
    C
    eb  
    V
    = 0.5 V, f = 1 MHz  
    EB  
    Noise figure  
    2
    dB  
    F
    h
    I = 200 µA, V = 5 V, R = 2 kΩ,  
    C
    CE  
    S
    f = 1 kHz, ∆ f = 200 Hz  
    Short-circuit input impedance  
    -
    4.5  
    2
    -
    kΩ  
    11e  
    I = 1 mA, V = 10 V, f = 1 kHz  
    C
    CE  
    -4  
    Open-circuit reverse voltage transf.ratio  
    -
    100  
    -
    -
    900  
    -
    10  
    h
    12e  
    I = 1 mA, V = 10 V, f = 1 kHz  
    C
    CE  
    Short-circuit forward current transf.ratio  
    -
    -
    h
    21e  
    I = 1 mA, V = 10 V, f = 1 kHz  
    C
    CE  
    Open-circuit output admittance  
    30  
    h
    µS  
    22e  
    I = 1 mA, V = 10 V, f = 1 kHz  
    C
    CE  
    1) Witout emitter resistor. Device mounted on alumina 15mm x 16.5mm x 0.7mm  
    3
    Sep-30-1999  
    BCV 61  
    Test circuit for current matching  
    A
    Ι C1  
    2
    1
    VCE1  
    Ι
    T1  
    T2  
    E2 = constant  
    ...  
    3
    4
    VCO  
    VCO  
    EHN00001  
    Note: Voltage drop at contacts: V  
    < 2/3 V = 16mV  
    T
    CO  
    Characteristic for determination of V  
    E2  
    at specified R range with  
    E
    CE1  
    I
    as parameter under condition of I /I = 1.3  
    C1 E2  
    A
    Ι C1  
    2
    1
    T2  
    4
    VCE1  
    Ι
    E2 = constant  
    T1  
    ...  
    3
    RE  
    RE  
    EHN00002  
    Note: BCV 61 with emitter resistors  
    4
    Sep-30-1999  
    BCV 61  
    Permissible pulse load  
    Total power dissipation P = f (T *;T )  
    tot  
    A
    S
    P
    / P  
    = f (t )  
    * Package mounted on epoxy  
    totmax  
    totDC  
    p
    BCV 61  
    EHP00940  
    BCV 61  
    EHP00942  
    103  
    5
    400  
    Ptotmax  
    PtotDC  
    t p  
    t p  
    T
    mW  
    300  
    P
    tot  
    D
    =
    T
    102  
    5
    D
    =
    0
    0.005  
    0.01  
    0.02  
    0.05  
    0.1  
    0.2  
    0.5  
    TS  
    200  
    100  
    0
    TA  
    101  
    5
    100  
    10-6 10-5 10-4 10-3 10-2  
    s
    100  
    0
    50  
    100  
    150  
    ˚C  
    TA;TS  
    t p  
    5
    Sep-30-1999  
    配单直通车
    BCV61T/R产品参数
    型号:BCV61T/R
    是否Rohs认证：符合
    生命周期：Active
    IHS 制造商：NEXPERIA
    包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
    Reach Compliance Code：compliant
    风险等级：5.62
    Is Samacsys：N
    外壳连接：COLLECTOR
    最大集电极电流 (IC)：0.1 A
    集电极-发射极最大电压：30 V
    配置：COMMON BASE, 2 ELEMENTS
    最小直流电流增益 (hFE)：110
    JESD-30 代码：R-PDSO-G4
    JESD-609代码：e3
    湿度敏感等级：1
    元件数量：2
    端子数量：4
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：SMALL OUTLINE
    峰值回流温度（摄氏度）：260
    极性/信道类型：NPN
    表面贴装：YES
    端子面层：Tin (Sn)
    端子形式：GULL WING
    端子位置：DUAL
    处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
    晶体管元件材料：SILICON
    标称过渡频率 (fT)：100 MHz
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
    • 型号 *
    • 数量*
    • 厂商
    • 封装
    • 批号
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