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    • 询价
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    • 北京元坤伟业科技有限公司

           该会员已使用本站17年以上

    • BCR08SA-12AT14#B10
    • 数量-
    • 厂家-
    • 封装-
    • 批号-
    • -
    • QQ:857273081QQ：857273081 复制
      QQ:1594462451QQ：1594462451 复制
    • 010-62104931、62106431、62104891、62104791 QQ:857273081QQ:1594462451
    更多
    • BCR08SA-12AT14#B10图

    • 深圳市芯福林电子有限公司

       该会员已使用本站15年以上
    • BCR08SA-12AT14#B10
    • 数量85000 
    • 厂家RENESAS/瑞萨 
    • 封装SOT89 
    • 批号23+ 
    • 真实库存全新原装正品！代理此型号
    • QQ:2881495753QQ：2881495753 复制
    • 0755-23605827 QQ:2881495753
    • BCR08SA-12AT14#B10图

    • 深圳市得捷芯城科技有限公司

       该会员已使用本站11年以上
    • BCR08SA-12AT14#B10
    • 数量11250 
    • 厂家RENESAS/瑞萨 
    • 封装NA/ 
    • 批号23+ 
    • 原装现货，当天可交货，原型号开票
    • QQ:3007977934QQ：3007977934 复制
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    • 0755-82546830 QQ:3007977934QQ:3007947087
    • BCR08SA-12AT14#B10图

    • 深圳市惊羽科技有限公司

       该会员已使用本站11年以上
    • BCR08SA-12AT14#B10
    • 数量18800 
    • 厂家RENESAS-瑞萨 
    • 封装SOT-89-3 
    • 批号▉▉：2年内 
    • ▉▉￥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
    • QQ:43871025QQ：43871025 复制
    • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
    • BCR08SA-12AT14#B10图

    • 深圳市华芯盛世科技有限公司

       该会员已使用本站13年以上
    • BCR08SA-12AT14#B10
    • 数量865000 
    • 厂家RENESAS/瑞萨 
    • 封装SOT89 
    • 批号最新批号 
    • 一级代理,原装特价现货！
    • QQ:2881475757QQ：2881475757 复制
    • 0755-83225692 QQ:2881475757
    • BCR08SA-12AT14#B10图

    • 华富芯（深圳）智能科技有限公司

       该会员已使用本站7年以上
    • BCR08SA-12AT14#B10
    • 数量15000 
    • 厂家RENESAS/瑞萨 
    • 封装SOT89 
    • 批号22+ 
    • 大量原装正品现货热卖，价格优势，支持实单
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    • 0755-23482780 QQ:1912486771

    产品型号BCR10的Datasheet PDF文件预览

    BCR 10PN  
    NPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array  
    • Switching circuit, inverter, interface circuit,  
    drive circuit  
    • Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP  
    Transistor in one package  
    Ω
    Ω
    • Built in bias resistor (R =10k , R =10k )  
    1
    2
    Tape loading orientation  
    Type  
    Marking Ordering Code Pin Configuration  
    Package  
    BCR 10PN W1s  
    Q62702-C2411 1=E1 2= B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363  
    Maximum Ratings  
    Parameter  
    Symbol  
    Values  
    Unit  
    Collector-emitter voltage  
    Collector-base voltage  
    Emitter-base voltage  
    Input on Voltage  
    V
    CEO  
    V
    CBO  
    V
    EBO  
    V
    i(on)  
    50  
    V
    50  
    10  
    20  
    DC collector current  
    I
    100  
    mA  
    mW  
    °C  
    C
    Total power dissipation, T = 115°C  
    P
    250  
    S
    tot  
    j
    Junction temperature  
    Storage temperature  
    T
    T
    150  
    - 65 ... + 150  
    stg  
    Thermal Resistance  
    1)  
    ≤
    Junction ambient  
    R
    R
    275  
    K/W  
    thJA  
    Junction - soldering point  
    ≤ 140  
    thJS  
    1) Package mounted on pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 0.5cm2 Cu  
    Semiconductor Group  
    1
    Nov-26-1996  
    BCR 10PN  
    Electrical Characteristics at T =25°C, unless otherwise specified  
    A
    Parameter  
    Symbol  
    Values  
    typ.  
    Unit  
    min.  
    max.  
    DC Characteristics  
    Collector-emitter breakdown voltage  
    V
    V
    V
    (BR)CEO  
    (BR)CBO  
    CBO  
    I = 100 µA, I = 0  
    50  
    50  
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    C
    B
    Collector-base breakdown voltage  
    I = 10 µA, I = 0  
    -
    C
    B
    Collector cutoff current  
    = 40 V, I = 0  
    I
    I
    nA  
    mA  
    -
    V
    CB  
    100  
    0.75  
    -
    E
    Emitter cutoff current  
    = 10 V, I = 0  
    EBO  
    V
    EB  
    -
    C
    DC current gain  
    I = 5 mA, V = 5 V  
    h
    FE  
    30  
    -
    C
    CE  
    Collector-emitter saturation voltage 1)  
    I = 10 mA, I = 0.5 mA  
    V
    V
    V
    V
    CEsat  
    i(off)  
    0.3  
    1.5  
    C
    B
    Input off voltage  
    I = 100 µA, V = 5 V  
    0.8  
    C
    CE  
    Input on Voltage  
    I = 2 mA, V = 0.3 V  
    i(on)  
    1
    -
    2.5  
    13  
    C
    CE  
    Ω
    Input resistor  
    Resistor ratio  
    R
    7
    10  
    1
    k
    -
    1
    R /R  
    0.9  
    1.1  
    1
    2
    AC Characteristics for NPN Type  
    Transition frequency  
    f
    MHz  
    pF  
    T
    I = 10 mA, V = 5 V, f = 100 MHz  
    -
    -
    130  
    3
    -
    -
    C
    CE  
    Collector-base capacitance  
    = 10 V, f = 1 MHz  
    C
    cb  
    V
    CB  
    1) Pulse test: t < 300µs; D < 2%  
    Semiconductor Group  
    2
    Nov-26-1996  
    BCR 10PN  
    NPN TYPE  
    DC Current Gain h = f (I )  
    Collector-Emitter Saturation Voltage  
    V = f(I ), h = 20  
    CEsat  
    FE  
    C
    V
    CE  
    = 5V (common emitter configuration)  
    C
    FE  
    10 2  
    10 3  
    -
    hFE  
    IC  
    V
    10 2  
    10 1  
    10 0  
    10 1  
    10 0  
    10 -1  
    10 0  
    10 1  
    mA  
    IC  
    0.0  
    0.2  
    0.4  
    0.6  
    V
    1.0  
    VCEsat  
    Input on Voltage V  
    = f(I )  
    Input off voltage V = f(I )  
    i(off) C  
    i(on)  
    C
    V
    CE  
    = 0.3V (common emitter configuration)  
    V
    CE  
    = 5V (common emitter configuration)  
    10 2  
    mA  
    10 1  
    mA  
    IC  
    IC  
    10 1  
    10 0  
    10 -1  
    10 0  
    10 -1  
    10 -2  
    10 -1  
    10 0  
    10 1  
    V
    0.0  
    0.5  
    1.0  
    1.5  
    2.0  
    V
    3.0  
    Vi(on)  
    Vi(off)  
    Semiconductor Group  
    3
    Nov-26-1996  
    BCR 10PN  
    PNP TYPE  
    DC Current Gain h = f (I )  
    Collector-Emitter Saturation Voltage  
    V = f(I ), h = 20  
    CEsat  
    FE  
    C
    V
    CE  
    = 5V (common emitter configuration)  
    C
    FE  
    10 2  
    10 3  
    -
    hFE  
    IC  
    mA  
    10 2  
    10 1  
    10 0  
    10 1  
    10 0  
    10 -1  
    10 0  
    10 1  
    mA  
    IC  
    0.0  
    0.2  
    0.4  
    0.6  
    V
    1.0  
    VCEsat  
    Input on Voltage V  
    = f(I )  
    Input off voltage V = f(I )  
    i(off) C  
    i(on)  
    C
    V
    CE  
    = 0.3V (common emitter configuration)  
    V
    CE  
    = 5V (common emitter configuration)  
    10 2  
    mA  
    10 1  
    mA  
    IC  
    IC  
    10 1  
    10 0  
    10 -1  
    10 0  
    10 -1  
    10 -2  
    10 -1  
    10 0  
    10 1  
    V
    0.0  
    0.5  
    1.0  
    1.5  
    V
    2.5  
    Vi(on)  
    Vi(off)  
    Semiconductor Group  
    4
    Nov-26-1996  
    BCR 10PN  
    Total power dissipation P = f (T *;T )  
    tot  
    A
    S
    * Package mounted on epoxy  
    300  
    mW  
    Ptot  
    TS  
    TA  
    200  
    150  
    100  
    50  
    0
    0
    20  
    40  
    60  
    80  
    100 120 °C 150  
    TA,TS  
    Permissible Pulse Load R  
    = f(t )  
    Permissible Pulse Load P  
    / P = f(t )  
    totDC p  
    thJS  
    p
    totmax  
    10 3  
    K/W  
    10 3  
    -
    RthJS  
    10 2  
    Ptotmax/PtotDC  
    D = 0  
    0.005  
    0.01  
    0.02  
    0.05  
    0.1  
    10 2  
    10 1  
    10 0  
    10 1  
    0.2  
    0.5  
    0.5  
    0.2  
    0.1  
    0.05  
    0.02  
    0.01  
    0.005  
    D = 0  
    10 0  
    10 -1  
    10 -6  
    10 -5  
    10 -4  
    10 -3  
    10 -2  
    10 -1 s 10 0  
    tp  
    10 -6  
    10 -5  
    10 -4  
    10 -3  
    10 -2  
    10 -1 s 10 0  
    tp  
    Semiconductor Group  
    5
    Nov-26-1996  
    配单直通车
    BCR1/101002FT产品参数
    型号:BCR1/101002FT
    是否Rohs认证： 不符合
    生命周期：Obsolete
    包装说明：SMT, 0805
    Reach Compliance Code：unknown
    ECCN代码：EAR99
    HTS代码：8533.21.00.30
    风险等级：5.38
    JESD-609代码：e0
    制造商序列号：BCR
    安装特点：SURFACE MOUNT
    端子数量：2
    最高工作温度：125 °C
    最低工作温度：-55 °C
    封装高度：0.5 mm
    封装长度：2 mm
    封装形状：RECTANGULAR PACKAGE
    封装形式：SMT
    封装宽度：1.25 mm
    包装方法：TR, PAPER, 7/13 INCH
    额定功率耗散 (P)：0.125 W
    额定温度：70 °C
    电阻：10000 Ω
    电阻器类型：FIXED RESISTOR
    系列：BCR1/10
    尺寸代码：0805
    子类别：Fixed Resistors
    表面贴装：YES
    技术：METAL GLAZE/THICK FILM
    温度系数：100 ppm/ °C
    端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
    端子形状：WRAPAROUND
    容差：1%
    工作电压：150 V
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
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