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产品型号BCR198E7874的概述

芯片BCR198E7874概述 BCR198E7874是一款专为照明应用设计的集成电路,主要用于驱动LED和其它类型的照明设备。作为一个高效能的LED驱动器,BCR198E7874具有优越的电流调节能力和较高的转换效率,其设计理念致力于满足现代照明需求的同时降低能耗。BCR198E7874芯片在市场上的广泛应用得益于其提供的多种功能及优势,使其成为工程师和设计师的理想选择。 BCR198E7874详细参数 - 最大输入电压(Vin): 60V - 输出电流(Io): 1A - PWM调制频率: 1kHz to 30kHz - 导通电压(Vf): 0.3V - 工作温度范围: -40°C至+125°C - 封装类型: TO-220, DPAK - 效率: 高达90% - 输出电压范围: 2.5V - 50V - 调光功能: 支持PWM调光 BCR198E7874芯片采用了晶体管与集成电路...

产品型号BCR198F的Datasheet PDF文件预览

BCR198.../SEMB2  
PNP Silicon Digital Transistor  
Switching circuit, inverter, interface circuit,  
driver circuit  
Built in bias resistor (R1 = 47k, R2 = 47k)  
For 6-PIN packages: two (galvanic) internal  
isolated transistors with good matching  
in one package  
BCR198/F/L3  
BCR198T/W  
BCR198S  
SEMB2  
C
C1  
B2  
E2  
3
6
5
4
R2  
R1  
R1  
TR2  
TR1  
R1  
R2  
R2  
1
2
3
1
2
E1  
B1  
C2  
B
E
EHA07173  
EHA07183  
Type  
Marking  
Pin Configuration  
Package  
BCR198  
WRs  
WRs  
WR  
WRs  
WRs  
WRs  
WR  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT363  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
SOT23  
TSFP-3  
TSLP-3-4  
BCR198F  
BCR198L3  
BCR198S  
BCR198T  
BCR198W  
SEMB2  
-
-
-
-
-
-
SC75  
SOT323  
1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT666  
Jun-16-2004  
1
BCR198.../SEMB2  
Maximum Ratings  
Parameter  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Input on voltage  
Symbol  
Value  
50  
50  
Unit  
V
V
V
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
i(on)  
10  
50  
70  
mA  
Collector current  
I
C
mW  
Total power dissipation-  
P
tot  
BCR198, T 102°C  
200  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
S
BCR198F, T 128°C  
S
BCR198L3, T 135°C  
S
BCR198S, T 115°C  
S
BCR198T, T 109°C  
S
BCR198W, T 124°C  
S
SEMB2, T 75°C  
S
150  
°C  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
j
T
-65 ... 150  
stg  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction - soldering point  
Symbol  
Value  
Unit  
K/W  
1)  
R
thJS  
BCR198  
240  
90  
60  
140  
165  
124  
300  
BCR198F  
BCR198L3  
BCR198S  
BCR198T  
BCR198W  
SEMB2  
1
For calculation of R  
thJA  
please refer to Application Note Thermal Resistance  
Jun-16-2004  
2
BCR198.../SEMB2  
Electrical Characteristics at T = 25°C, unless otherwise specified  
A
Parameter  
Symbol  
Values  
typ. max.  
Unit  
min.  
DC Characteristics  
Collector-emitter breakdown voltage  
50  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
CBO  
I = 100 µA, I = 0  
C
B
Collector-base breakdown voltage  
I = 10 µA, I = 0  
50  
-
C
E
Collector-base cutoff current  
= 40 V, I = 0  
I
I
100 nA  
164 µA  
V
CB  
E
-
Emitter-base cutoff current  
EBO  
V
= 10 V, I = 0  
EB  
C
1)  
70  
-
-
-
DC current gain  
h
FE  
I = 5 V, V = 5 V  
Collector-emitter saturation voltage  
I = 10 mA, I = 0,5 mA  
C
CE  
1)  
V
V
V
0,3  
1,5  
3
V
CEsat  
i(off)  
C
B
Input off voltage  
I = 100 µA, V = 5 V  
0,8  
1
C
CE  
Input on voltage  
I = 2 mA, V = 0,3 V  
i(on)  
C
CE  
Input resistor  
Resistor ratio  
R
R /R  
32  
0,9  
47  
1
62  
1,1  
kΩ  
1
-
1
2
AC Characteristics  
Transition frequency  
-
-
190  
3
-
-
MHz  
pF  
f
T
I = 10 mA, V = 5 V, f = 100 MHz  
C
CE  
Collector-base capacitance  
= 10 V, f = 1 MHz  
C
cb  
V
CB  
1
Pulse test: t < 300µs; D < 2%  
Jun-16-2004  
3
BCR198.../SEMB2  
DC current gain h = ƒ(I )  
Collector-emitter saturation voltage  
FE  
C
V
= 5 V (common emitter configuration)  
V
= ƒ(I ), h = 20  
CE  
CEsat C FE  
10 2  
10 3  
-
mA  
10 2  
10 1  
10 1  
10 0  
10 0  
10 -1  
10 0  
10 1  
10 2  
0
0.2  
0.4  
0.6  
1
mA  
V
I
V
CEsat  
C
Input on Voltage Vi  
= ƒ(I )  
Input off voltage V  
= ƒ(I )  
i(off) C  
(on)  
C
V
= 0.3V (common emitter configuration)  
V
= 5V (common emitter configuration)  
CE  
CE  
10 1  
10 2  
mA  
mA  
10 0  
10 1  
10 -1  
10 -2  
10 -3  
10 0  
10 -1  
10 -1  
10 0  
10 1  
10 2  
0
1
2
3
5
V
V
V
V
i(off)  
i(on)  
Jun-16-2004  
4
BCR198.../SEMB2  
Total power dissipation P = ƒ(T )  
Total power dissipation P = ƒ(T )  
tot S  
tot  
S
BCR198  
BCR198F  
300  
mW  
300  
mW  
200  
150  
100  
50  
200  
150  
100  
50  
0
0
0
0
°C  
°C  
20  
40  
60  
80  
100 120  
150  
20  
40  
60  
80  
100 120  
150  
T
T
S
S
Total power dissipation P = ƒ(T )  
Total power dissipation P = ƒ(T )  
tot S  
tot  
S
BCR198L3  
BCR198S  
300  
mW  
300  
mW  
200  
150  
100  
50  
200  
150  
100  
50  
0
0
0
0
°C  
°C  
20  
40  
60  
80  
100 120  
150  
20  
40  
60  
80  
100 120  
150  
T
T
S
S
Jun-16-2004  
5
BCR198.../SEMB2  
Total power dissipation P = ƒ(T )  
Total power dissipation P = ƒ(T )  
tot S  
tot  
S
BCR198T  
BCR198W  
300  
mW  
300  
mW  
200  
150  
100  
50  
200  
150  
100  
50  
0
0
0
0
°C  
°C  
20  
40  
60  
80  
100 120  
150  
20  
40  
60  
80  
100 120  
150  
T
T
S
S
Total power dissipation P = ƒ(T )  
tot  
S
SEMB2  
300  
mW  
200  
150  
100  
50  
0
0
°C  
20  
40  
60  
80  
100 120  
150  
T
S
Jun-16-2004  
6
BCR198.../SEMB2  
Permissible Pulse Load R  
BCR198  
= ƒ(t )  
Permissible Pulse Load  
P /P = ƒ(t )  
totmax totDC  
thJS  
p
p
BCR198  
10 3  
K/W  
10 3  
-
10 2  
D = 0  
0.005  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
10 2  
10 1  
0.5  
0.2  
0.2  
0.5  
0.1  
10 1  
0.05  
0.02  
0.01  
0.005  
D = 0  
10 0  
10 -1  
10 0  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
s
s
t
t
p
p
Permissible Puls Load R  
BCR198F  
= ƒ (t )  
Permissible Pulse Load  
P /P = ƒ(t )  
totmax totDC  
thJS  
p
p
BCR198F  
10 3  
K/W  
10 3  
10 2  
10 2  
D=0  
0.005  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
10 1  
D=0.5  
0.2  
0.2  
0.1  
0.5  
10 1  
0.05  
0.02  
0.01  
0.005  
0
10 0  
10 -1  
10 0  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
s
s
t
t
p
p
Jun-16-2004  
7
BCR198.../SEMB2  
Permissible Puls Load R  
BCR198L3  
= ƒ (t )  
Permissible Pulse Load  
P /P = ƒ(t )  
totmax totDC  
thJS  
p
p
BCR198L3  
10 2  
10 1  
10 0  
10 -1  
10 3  
D = 0  
0.005  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
10 2  
10 1  
10 0  
0.5  
0.2  
0.2  
0.1  
0.5  
0.05  
0.02  
0.01  
0.005  
D = 0  
10 -7 10 -6 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2  
10 0  
10 -7 10 -6 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2  
10 0  
s
s
t
t
p
p
Permissible Puls Load R  
BCR198S  
= ƒ (t )  
Permissible Pulse Load  
P /P = ƒ(t )  
totmax totDC  
thJS  
p
p
BCR198S  
10 3  
K/W  
10 3  
-
10 2  
10 1  
10 0  
10 -1  
D = 0  
0.005  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
10 2  
0.5  
0.2  
0.2  
0.5  
0.1  
10 1  
0.05  
0.02  
0.01  
0.005  
D = 0  
10 0  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
s
s
t
t
p
p
Jun-16-2004  
8
BCR198.../SEMB2  
Permissible Puls Load R  
BCR198T  
= ƒ (t )  
Permissible Pulse Load  
P /P = ƒ(t )  
totmax totDC  
thJS  
p
p
BCR198T  
10 3  
K/W  
10 3  
10 2  
D=0  
0.005  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
10 2  
10 1  
D=0.5  
0.2  
0.2  
0.5  
0.1  
10 1  
0.05  
0.02  
0.01  
0.005  
0
10 0  
10 -1  
10 0  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
s
s
t
t
p
p
Permissible Puls Load R  
BCR133W  
= ƒ (t )  
Permissible Pulse Load  
P /P = ƒ(t )  
totmax totDC  
thJS  
p
p
BCR198W  
10 3  
K/W  
10 3  
-
10 2  
10 1  
10 0  
10 -1  
D = 0  
10 2  
0.005  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
0.5  
0.2  
0.2  
0.5  
0.1  
10 1  
0.05  
0.02  
0.01  
0.005  
D = 0  
10 0  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
s
s
t
t
p
p
Jun-16-2004  
9
BCR198.../SEMB2  
Permissible Puls Load R  
SEMB2  
= ƒ (t )  
Permissible Pulse Load  
P /P = ƒ(t )  
totmax totDC  
thJS  
p
p
SEMB2  
10 3  
K/W  
10 3  
10 2  
10 1  
10 0  
10 -1  
10 2  
10 1  
10 0  
D = 0  
0.005  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
0.5  
0.2  
0.1  
0.05  
0.02  
0.01  
0.005  
D = 0  
0.2  
0.5  
10 -7 10 -6 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2  
10 0  
10 -7 10 -6 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2  
10 0  
s
s
t
t
p
p
Jun-16-2004  
10  
配单直通车
BCR198F产品参数
型号:BCR198F
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:INFINEON TECHNOLOGIES AG
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.68
Is Samacsys:N
其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):70
JESD-30 代码:R-PDSO-F3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.25 W
认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Small Signal
表面贴装:YES
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):190 MHz
Base Number Matches:1
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