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产品型号BCR571的Datasheet PDF文件预览

BCR 571  
PNP Silicon Digital Transistor  
• Switching circuit, inverter, interface circuit,  
driver circuit  
• Built in bias resistor (R =1k , R =1k )  
1
2
Type  
Marking Ordering Code  
XXs  
Pin Configuration  
Package  
BCR 571  
UPON INQUIRY 1 = B  
2 = E  
3 = C  
SOT-23  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Input on Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
V
i(on)  
50  
V
50  
5
10  
DC collector current  
I
500  
mA  
mW  
°C  
C
Total power dissipation, T = 79 °C  
P
330  
S
tot  
j
Junction temperature  
Storage temperature  
T
T
150  
- 65 ... + 150  
stg  
Thermal Resistance  
1)  
Junction ambient  
R
R
325  
215  
K/W  
thJA  
Junction - soldering point  
thJS  
1) Package mounted on pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 6cm2 Cu  
Semiconductor Group  
1
Nov-27-1996  
BCR 571  
Electrical Characteristics at T =25°C, unless otherwise specified  
A
Parameter  
Symbol  
Values  
typ.  
Unit  
min.  
max.  
DC Characteristics  
Collector-emitter breakdown voltage  
V
V
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
CBO  
I = 100 µA, I = 0  
50  
50  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
C
B
Collector-base breakdown voltage  
I = 10 µA, I = 0  
-
C
B
Collector cutoff current  
= 40 V, I = 0  
I
I
nA  
mA  
-
V
CB  
100  
3.75  
-
E
Emitter cutoff current  
= 5 V, I = 0  
EBO  
V
EB  
-
C
DC current gain  
I = 50 mA, V = 5 V  
h
FE  
20  
-
C
CE  
Collector-emitter saturation voltage 1)  
I = 50 mA, I = 2.5 mA  
V
V
V
V
CEsat  
i(off)  
0.3  
1.5  
C
B
Input off voltage  
I = 100 µA, V = 5 V  
0.6  
C
CE  
Input on Voltage  
i(on)  
I = 10 mA, V = 0.3 V  
1
-
1.8  
1.3  
1.1  
C
CE  
Input resistor  
R
0.7  
0.9  
1
1
k
-
1
Resistor ratio  
R /R  
1 2  
AC Characteristics  
Transition frequency  
f
MHz  
T
I = 50 mA, V = 5 V, f = 100 MHz  
-
150  
-
C
CE  
µ
1) Pulse test: t < 300 s; D < 2%  
Semiconductor Group  
2
Nov-27-1996  
BCR 571  
DC Current Gain h = f (I )  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
V = f(I ), h = 20  
CEsat  
FE  
C
V
CE  
= 5V (common emitter configuration)  
C
FE  
10 3  
10 3  
-
hFE  
IC  
10 2  
10 1  
10 0  
10 -1  
mA  
10 2  
10 1  
10 -1  
10 0  
10 1  
10 2  
mA  
IC  
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8  
V
1.0  
VCEsat  
Input on Voltage V  
= f(I )  
Input off voltage V = f(I )  
i(off) C  
i(on)  
C
V
CE  
= 0.3V (common emitter configuration)  
V
CE  
= 5V (common emitter configuration)  
10 3  
mA  
10 1  
IC  
IC  
10 2  
10 1  
10 0  
10 -1  
mA  
10 0  
10 -1  
10 -1  
10 0  
10 1  
V
0.0  
0.5  
1.0  
V
2.0  
Vi(on)  
Vi(off)  
Semiconductor Group  
3
Nov-27-1996  
BCR 571  
Total power dissipation P = f (T *;T )  
tot  
A
S
* Package mounted on epoxy  
400  
mW  
Ptot  
TS  
300  
250  
200  
150  
100  
TA  
50  
0
0
20  
40  
60  
80  
100 120 °C 150  
TA,TS  
Permissible Pulse Load R  
= f(t )  
Permissible Pulse Load P  
/ P = f(t )  
totDC p  
thJS  
p
totmax  
10 3  
K/W  
10 4  
-
RthJS  
10 2  
Ptotmax/PtotDC  
10 3  
D = 0  
0.005  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
10 1  
10 2  
10 1  
10 0  
0.2  
0.5  
0.5  
0.2  
0.1  
0.05  
0.02  
0.01  
0.005  
D = 0  
10 0  
10 -1  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 -1 s 10 0  
tp  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 -1 s 10 0  
tp  
Semiconductor Group  
4
Nov-27-1996  
配单直通车
BCR571产品参数
型号:BCR571
生命周期:Transferred
IHS 制造商:SIEMENS A G
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.55
Is Samacsys:N
其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):20
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP
功耗环境最大值:0.33 W
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):150 MHz
VCEsat-Max:0.3 V
Base Number Matches:1
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