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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市三得电子有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市迈锐达科技有限公司

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  • 深圳市婷轩实业有限公司

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  • 深圳市富莱微科技有限公司

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  • 厂家ON Semiconductor 
  • 封装TO-225AA, TO-126-3 
  • 批号20+ 
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  • 深圳市鹏睿康科技有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 万三科技 秉承原装 实单可议
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  • 深圳市惠诺德电子有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 厂家onsemi(安森美) 
  • 封装TO-225-3 
  • 批号23+ 
  • 支持实单/只做原装
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  • 深圳市凯信扬科技有限公司

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  • 厂家FAIRCHILDSEMICONDUCTOR 
  • 封装NA 
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  • ▲▲▲诚信经营,服务至上,十年专注▲▲▲
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  • 北京云中青城科技有限公司

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  • 数量6000 
  • 厂家FAIRCHI 
  • 封装TO-126 
  • 批号20+ 
  • 只做原装.诚信经营
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产品型号BD675A的概述

芯片BD675A概述 BD675A是一款广泛应用于音频放大器领域的集成电路(IC),尤其适用于低功耗和高性能的音频应用场景。该芯片的设计目标是在提供高增益和良好线性度的同时,保持较低的失真水平。BD675A主要用于功率放大器(PA)、家庭音响系统、电视机、车载音响等场合,以满足不同用户对音频质量的高要求。其核心优势在于兼容性强,适应多种电源配置及负载特性,使得其在市场中得到了广泛应用。 芯片BD675A的详细参数 BD675A的电气特性相对较为优越,尤其在音频放大领域。以下是该芯片的主要参数: - 供电电压(Vcc):通常在10V到30V之间,具体取决于应用需求。 - 输出功率:在负载为4Ω的情况下,BD675A可提供高达10W的输出功率。 - 增益(Voltage Gain):增益标准在20V/V至40V/V之间,具有较高信号放大能力。 - 频响(Frequency Response...

产品型号BD675A的Datasheet PDF文件预览

BD675A/677A/679A/681  
Medium Power Linear and Switching  
Applications  
Medium Power Darlington TR  
Complement to BD676A, BD678A, BD680A and BD682 respectively  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
: BD675A  
45  
60  
80  
V
V
V
V
CBO  
: BD677A  
: BD679A  
: BD681  
100  
V
V
: BD675A  
: BD677A  
: BD679A  
: BD681  
45  
60  
80  
V
V
V
V
CEO  
EBO  
100  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
5
V
A
I
I
I
4
6
C
A
CP  
B
100  
mA  
W
°C  
°C  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
40  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
V
(sus) *Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: BD675A  
: BD677A  
: BD679A  
: BD681  
I
= 50mA, I = 0  
45  
60  
80  
V
V
V
V
C
B
100  
I
I
I
Collector-Base Voltage : BD675A  
V
V
V
V
= 45V, I = 0  
200  
200  
200  
200  
µA  
µA  
µA  
µA  
CBO  
CEO  
EBO  
CB  
CB  
CB  
CB  
E
: BD677A  
: BD679A  
: BD681  
= 60V, I = 0  
E
= 80V, I = 0  
E
= 100V, V = 0  
BE  
Collector Cut-off Current : BD675A  
V
V
V
V
= 45V, V = 0  
500  
500  
500  
500  
µA  
µA  
µA  
µA  
CE  
CE  
CE  
CE  
BE  
: BD677A  
: BD679A  
: BD681  
= 60V, V = 0  
BE  
= 80V, V = 0  
BE  
= 100V, V = 0  
BE  
Emitter Cut-off Current  
V
= 5V, I = 0  
2
mA  
EB  
C
h
* DC Current Gain  
: BD675A/677A/679A  
: BD681  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
: BD675A/677A/679A  
V
V
= 3V, I = 2A  
750  
750  
FE  
CE  
CE  
C
= 3V, I = 1.5A  
C
V
V
(sat)  
(on)  
CE  
I
I
= 2A, I = 40mA  
2.8  
2.5  
V
V
C
C
B
: BD681  
= 1.5A, I = 30mA  
B
* Base-Emitter ON Voltage : BD675A/677A/679A  
: BD681  
V
V
= 3V, I = 2A  
2.5  
2.5  
V
V
BE  
CE  
CE  
C
= 3V, I = 1.5A  
C
* Pulse Test: PW=300µs, duty Cycle=1.5% Pulsed  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
Typical Characteristics  
10000  
Ic = 250 IB  
2.4  
2.0  
1.6  
1.2  
0.8  
0.4  
0.0  
VCE = 3V  
1000  
100  
0.1  
1
10  
0.1  
1
10  
IC[A], COLLECTOR CURRENT  
IC[A], COLLECTOR CURRENT  
Figure 1. DC current Gain  
Figure 2. Collector-Emitter Saturation Voltage  
10  
4.0  
3.8  
3.6  
3.4  
3.2  
3.0  
2.8  
2.6  
2.4  
2.2  
2.0  
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.0  
VCE = 3V  
IC(max). Pulsed  
10µs  
IC(max). Continuous  
100µs  
1
1ms  
BD675A  
BD677A  
BD679A  
10ms  
BD681  
0.1  
1
10  
100  
1000  
0.0 0.5 01.0 11.5 2.0  
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE  
VBE[V], BASE-EMITTER VOLTAGE  
Figure 3. Base-Emitter On Voltage  
Figure 4. Safe Operating Area  
50  
40  
30  
20  
10  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
200  
TC[oC], CASE TEMPERATURE  
Figure 5. Power Derating  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
Package Demensions  
TO-126  
8.00 ±0.30  
3.25 ±0.20  
ø3.20 ±0.10  
(1.00)  
(0.50)  
0.75 ±0.10  
1.75 ±0.20  
1.60 ±0.10  
0.75 ±0.10  
#1  
+0.10  
–0.05  
0.50  
2.28TYP  
[2.28±0.20]  
2.28TYP  
[2.28±0.20]  
Dimensions in Millimeters  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
TRADEMARKS  
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not intended to be an exhaustive list of all such trademarks.  
ACEx™  
HiSeC™  
SuperSOT™-8  
SyncFET™  
TinyLogic™  
UHC™  
Bottomless™  
CoolFET™  
CROSSVOLT™  
E2CMOS™  
FACT™  
ISOPLANAR™  
MICROWIRE™  
POP™  
PowerTrench®  
QFET™  
VCX™  
FACT Quiet Series™  
QS™  
FAST®  
Quiet Series™  
SuperSOT™-3  
SuperSOT™-6  
FASTr™  
GTO™  
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LIFE SUPPORT POLICY  
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DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  
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1. Life support devices or systems are devices or systems  
which, (a) are intended for surgical implant into the body,  
or (b) support or sustain life, or (c) whose failure to perform  
when properly used in accordance with instructions for use  
provided in the labeling, can be reasonably expected to  
result in significant injury to the user.  
2. A critical component is any component of a life support  
device or system whose failure to perform can be  
reasonably expected to cause the failure of the life support  
device or system, or to affect its safety or effectiveness.  
PRODUCT STATUS DEFINITIONS  
Definition of Terms  
Datasheet Identification  
Product Status  
Definition  
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Formative or In  
Design  
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any manner without notice.  
Preliminary  
First Production  
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Fairchild Semiconductor reserves the right to make  
changes at any time without notice in order to improve  
design.  
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Obsolete  
Full Production  
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Not In Production  
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that has been discontinued by Fairchild semiconductor.  
The datasheet is printed for reference information only.  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. E  
配单直通车
BD675A产品参数
型号:BD675A
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:NORTH AMERICAN PHILIPS DISCRETE PRODUCTS DIV
包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.89
最大集电极电流 (IC):4 A
配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):750
JESD-609代码:e0
最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):40 W
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT):10 MHz
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