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  • 深圳市中杰盛科技有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 首天国际(深圳)集团有限公司

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  • 昂富(深圳)电子科技有限公司

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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • ▉▉¥3.8元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • 深圳市婷轩实业有限公司

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  • 深圳市富莱微科技有限公司

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  • 上海意淼电子科技有限公司

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  • 深圳市鹏睿康科技有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 万三科技 秉承原装 实单可议
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  • 深圳市凯睿晟科技有限公司

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  • 百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
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  • 深圳市惠诺德电子有限公司

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  • 封装TRANS PNP 45V 1.5A TO126-3 
  • 批号21+ 
  • 只做原装现货代理
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  • 深圳市特拉特科技有限公司

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  • 只做原装公司现货一级代理销售
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  • 深圳市宇川湘科技有限公司

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  • 北京云中青城科技有限公司

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  • 深圳市瑞天芯科技有限公司

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  • 华富芯(深圳)智能科技有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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产品型号BD13616STU的概述

芯片BD13616STU的概述 BD13616STU是一款集成电路芯片,广泛应用于无线通信和音频处理等领域。该芯片由知名的半导体制造商提供,旨在满足现代电子设备对于高性能和高集成度的需求。BD13616STU具有较高的工作频率、低功耗的特性,使其成为各种应用的理想选择。尤其是在蓝牙和Wi-Fi模块中,其性能表现尤为突出。 BD13616STU的设计考虑到了现代市场对于小型化、高效能和多功能的需求。在移动设备和智能家居设备逐渐普及的背景下,该芯片的采用帮助产品更好地实现无缝连接,为用户提供更为优质的使用体验。许多开发者选择BD13616STU芯片作为其产品的核心组件,以提升产品的整体性能和竞争力。 芯片BD13616STU的详细参数 BD13616STU的主要技术参数如下: 1. 工作电压:通常在3.0V至5.5V之间,可以满足多种工作环境的需求。 2. 工作频率:支持高频信号处理,能够...

产品型号BD13616STU的Datasheet PDF文件预览

BD136/138/140  
Medium Power Linear and Switching  
Applications  
Complement to BD135, BD137 and BD139 respectively  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
: BD136  
: BD138  
: BD140  
- 45  
- 60  
- 80  
V
V
V
CBO  
: BD136  
: BD138  
: BD140  
- 45  
- 60  
- 80  
V
V
V
CEO  
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
- 5  
- 1.5  
V
A
EBO  
I
I
C
- 3.0  
A
CP  
B
I
- 0.5  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
12.5  
W
W
°C  
°C  
C
C
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
1.25  
C
a
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: BD136  
: BD138  
: BD140  
I = - 30mA, I = 0  
- 45  
- 60  
- 80  
V
V
V
C
B
I
I
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= - 30V, I = 0  
- 0.1  
- 10  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
E
V
= - 5V, I = 0  
C
EB  
h
h
h
V
V
V
= - 2V, I = - 5mA  
25  
25  
40  
FE1  
FE2  
FE3  
CE  
CE  
CE  
C
= - 2V, I = - 0.5A  
C
= - 2V, I = - 150mA  
250  
- 0.5  
- 1  
C
V
V
(sat)  
(on)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter ON Voltage  
I = - 500mA, I = - 50mA  
V
V
CE  
C
B
V
= - 2V, I = - 0.5A  
BE  
CE  
C
* Pulse Test: PW=350µs, duty Cycle=2% Pulsed  
h
Classificntion  
FE  
Classification  
6
10  
16  
100 ~ 250  
h
40 ~ 100  
63 ~ 160  
FE3  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
Typical Characteristics  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
-500  
-450  
-400  
-350  
-300  
-250  
-200  
-150  
-100  
-50  
VCE = -2V  
-0  
-1E-3  
-0.01  
-0.1  
-1  
-10  
-10  
-100  
-1000  
IC[A], COLLECTOR CURRENT  
IC[mA], COLLECTOR CURRENT  
Figure 1. DC current Gain  
Figure 2. Collector-Emitter Saturation Voltage  
-10  
-1.1  
-1.0  
-0.9  
-0.8  
-0.7  
-0.6  
-0.5  
-0.4  
-0.3  
-0.2  
-0.1  
IC MAX. (Pulsed)  
10us  
IC MAX. (Continuous)  
-1  
-0.1  
-0.01  
-1  
-10  
-100  
-1E-3  
-0.01  
-0.1  
-1  
-10  
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE  
IC[A], COLLECTOR CURRENT  
Figure 3. Base-Emitter Voltage  
Figure 4. Safe Operating Area  
20.0  
17.5  
15.0  
12.5  
10.0  
7.5  
5.0  
2.5  
0.0  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
TC[oC], CASE TEMPERATURE  
Figure 5. Power Derating  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
Package Demensions  
TO-126  
8.00 ±0.30  
3.25 ±0.20  
ø3.20 ±0.10  
(1.00)  
(0.50)  
0.75 ±0.10  
1.75 ±0.20  
1.60 ±0.10  
0.75 ±0.10  
#1  
+0.10  
–0.05  
0.50  
2.28TYP  
[2.28±0.20]  
2.28TYP  
[2.28±0.20]  
Dimensions in Millimeters  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
TRADEMARKS  
The following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is  
not intended to be an exhaustive list of all such trademarks.  
ACEx™  
HiSeC™  
SuperSOT™-8  
SyncFET™  
TinyLogic™  
UHC™  
Bottomless™  
CoolFET™  
CROSSVOLT™  
E2CMOS™  
FACT™  
ISOPLANAR™  
MICROWIRE™  
POP™  
PowerTrench®  
QFET™  
VCX™  
FACT Quiet Series™  
QS™  
FAST®  
Quiet Series™  
SuperSOT™-3  
SuperSOT™-6  
FASTr™  
GTO™  
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LIFE SUPPORT POLICY  
FAIRCHILD’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT  
DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  
INTERNATIONAL.  
As used herein:  
1. Life support devices or systems are devices or systems  
which, (a) are intended for surgical implant into the body,  
or (b) support or sustain life, or (c) whose failure to perform  
when properly used in accordance with instructions for use  
provided in the labeling, can be reasonably expected to  
result in significant injury to the user.  
2. A critical component is any component of a life support  
device or system whose failure to perform can be  
reasonably expected to cause the failure of the life support  
device or system, or to affect its safety or effectiveness.  
PRODUCT STATUS DEFINITIONS  
Definition of Terms  
Datasheet Identification  
Product Status  
Definition  
Advance Information  
Formative or In  
Design  
This datasheet contains the design specifications for  
product development. Specifications may change in  
any manner without notice.  
Preliminary  
First Production  
This datasheet contains preliminary data, and  
supplementary data will be published at a later date.  
Fairchild Semiconductor reserves the right to make  
changes at any time without notice in order to improve  
design.  
No Identification Needed  
Obsolete  
Full Production  
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Semiconductor reserves the right to make changes at  
any time without notice in order to improve design.  
Not In Production  
This datasheet contains specifications on a product  
that has been discontinued by Fairchild semiconductor.  
The datasheet is printed for reference information only.  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. E  
配单直通车
BD13616STU产品参数
型号:BD13616STU
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.31
最大集电极电流 (IC):1.5 A
集电极-发射极最大电压:45 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100
JEDEC-95代码:TO-126
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:NOT APPLICABLE
元件数量:1
端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP
认证状态:COMMERCIAL
表面贴装:NO
端子面层:MATTE TIN
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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