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  • 深圳德田科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 厂家NXP/恩智浦 
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  • 深圳市勤思达科技有限公司

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  • 深圳市华来深电子有限公司

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  • 深圳市昌和盛利电子有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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产品型号BD236LEADFREE的Datasheet PDF文件预览

Power Transistors  
TO-126 Case  
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(6-December 2004)  
www.centralsemi.com  
Power Transistors  
TO-126 Case (Continued)  
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Shaded areas indicate Darlington.  
(6-December 2004)  
www.centralsemi.com  
配单直通车
BD236LEADFREE产品参数
型号:BD236LEADFREE
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.2
最大集电极电流 (IC):2 A
集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):25
JEDEC-95代码:TO-126
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):25 W
认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):3 MHz
VCEsat-Max:0.6 V
Base Number Matches:1
  •  
  • 供货商
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