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    • 北京元坤伟业科技有限公司

           该会员已使用本站17年以上

    • BF1005121TTS5
    • 数量-
    • 厂家-
    • 封装-
    • 批号-
    • -
    • QQ:857273081QQ：857273081 复制
      QQ:1594462451QQ：1594462451 复制
    • 010-62104931、62106431、62104891、62104791 QQ:857273081QQ:1594462451
    更多
    • BF1005121TTS5图

    • 昂富（深圳）电子科技有限公司

       该会员已使用本站4年以上
    • BF1005121TTS5
    • 数量160000 
    • 厂家DARFON 
    • 封装0402EIA 
    • 批号23+ 
    • 一站式BOM配单,短缺料找现货,怕受骗,就找昂富电子.
    • QQ:GTY82dX7
    • 0755-23611557【陈妙华 QQ:GTY82dX7
    • BF1005121TTS5图

    • 深圳市惊羽科技有限公司

       该会员已使用本站11年以上
    • BF1005121TTS5
    • 数量76800 
    • 厂家DAFON 
    • 封装车规-被动器件 
    • 批号▉▉：2年内 
    • ▉▉￥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
    • QQ:43871025QQ：43871025 复制
    • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
    • BF1005121TTS5图

    • 深圳市三得电子有限公司

       该会员已使用本站15年以上
    • BF1005121TTS5
    • 数量45592 
    • 厂家DAFON 
    • 封装SMD 
    • 批号2024 
    • 深圳原装现货库存，欢迎咨询合作
    • QQ:414322027QQ：414322027 复制
      QQ:565106636QQ：565106636 复制
    • 13509684848 QQ:414322027QQ:565106636
    • BF1005121TTS5图

    • 深圳市亚泰盈科电子有限公司

       该会员已使用本站12年以上
    • BF1005121TTS5
    • 数量160000 
    • 厂家DARFON 
    • 封装0402EIA 
    • 批号24+ 
    • 专业电感电容电阻一站式配套齐可售样品
    • QQ:2355705573QQ：2355705573 复制
    • 18594248854 QQ:2355705573

    产品型号BF1005E6327的Datasheet PDF文件预览

    BF1005...  
    Silicon N-Channel MOSFET Tetrode  
    • For low noise, high gain controlled  
    input stages up to 1 GHz  
    • Operating voltage 5V  
    • Integrated biasing network  
    1)  
    • Pb-free (RoHS compliant) package  
    • Qualified according AEC Q101  
    Drain  
    RF Output  
    + DC  
    G2  
    G1  
    AGC  
    RF  
    Input  
    GND  
    ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!  
    Type  
    Package  
    Pin Configuration  
    Marking  
    MZs  
    BF1005  
    BF1005R  
    SOT143  
    1=S  
    2=D  
    2=S  
    3=G2 4=G1  
    3=G1 4=G2  
    -
    -
    -
    -
    SOT143R 1=D  
    MZs  
    Maximum Ratings  
    Parameter  
    Symbol  
    Value  
    8
    Unit  
    V
    Drain-source voltage  
    V
    DS  
    25  
    mA  
    Continuous drain current  
    Gate 1/ gate 2-source current  
    Gate 1 (external biasing)  
    Total power dissipation  
    I
    D
    10  
    ±I  
    G1/2SM  
    3
    V
    +V  
    G1SE  
    200  
    mW  
    P
    tot  
    T ≤ 76 °C  
    S
    °C  
    Storage temperature  
    Channel temperature  
    T
    -55 ... 150  
    150  
    stg  
    T
    ch  
    1Pb-containing package may be available upon special request  
    Note:  
    It is not recommended to apply external DC-voltage on Gate 1 in active mode.  
    2007-04-20  
    1
    BF1005...  
    Thermal Resistance  
    Parameter  
    Symbol  
    Value  
    Unit  
    1)  
    K/W  
    Channel - soldering point  
    R
    ≤ 370  
    thchs  
    Electrical Characteristics at T = 25°C, unless otherwise specified  
    A
    Parameter  
    Symbol  
    Values  
    Unit  
    min.  
    typ. max.  
    DC Characteristics  
    12  
    8
    8
    -
    -
    -
    V
    Drain-source breakdown voltage  
    V
    (BR)DS  
    I = 650 µA, V  
    = 0 , V  
    = 0  
    G2S  
    D
    G1S  
    -
    -
    12  
    13  
    -
    Gate1-source breakdown voltage  
    +I = 10 mA, V = 0 , V = 0  
    +V  
    ±V  
    (BR)G1SS  
    (BR)G2SS  
    G1SS  
    G1S  
    G2S  
    DS  
    Gate2 source breakdown voltage  
    ±I = 10 mA, V = 0 , V = 0  
    G2S  
    G1S  
    DS  
    100  
    -
    µA  
    nA  
    Gate1-source leakage current  
    = 0 , V = 6 V  
    +I  
    V
    G1S  
    G2S  
    -
    50  
    Gate 2 source leakage current  
    ±V = 8 V, V = 0 , V = 0  
    ±I  
    G2SS  
    G2S  
    G1S  
    DS  
    -
    -
    1.5 mA  
    16  
    Drain current  
    = 5 V, V  
    I
    DSS  
    V
    = 0 , V  
    = 4 V  
    G2S  
    DS  
    G1S  
    8
    10  
    Operating current (selfbiased)  
    = 5 V, V = 4 V  
    I
    DSO  
    V
    DS  
    G2S  
    Gate2-source pinch-off voltage  
    = 5 V, I = 100 µA  
    V
    -
    1
    -
    V
    G2S(p)  
    V
    DS  
    D
    1For calculation of R  
    please refer to Application Note Thermal Resistance  
    thJA  
    2007-04-20  
    2
    BF1005...  
    Electrical Characteristics at T = 25°C, unless otherwise specified  
    A
    Parameter  
    Symbol  
    Values  
    Unit  
    min.  
    typ. max.  
    AC Characteristics (verified by random sampling)  
    Forward transconductance  
    = 5 V, V = 4.5 V  
    20  
    -
    24  
    -
    g
    mS  
    fs  
    V
    DS  
    G2S  
    2.1  
    1.3  
    2.5 pF  
    Gate1 input capacitance  
    = 5 V, V = 4 V, f = 10 MHz  
    C
    g1ss  
    dss  
    p
    V
    DS  
    G2S  
    -
    -
    Output capacitance  
    = 5 V, V = 4 V, f = 10 MHz  
    C
    V
    DS  
    G2S  
    Power gain (self biased)  
    G
    F
    17  
    -
    19  
    1.6  
    50  
    -
    dB  
    V
    = 5 V, V  
    = 4 V, f = 800 MHz  
    DS  
    G2S  
    G2S  
    2.5 dB  
    Noise figure  
    = 5 V, V  
    V
    = 4 V, f = 800 MHz  
    DS  
    40  
    -
    Gain control range  
    = 5 V, V = 4V ...0V, f = 800 GHz  
    ∆G  
    p
    V
    DS  
    G2S  
    2007-04-20  
    3
    BF1005...  
    Total power dissipation P = ƒ(T )  
    Total power dissipation P = ƒ(T )  
    tot S  
    tot  
    S
    BF1005, BF1005R  
    BF1005W  
    220  
    mW  
    220  
    mA  
    180  
    160  
    140  
    120  
    100  
    80  
    180  
    160  
    140  
    120  
    100  
    80  
    60  
    60  
    40  
    40  
    20  
    20  
    0
    0
    0
    °C  
    °C  
    0
    15 30 45 60 75 90 105 120  
    150  
    15 30 45 60 75 90 105 120  
    150  
    T
    T
    S
    S
    Drain current I = ƒ(V  
    )
    Insertion power gain  
    D
    G2S  
    |S |² = ƒ(V  
    )
    21  
    G2S  
    10  
    dB  
    12  
    mA  
    0
    -5  
    10  
    9
    8
    7
    6
    5
    4
    3
    2
    1
    0
    -10  
    -15  
    -20  
    -25  
    -30  
    -35  
    -40  
    -45  
    -50  
    -55  
    V
    V
    0
    0.5  
    1
    1.5  
    2
    2.5  
    3
    3.5  
    4
    5
    0
    0.5  
    1
    1.5  
    2
    2.5  
    3
    3.5  
    4
    5
    G2S  
    V
    V
    G2S  
    2007-04-20  
    4
    BF1005...  
    Forward transfer admittance  
    Gate 1 input capacitance C  
    = ƒ(V  
    )
    g1ss  
    g2s  
    |Y | = ƒ(V  
    )
    f = 200MHz  
    21  
    G2S  
    26  
    mS  
    3
    pF  
    22  
    20  
    18  
    16  
    14  
    12  
    10  
    8
    2.4  
    2.2  
    2
    1.8  
    1.6  
    1.4  
    1.2  
    1
    0.8  
    0.6  
    0.4  
    0.2  
    0
    6
    4
    2
    0
    V
    V
    0
    0.5  
    1
    1.5  
    2
    2.5  
    3
    3.5  
    4
    5
    0.5  
    1
    1.5  
    2
    2.5  
    3
    3.5  
    4
    4.5  
    5.5  
    V
    G2S  
    V
    G2S  
    Output capacitance C  
    f = 200MHz  
    = ƒ(V  
    )
    dss  
    G2S  
    3
    pF  
    2.4  
    2.2  
    2
    1.8  
    1.6  
    1.4  
    1.2  
    1
    0.8  
    0.6  
    0.4  
    0.2  
    0
    V
    0
    0.5  
    1
    1.5  
    2
    2.5  
    3
    3.5  
    4
    5
    G2S  
    V
    2007-04-20  
    5
    Package SOT143  
    BF1005...  
    Package Outline  
    ±0.1  
    1
    ±0.1  
    2.9  
    B
    1.9  
    0.1 MAX.  
    4
    3
    1
    2
    A
    0.2  
    +0.1  
    -0.05  
    0.08...0.15  
    0.8  
    0...8˚  
    +0.1  
    -0.05  
    0.4  
    M
    M
    0.2  
    0.25  
    B
    A
    1.7  
    Foot Print  
    0.8 1.2 0.8  
    1.2  
    0.8  
    0.8  
    Marking Layout (Example)  
    Manufacturer  
    2005, June  
    RF s  
    Date code (YM)  
    Pin 1  
    BFP181  
    Type code  
    Standard Packing  
    Reel ø180 mm = 3.000 Pieces/Reel  
    Reel ø330 mm = 10.000 Pieces/Reel  
    0.2  
    4
    3.15  
    1.15  
    Pin 1  
    2007-04-20  
    6
    Package SOT143R  
    BF1005...  
    Package Outline  
    ±0.1  
    1
    ±0.1  
    2.9  
    B
    0.1 MAX.  
    1.9  
    4
    1
    3
    2
    A
    0.2  
    +0.1  
    -0.05  
    0.8  
    +0.1  
    -0.05  
    0.4  
    0˚...  
    A
    8˚  
    1.7  
    M
    0.2  
    M
    0.25  
    B
    Foot Print  
    0.8  
    1.2  
    0.8  
    0.8 0.8  
    1.2  
    Marking Layout (Example)  
    Reverse bar  
    2005, June  
    Date code (YM)  
    Pin 1  
    Manufacturer  
    BFP181R  
    Type code  
    Standard Packing  
    Reel ø180 mm = 3.000 Pieces/Reel  
    Reel ø330 mm = 10.000 Pieces/Reel  
    0.2  
    4
    3.15  
    Pin 1  
    1.15  
    2007-04-20  
    7
    BF1005...  
    Edition 2006-02-01  
    Published by  
    Infineon Technologies AG  
    81726 München, Germany  
    © Infineon Technologies AG 2007.  
    All Rights Reserved.  
    Attention please!  
    The information given in this dokument shall in no event be regarded as a guarantee  
    of conditions or characteristics (“Beschaffenheitsgarantie”). With respect to any  
    examples or hints given herein, any typical values stated herein and/or any information  
    regarding the application of the device, Infineon Technologies hereby disclaims any  
    and all warranties and liabilities of any kind, including without limitation warranties of  
    non-infringement of intellectual property rights of any third party.  
    Information  
    For further information on technology, delivery terms and conditions and prices  
    please contact your nearest Infineon Technologies Office (www.infineon.com).  
    Warnings  
    Due to technical requirements components may contain dangerous substances.  
    For information on the types in question please contact your nearest  
    Infineon Technologies Office.  
    Infineon Technologies Components may only be used in life-support devices or  
    systems with the express written approval of Infineon Technologies, if a failure of  
    such components can reasonably be expected to cause the failure of that  
    life-support device or system, or to affect the safety or effectiveness of that  
    device or system.  
    Life support devices or systems are intended to be implanted in the human body,  
    or to support and/or maintain and sustain and/or protect human life. If they fail,  
    it is reasonable to assume that the health of the user or other persons  
    may be endangered.  
    2007-04-20  
    8
    配单直通车
    BF1005E6327产品参数
    型号:BF1005E6327
    是否无铅： 不含铅
    是否Rohs认证： 符合
    生命周期：Active
    IHS 制造商：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
    Reach Compliance Code：unknown
    风险等级：5.26
    其他特性：LOW NOISE
    外壳连接：SOURCE
    配置：SINGLE
    最小漏源击穿电压：12 V
    最大漏极电流 (ID)：0.025 A
    FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
    JESD-30 代码：R-PDSO-G4
    JESD-609代码：e3
    湿度敏感等级：NOT SPECIFIED
    元件数量：1
    端子数量：4
    工作模式：DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：SMALL OUTLINE
    峰值回流温度（摄氏度）：260
    极性/信道类型：N-CHANNEL
    认证状态：COMMERCIAL
    表面贴装：YES
    端子面层：MATTE TIN
    端子形式：GULL WING
    端子位置：DUAL
    处于峰值回流温度下的最长时间：40
    晶体管元件材料：SILICON
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
    • 型号 *
    • 数量*
    • 厂商
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