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    • BFX25图

    • 深圳市一线半导体有限公司

       该会员已使用本站16年以上
    • BFX25
    • 数量15000 
    • 厂家原厂品牌 
    • 封装原厂外观 
    • 批号 
    • 全新原装部分现货其他订货
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    产品型号BFX29的Datasheet PDF文件预览

    BFX29  
    MECHANICAL DATA  
    Dimensions in mm (inches)  
    PNP SILICON EPITAXIAL  
    TRANSISTOR  
    8
    9
    .
    .
    8
    4
    9
    0
    (
    (
    0
    0
    .
    .
    3
    3
    5
    7
    )
    )
    7
    8
    .
    .
    7
    5
    5
    1
    (
    (
    0
    0
    .
    .
    3
    3
    0
    3
    5
    5
    )
    )
    6
    6
    .
    .
    1
    6
    0
    0
    (
    (
    0
    0
    .
    .
    2
    2
    4
    6
    0
    0
    )
    )
    0
    .
    8
    9
    a
    m
    x
    .
    )
    (
    0
    0
    .
    0
    3
    5
    1
    2
    .
    7
    (
    0
    .
    5
    0
    0
    )
    m
    i
    n
    .
    7
    8
    .
    .
    7
    5
    5
    1
    (
    (
    0
    0
    .
    .
    3
    3
    0
    3
    5
    5
    )
    )
    d
    i
    a
    .
    APPLICATIONS  
    5
    .
    0
    8
    (
    0
    .
    2
    0
    0
    )
    t
    y
    p
    .
    • General Purpose Industrial Applications  
    2
    .
    5
    4
    2
    (
    0
    .
    1
    0
    0
    )
    1
    3
    0
    1
    .
    .
    6
    1
    6
    4
    (
    (
    0
    0
    .
    .
    0
    0
    2
    4
    6
    5
    )
    )
    0
    0
    .
    .
    7
    8
    1
    6
    (
    (
    0
    0
    .
    .
    0
    0
    2
    3
    8
    4
    )
    )
    4
    5
    °
    TO39 PACKAGE  
    Pin 1 = Emitter Pin 2 = Base Pin 3 = Collector  
    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
    = 25°C unless otherwise stated)  
    case  
    V
    V
    V
    Collector – Base Voltage  
    Collector – Emitter Voltage  
    Emitter – Base Voltage  
    Collector Current Continuous  
    Collector Current Peak  
    Emitter Current Peak  
    60V  
    60V  
    CBO  
    CEO  
    EBO  
    5V  
    I
    I
    I
    600mA  
    600mA  
    600mA  
    600 mW  
    –65 to 200°C  
    200°C  
    C
    CM  
    EM  
    P
    Total Power Dissipation T < 25°C  
    amb  
    tot  
    stg  
    j
    T
    T
    Storage Temperature  
    Operating Junction Temperature  
    Semelab plc. Telephone +44(0)1455) 556565. Fax +44(0)1455) 552612.  
    E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
    Prelim.5/99  
    BFX29  
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise stated)  
    j
    Parameter  
    Test Conditions  
    Min.  
    Typ.  
    Max. Unit  
    V
    V
    V
    V
    = 5.0V  
    I = 0  
    30  
    500  
    EB  
    EB  
    CB  
    CB  
    C
    nA  
    I
    I
    Emitter Cut–off Current  
    = 3V  
    I = 0  
    1.0  
    1.0  
    0.5  
    0.03  
    90  
    100  
    EBO  
    CBO  
    C
    =60V  
    =50V  
    I = 0  
    500  
    nA  
    50  
    E
    Collector Cut–off Current  
    I = 0  
    E
    T = 100°C  
    2.0  
    A
    j
    V
    V
    V
    V
    V
    =10V  
    = 10V  
    = 10V  
    =10V  
    = 10V  
    I = 0.1mA  
    20  
    CE  
    CE  
    CE  
    CE  
    CE  
    C
    I = 1mA  
    40  
    105  
    C
    h
    I = 10mA  
    50  
    50  
    40  
    125  
    125  
    90  
    —
    FE  
    C
    DC Current Gain  
    I = 50mA  
    C
    I = 150mA  
    C
    Collector – Emitter  
    Saturation Voltage  
    V
    V
    I = 150mA  
    I = 15mA  
    0.15  
    0.40  
    V
    V
    CE(sat)  
    BE(sat)  
    C
    B
    I = 30mA  
    I = 1.0mA  
    0.77  
    1.05  
    0.90  
    1.30  
    C
    B
    Base – Emitter Saturation Voltage  
    Collector Capactitance  
    I = 150mA  
    I = 15mA  
    B
    C
    V
    V
    V
    = 10V  
    = 2.0V  
    = 10V  
    I = I =0  
    E e  
    CB  
    EB  
    CE  
    C
    C
    6
    12  
    30  
    tc  
    f=1.0MHz  
    I = I =0  
    pF  
    C
    c
    Emitter Capactitance  
    18  
    te  
    f=1.0MHz  
    I = 50mA  
    C
    f
    Transistion Frequency  
    100  
    360  
    MHz  
    T
    f=100MHz  
    T
    = 25°C  
    amb  
    THERMAL CHARACTERISTICS  
    R
    Thermal Resistance Junction to Ambient  
    292 °C/W  
    th(j-amb)  
    Semelab plc. Telephone +44(0)1455) 556565. Fax +44(0)1455) 552612.  
    E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
    Prelim.5/99  
    配单直通车
    BFX29产品参数
    型号:BFX29
    生命周期：Contact Manufacturer
    包装说明：,
    Reach Compliance Code：unknown
    风险等级：5.75
    最大集电极电流 (IC)：0.6 A
    配置：Single
    最高工作温度：175 °C
    极性/信道类型：PNP
    最大功率耗散 (Abs)：0.6 W
    子类别：Other Transistors
    表面贴装：NO
    标称过渡频率 (fT)：100 MHz
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
    • 型号 *
    • 数量*
    • 厂商
    • 封装
    • 批号
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