欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
会员中心
企业资讯   人才招聘  
电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌 缩略语 技术文章 IC型号

产品导航

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
产品
  • 产品
  • PDF

    • 最近搜索

    热门搜索

    搜索
    发布采购
    所在地： 型号： 精确
    • 批量询价
    •  
    • 供应商
    • 型号
    • 数量
    • 厂商
    • 封装
    • 批号
    • 交易说明
    • 询价
    •  

    • 北京元坤伟业科技有限公司

           该会员已使用本站17年以上

    • BFG193E6433XT
    • 数量-
    • 厂家-
    • 封装-
    • 批号-
    • -
    • QQ:857273081QQ：857273081 复制
      QQ:1594462451QQ：1594462451 复制
    • 010-62104931、62106431、62104891、62104791 QQ:857273081QQ:1594462451
    更多
    • BFG193E6433XT图

    • 北京中其伟业科技有限公司

       该会员已使用本站16年以上
    • BFG193E6433XT
    • 数量8590 
    • 厂家√ 欧美㊣品 
    • 封装贴◆插 
    • 批号16+ 
    • 特价,原装正品,绝对公司现货库存,原装特价!
    • QQ:2880824479QQ：2880824479 复制
    • 010-62104891 QQ:2880824479

    产品型号BFG194的Datasheet PDF文件预览

    BFG 194  
    PNP Silicon RF Transistor  
    • For low distortion broadband amplifiers in  
    antenna and telecommunications systems up  
    to 1.5 GHz at collector currents from 20mA  
    to 80mA  
    ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!  
    Type  
    Marking Ordering Code  
    Pin Configuration  
    Package  
    BFG 194  
    BFG194 Q62702-F1321  
    1 = E 2 = B 3 = E 4 = C SOT-223  
    Maximum Ratings  
    Parameter  
    Symbol  
    Values  
    15  
    Unit  
    Collector-emitter voltage  
    Collector-base voltage  
    Emitter-base voltage  
    Collector current  
    V
    CEO  
    V
    CBO  
    V
    EBO  
    V
    20  
    3
    I
    I
    100  
    10  
    mA  
    mW  
    °C  
    C
    Base current  
    B
    Total power dissipation  
    P
    tot  
    T ≤ 75 °C  
    S
    1000  
    Junction temperature  
    Ambient temperature  
    Storage temperature  
    T
    T
    T
    150  
    j
    - 65 ... + 150  
    - 65 ... + 150  
    A
    stg  
    Thermal Resistance  
    1)  
    Junction - soldering point  
    R
    thJS  
    ≤ 75  
    K/W  
    1) T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb.  
    S
    Semiconductor Group  
    1
    Aug-22-1996  
    BFG 194  
    Electrical Characteristics at T = 25°C, unless otherwise specified.  
    A
    Parameter  
    Symbol  
    Values  
    Unit  
    min.  
    typ.  
    max.  
    DC Characteristics  
    Collector-emitter breakdown voltage  
    V
    V
    (BR)CEO  
    I = 1 mA, I = 0  
    15  
    -
    -
    -
    C
    B
    Collector-base cutoff current  
    = 10 V, I = 0  
    I
    I
    nA  
    µA  
    -
    CBO  
    V
    CB  
    -
    100  
    E
    Emitter-base cutoff current  
    = 2 V, I = 0  
    EBO  
    V
    EB  
    -
    -
    1
    -
    C
    DC current gain  
    I = 70 mA, V = 8 V  
    h
    FE  
    15  
    50  
    C
    CE  
    Semiconductor Group  
    2
    Aug-22-1996  
    BFG 194  
    Electrical Characteristics at T = 25°C, unless otherwise specified.  
    A
    Parameter  
    Symbol  
    Values  
    Unit  
    min.  
    typ.  
    max.  
    AC Characteristics  
    Transition frequency  
    f
    GHz  
    pF  
    T
    I = 70 mA, V = 8 V, f = 500 MHz  
    3.5  
    5
    -
    C
    CE  
    Collector-base capacitance  
    = 10 V, V = v = 0 , f = 1 MHz  
    C
    C
    C
    F
    cb  
    ce  
    eb  
    V
    CB  
    -
    -
    -
    1.4  
    0.4  
    4.7  
    2
    -
    BE  
    be  
    Collector-emitter capacitance  
    = 10 V, V = v = 0 , f = 1 MHz  
    V
    CE  
    BE  
    be  
    Emitter-base capacitance  
    = 0.5 V, V = v = 0 , f = 1 MHz  
    V
    EB  
    -
    CB  
    cb  
    Noise figure  
    dB  
    I = 20 mA, V = 8 V, Z = Z  
    C
    CE  
    S
    Sopt  
    Sopt  
    f = 900 MHz  
    -
    -
    2.8  
    4.7  
    -
    -
    f = 1.8 GHz  
    Power gain  
    2)  
    G
    ma  
    I = 70 mA, V = 8 V, Z = Z  
    C
    CE  
    S
    Z = Z  
    L
    Lopt  
    f = 900 MHz  
    f = 1.8 GHz  
    -
    -
    11  
    -
    -
    6.5  
    2
    Transducer gain  
    |S  
    |
    21e  
    Ω
    I = 70 mA, V = 8 V, Z = 50  
    C
    CE  
    S
    f = 900 MHz  
    -
    -
    8
    3
    -
    -
    f = 1.8 GHz  
    2
    1/2  
    2) G = |S /S | (k-(k -1) )  
    ma  
    21 12  
    Semiconductor Group  
    3
    Aug-22-1996  
    BFG 194  
    Total power dissipation P = f (T *, T )  
    tot  
    A
    S
    * Package mounted on epoxy  
    1200  
    mW  
    1000  
    Ptot  
    900  
    800  
    700  
    600  
    500  
    TS  
    400  
    TA  
    300  
    200  
    100  
    0
    0
    20  
    40  
    60  
    80  
    100 120 °C 150  
    TA,TS  
    Permissible Pulse Load R  
    = f (t )  
    Permissible Pulse Load P  
    /P  
    = f (t )  
    thJS  
    p
    totmax totDC p  
    10 2  
    10 2  
    R
    Ptotmax/PtotDC  
    -
    thJS K/W  
    D = 0  
    0.005  
    0.01  
    0.02  
    0.05  
    0.1  
    10 1  
    10 1  
    0.2  
    0.5  
    0.5  
    0.2  
    0.1  
    0.05  
    0.02  
    0.01  
    0.005  
    D = 0  
    10 0  
    10 -7 10 -6 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1s 10 0  
    tp  
    10 0  
    10 -7 10 -6 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1s 10 0  
    tp  
    Semiconductor Group  
    4
    Aug-22-1996  
    BFG 194  
    Collector-base capacitance C = f (V )  
    Transition frequency f = f (I )  
    cb  
    CB  
    T
    C
    V
    BE  
    = v = 0, f = 1MHz  
    be  
    V
    = Parameter  
    CE  
    5.5  
    GHz  
    4.5  
    4.0  
    pF  
    10V  
    8V  
    Ccb  
    fT  
    3.0  
    2.5  
    2.0  
    1.5  
    1.0  
    5V  
    3V  
    2V  
    4.0  
    3.5  
    3.0  
    1V  
    2.5  
    2.0  
    0.7V  
    1.5  
    0.5  
    0.0  
    1.0  
    0
    4
    8
    12  
    16  
    V
    VR  
    22  
    0
    20  
    40  
    60  
    80  
    mA  
    IC  
    120  
    Power Gain G , G = f(I )  
    Power Gain G , G = f(I )  
    ma ms C  
    ma  
    ms  
    C
    f = 0.9GHz  
    = Parameter  
    f = 1.8GHz  
    V = Parameter  
    CE  
    V
    CE  
    12  
    dB  
    8
    7.0  
    dB  
    10V  
    10V  
    5V  
    5V  
    G
    3V  
    2V  
    G
    5.0  
    4.0  
    3.0  
    2.0  
    1.0  
    3V  
    2V  
    6
    1V  
    1V  
    4
    0.7V  
    2
    0
    0.7V  
    0.0  
    -1.0  
    0
    20  
    40  
    60  
    80  
    mA  
    IC  
    120  
    0
    20  
    40  
    60  
    80  
    mA  
    IC  
    120  
    Semiconductor Group  
    5
    Aug-22-1996  
    BFG 194  
    Power Gain G , G = f(V ):_____  
    Intermodulation Intercept Point IP =f(I )  
    ma  
    ms  
    CE  
    3
    C
    2
    |S | = f(V ):---------  
    (3rd order, Output, Z =Z =50 )  
    Ω
    S L  
    21  
    CE  
    f = Parameter  
    V
    = Parameter, f = 900MHz  
    CE  
    12  
    42  
    dBm  
    38  
    0.9GHz  
    IC=70mA  
    dB  
    10  
    9
    5V  
    8V  
    3V  
    G
    IP3  
    36  
    0.9GHz  
    1.8GHz  
    34  
    8
    32  
    30  
    28  
    26  
    24  
    22  
    20  
    18  
    16  
    2V  
    7
    6
    5
    4
    1V  
    3
    2
    1
    0
    14  
    12  
    0
    2
    4
    6
    8
    V
    12  
    0
    20  
    40  
    60  
    80  
    mA  
    IC  
    120  
    VCE  
    2
    Power Gain G , G = f(f)  
    Power Gain |S | = f(f)  
    21  
    ma  
    ms  
    V
    = Parameter  
    V
    = Parameter  
    CE  
    CE  
    30  
    28  
    IC=70mA  
    dB  
    IC=70mA  
    dB  
    20  
    15  
    10  
    5
    24  
    22  
    20  
    18  
    16  
    14  
    12  
    10  
    8
    G
    S21  
    10V  
    6
    2V  
    1V  
    4
    0.7  
    0
    2
    1V  
    0.7V  
    2V  
    10V  
    0
    -5  
    -2  
    0.0  
    0.5  
    1.0  
    1.5  
    2.0  
    2.5  
    GHz 3.5  
    f
    0.0  
    0.5  
    1.0  
    1.5  
    2.0  
    GHz  
    3.0  
    f
    Semiconductor Group  
    6
    Aug-22-1996  
    BFG 194  
    Package  
    Semiconductor Group  
    7
    Aug-22-1996  
    配单直通车
    BFG194产品参数
    型号:BFG194
    是否Rohs认证： 不符合
    生命周期：Obsolete
    包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
    Reach Compliance Code：unknown
    ECCN代码：EAR99
    HTS代码：8541.29.00.75
    风险等级：5.85
    外壳连接：COLLECTOR
    最大集电极电流 (IC)：0.1 A
    基于收集器的最大容量：2 pF
    集电极-发射极最大电压：15 V
    配置：SINGLE
    最小直流电流增益 (hFE)：20
    最高频带：L BAND
    JESD-30 代码：R-PDSO-G4
    JESD-609代码：e0
    元件数量：1
    端子数量：4
    最高工作温度：150 °C
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：SMALL OUTLINE
    极性/信道类型：PNP
    最大功率耗散 (Abs)：1 W
    认证状态：Not Qualified
    子类别：Other Transistors
    表面贴装：YES
    端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
    端子形式：GULL WING
    端子位置：DUAL
    晶体管应用：AMPLIFIER
    晶体管元件材料：SILICON
    标称过渡频率 (fT)：5000 MHz
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
    • 型号 *
    • 数量*
    • 厂商
    • 封装
    • 批号
    • 交易说明
    • 询价
  • 免费注册 忘记密码
    • 批量询价选中的记录已选中0条,每次最多15条。

    IC37:专业IC行业平台

    专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

    网站导航 Datasheet资料库 电子术语 电子百科
    服务中心 常见问题 委托交易 会员服务
    关于我们 公司简介 联系我们 免责申明

    产品索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

    深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案
    服务电话： 0755-32882616 0755-32882606 0755-32882608 0755-32882607 值班和投诉电话：13715251531 ©2004-2024 IC37网 版权所有：ic37.com 版权申明 公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6
     复制成功！