BLP065N08G-D全新原装原理图各脚功能电路原理芯片引脚定义-中国IC网-芯三七

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BLP1010

PN结 Si光电池

描述

工作在低频区域的Si光电池，可接收波长处于峰值波长附近的光信号

。

应用

•

遥控电路

• 光纤通信

结构

芯片结构：平面PN型结构

电极：顶部AlSi

外形图和尺寸

Anode

芯片尺寸：10 mm × 10 mm

芯片厚度：300±25µm

Cathode

纵向结构

芯片结构：平面PN型结构

电极：AlSi

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BLP1010

光电特性(Ta=25°)

参数

符号

测试条件

最小值典型值最大值单位

暗电流

Reverse dark current

I_DV_R=10V E=0mW/cm²

反向击穿电压

Reverse

voltage

I_R=100µA, H=0mV/cm²

V_BR

breakdown

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