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  • 优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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  • 原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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  • 一站式BOM配单,短缺料找现货,怕受骗,就找昂富电子.
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  • 半导体&元器件供应商原装电子元件长期供应样品批量支持
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  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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  • 真实库存全新原装正品!代理此型号
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  • 厂家INFINEON/英飞凌 
  • 封装PG-TSDSON-8 
  • 批号最新批号 
  • 一级代理,原装特价现货!
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  • 只做原装正品,深圳现货库存
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  • 数量7500 
  • 厂家inf 
  • 封装SOP 
  • 批号22+ 
  • ★只做原装★正品现货★原盒原标★
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  • 厂家INFINEON-英飞凌 
  • 封装DFN-8.贴片 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥11.2元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 厂家Infineon(英飞凌) 
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  • 批号23+ 
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产品型号BSZ042N06NS的概述

芯片BSZ042N06NS的概述 BSZ042N06NS是一款功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应管),它主要用于高效能开关电源、DC-DC转换器、马达驱动器以及其他高频和高电流的应用场合。该芯片由德国著名半导体制造厂商Infineon(英飞凌)生产,致力于提供稳定、高效的电流控制。由于其出色的热性能和电导特性,BSZ042N06NS在各类电源管理和驱动电路中得到了广泛应用。 BSZ042N06NS能够提供极低的导通电阻(R_DS(on)),这一特性使得它在高频和高电流的条件下表现良好,并能够有效减少功率损耗,从而提高整体系统效率。MOSFET设计的独特性使其适用于开关方式的功率放大和电源转换功能,进而满足现代电子设备日益增长的电能效率需求。 芯片BSZ042N06NS的详细参数 以下是BSZ042N06NS的一些关键技术参数: - 最大漏极-源极电压(V_DS): 60V - 最...

产品型号BSZ042N06NS的Datasheet PDF文件预览

Product Brief  
Features  
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Optimized for Synchronous  
Rectification  
New OptiMOS™ 40V and 60V  
„
Shrink Your Design and Boost Efficiency  
35% lower RDS(on) than  
alternative devices  
„
45% improvement of FOM  
over similar devices  
New OptiMOS™ 40V and 60V, Infineon’s latest generation of power MOSFETs,  
is optimized for Synchronous Rectification in switched mode power supplies  
(SMPS) such as those found in servers and desktops. In addition these devices  
are a perfect choice for a broad range of industrial applications including motor  
control, solar micro inverter and fast switching DC/DC converter.  
„
Integrated Schottky-like diode  
„
RoHS compliant - halogen free  
„
MSL1 rated  
Benefits  
„
Highest system efficiency  
New 40V and 60V product families, feature not only the industry’s lowest RDS(on)  
but also a perfect switching behavior for fast switching applications. 35%  
lower RDS(on) and 45% lower Figure of Merit (RDS(on) x Qg)compared to alternative  
devices has been realized by advanced thin wafer technology.  
„
Less paralleling required  
„
Increased power density  
„
System cost reduction  
„
Very low voltage overshoot  
The fast growing market of solar micro inverter requires ever higher  
performance levels of components. In typical photovoltaic topologies both  
RDS(on) and switching characteristics are equally important. In a micro inverter  
1.5% higher efficiency can be achieved at a 20% load condition by using  
BSC016N06NS (1.6mΩ SuperSO8 (5mmx6mm) 60V device).  
Applications  
„
Synchronous Rectification  
„
Solar micro inverter  
„
Isolated DC/DC converters  
„
Motor control for 12-48V systems  
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Or-ing switches  
40V SuperSO8  
60V SuperSO8  
2
1
0
2
1
0
Existing OptiMOS™ 40V  
New Generation 40V  
Existing OptiMOS™ 60V  
New Generation 60V  
-41%  
-48%  
40V  
60V  
www.infineon.com/newoptimos  
Product Brief  
New OptiMOS™ 40V and 60V  
Shrink Your Design and Boost Efficiency  
Infineon is the first semiconductor company to introduce a 1mΩ 40V MOSFET in a SuperSO8 package.  
This cuts the number of MOSFETs in the Synchronous Rectification of a 1000W server power supply by half.  
No more paralleling is needed and power density can be increased drastically. A monolithic integrated  
Schottky-like diode reduces the reverse recovery charge (Qrr) in the relevant current range for Synchronous  
Rectification. This leads to lower conduction losses and higher efficiency in the system. Furthermore a  
drastic reduction of the voltage overshoot reduces the need for a snubber circuit and saves engineering  
cost and effort.  
oꢀꢁꢂmos™ 60V ꢂꢃ ꢁhꢄ ꢅꢄcꢆꢃdaꢇy ꢅꢂdꢄ ꢇꢄcꢁꢂꢈꢂcaꢁꢂꢆꢃ ꢆꢈ a 750W/12V ꢅꢄꢇvꢄꢇ ꢀꢆwꢄꢇ ꢅuꢀꢀꢉy ꢉꢄadꢅ ꢁꢆ 0.3% hꢂꢊhꢄꢇ ꢅyꢅꢁꢄꢋ  
ꢄꢈꢈꢂcꢂꢄꢃcy aꢃd ꢇꢄducꢄꢅ ꢁhꢄ vꢆꢉꢁaꢊꢄ ꢆvꢄꢇꢅhꢆꢆꢁ uꢀ ꢁꢆ 2V.  
58  
56  
54  
52  
50  
90  
89  
88  
87  
86  
85  
Infineon  
Competitor  
Infineon  
Competitor  
200  
300  
400  
500  
600  
50  
150  
250  
350  
450  
550  
Output Power [W]  
Output Power [W]  
Performance comparison of Best in class new OptiMOS™ 60V vs. next best competitor  
Product Portfolio New OptiMOS™  
2
2
SuperSO8  
S308  
TO-220  
I²PAK  
D PAK  
D PAK 7pin  
DPAK  
BSC016N06NS  
BSC014N06NS  
BSC028N06NS  
BSC039N06NS  
IPI020N06N  
IPI029N06N  
IPB010N06N  
IPB014N06N  
1-2 mΩ  
2-4 mΩ  
IPP020N06N  
IPP029N06N  
IPP040N06N  
IPP060N06N  
IPB026N06N  
IPB057N06N  
IPD025N06N  
IPD053N06N  
BSZ042N06NS  
BSZ023N04LS  
4-6 mΩ  
6-8 mΩ  
BSC010N04LS  
BSC010N04LSI*  
BSC014N04LS  
BSC014N04LSI*  
1-2 mΩ  
2-3 mΩ  
*Monolithic integrated Schottky like diode  
Published by  
Attention pleAse!  
WArnings  
Infineon Technologies Austria AG  
9500 Villach, Austria  
The information given in this document shall in no event  
be regarded as a guarantee of conditions or characteristics  
(“Beschaffenheitsgarantie”). With respect to any examples  
or hints given herein, any typical values stated herein and/  
or any information regarding the application of the device,  
Infineon Technologies hereby disclaims any and all warran-  
ties and liabilities of any kind, including without limita-  
tion warranties of non-infringement of intellectual property  
rights of any third party.  
Due to technical requirements components may contain  
dangerous substances. For information on the types in  
question please contact your nearest Infineon Technologies  
Office. Infineon Technologies Components may only be  
used in life-support devices or systems with the express  
© 2011 Infineon Technologies AG.  
All Rights Reserved.  
written approval of Infineon Technologies, if  
a failure of  
Visit us:  
www.infineon.com  
such components can reasonably be expected to cause  
the failure of that life-support device or system, or to affect  
the safety or effectiveness of that device or system. Life  
support devices or systems are intended to be implanted  
in the human body, or to support and/or maintain and  
sustain and/or protect human life. If they fail, it is reason-  
able to assume that the health of the user or other persons  
may be endangered.  
informAtion  
For further information on technology, delivery terms and  
conditions and prices please contact your nearest Infineon  
Technologies Office (www.infineon.com).  
Order Number: B152-H9681-X-X-7600-DB2012-0002  
Date: 07 / 2012  
配单直通车
BSZ042N06NS产品参数
型号:BSZ042N06NS
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:TSDSON-8
针数:8
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:1.66
雪崩能效等级(Eas):130 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):40 A
最大漏源导通电阻:0.0042 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):44 pF
JESD-30 代码:S-PDSO-N3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):69 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):160 A
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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