BSZ0506NS应用文章市场行情现货热卖使用介绍供应商报价-中国IC网-芯三七

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产品型号BSZ0506NS的概述

芯片BSZ0506NS的概述 BSZ0506NS是一款具有广泛应用潜力的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N通道类型。本芯片以其优异的电气性能和低导通电阻而受到青睐，广泛应用于电子设备中，如开关电源、电机驱动和其他高效能电路。BSZ0506NS在高频和高效能应用中表现出色，因此在现代电子设计中占有一席之地。 BSZ0506NS的详细参数 BSZ0506NS的核心参数包括： - 最大漏极-源极电压（V_DS）：60V - 最大漏极电流（I_D）：50A - 体二极管反向恢复时间（t_rr）：约为25ns - 导通电阻（R_DS(on)）：典型值为12mΩ（在10V栅极驱动下） - 栅极阈值电压（V_GS(th)）：2V至4V - 封装类型：DPAK - 工作温度范围：-55℃至+150℃ - 电气性能：对于开关频率在几百kHz的应用具有优秀的热性能和切换特性。 BSZ...

产品型号BSZ0506NS的Datasheet PDF文件预览

MOSFET

MetalꢀOxideꢀSemiconductorꢀFieldꢀEffectꢀTransistor

OptiMOS^TM

OptiMOS^TM5ꢀPower-MOSFET,ꢀ30ꢀV

BSZ0506NS

DataꢀSheet

Rev.ꢀ2.0

Final

PowerꢀManagementꢀ&ꢀMultimarket

OptiMOS^TM5ꢀPower-MOSFET,ꢀ30ꢀV

BSZ0506NS

TSDSON-8ꢀFL

(enlarged source interconnection)

1ꢀꢀꢀꢀꢀDescription

Features

•ꢀOptimizedꢀforꢀhighꢀperformanceꢀbuckꢀconvertersꢀ(Server,VGA)

•ꢀVeryꢀlowꢀFOM_QOSSꢀforꢀhighꢀfrequencyꢀSMPS

•ꢀLowꢀFOM_SWꢀforꢀhighꢀfrequencyꢀSMPS

•ꢀExcellentꢀgateꢀchargeꢀxꢀR_DS(on)ꢀproductꢀ(FOM)

•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀR_DS(on)ꢀ@ꢀV_GS=4.5ꢀV

•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested

•ꢀSuperiorꢀthermalꢀresistance

•ꢀN-channel

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC¹⁾ꢀꢀforꢀtargetꢀapplications

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

S 1

S 2

S 3

G 4

8 D

7 D

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

6 D

5 D

Parameter

Value

Unit

V_DS

R_DS(on),max

I_D

4.4

mΩ

Q_OSS

7.2

5.2

Q_G(0V..4.5V)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

PG-TSDSON-8 FL

Marking

RelatedꢀLinks

BSZ0506NS

0506NS

¹⁾J-STD20 and JESD22

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2015-04-27

OptiMOS^TM5ꢀPower-MOSFET,ꢀ30ꢀV

BSZ0506NS

TableꢀofꢀContents

Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2

Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

Thermal characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

Electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

Electrical characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Package Outlines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2015-04-27

OptiMOS^TM5ꢀPower-MOSFET,ꢀ30ꢀV

BSZ0506NS

2ꢀꢀꢀꢀꢀMaximumꢀratings

atꢀT_jꢀ=ꢀ25ꢀ°C,ꢀunlessꢀotherwiseꢀspecified

Tableꢀ2ꢀꢀꢀꢀꢀMaximumꢀratings

Values

Typ.

Parameter

Symbol

Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition

Max.

Min.

V_GS=10ꢀV,ꢀT_C=25ꢀ°C

V_GS=10ꢀV,ꢀT_C=100ꢀ°C

V_GS=4.5ꢀV,ꢀT_C=25ꢀ°C

Continuous drain current

I_D

V_GS=4.5ꢀV,ꢀT_C=100ꢀ°C

V_GS=4.5ꢀV,ꢀT_A=25ꢀ°C,ꢀR_thJA=60ꢀK/W¹⁾

Pulsed drain current²⁾

I_D,pulse

I_AS

160

T_C=25ꢀ°C

Avalanche current, single pulse³⁾

Avalanche energy, single pulse

Gate source voltage

T_C=25ꢀ°C

E_AS

V_GS

I_D=20ꢀA,ꢀR_GS=25ꢀΩ

-20

2.1

T_C=25ꢀ°C

T_A=25ꢀ°C,ꢀR_thJA=60ꢀK/W

Power dissipation

P_tot

IEC climatic category;

DIN IEC 68-1: 55/150/56

Operating and storage temperature

T_j,ꢀT_stg

-55

150

°C

3ꢀꢀꢀꢀꢀThermalꢀcharacteristics

Tableꢀ3ꢀꢀꢀꢀꢀThermalꢀcharacteristics

Values

Typ.

Parameter

Symbol

Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition

Min.

Max.

Thermal resistance, junction - case

R_thJC

R_thJA

4.6

K/W

Device on PCB,

6 cm²cooling area³⁾

¹⁾Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm²(one layer, 70 µm thick) copper area for drain

connection. PCB is vertical in still air.

²⁾See figure 3 for more detailed information

³⁾See figure 13 for more detailed information

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Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2015-04-27

OptiMOS^TM5ꢀPower-MOSFET,ꢀ30ꢀV

BSZ0506NS

4ꢀꢀꢀꢀꢀElectricalꢀcharacteristics

Tableꢀ4ꢀꢀꢀꢀꢀStaticꢀcharacteristics

Values

Typ.

Parameter

Symbol

Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition

Max.

Min.

Drain-source breakdown voltage

Gate threshold voltage

V_(BR)DSS

V_GS(th)

V_GS=0ꢀV,ꢀI_D=1ꢀmA

1.2

1.6

V_DS=V_GS,ꢀI_D=250ꢀµA

0.1

100

V_DS=24ꢀV,ꢀV_GS=0ꢀV,ꢀT_j=25ꢀ°C

V_DS=24ꢀV,ꢀV_GS=0ꢀV,ꢀT_j=125ꢀ°C

Zero gate voltage drain current

Gate-source leakage current

Drain-source on-state resistance

I_DSS

µA

I_GSS

100

V_GS=20ꢀV,ꢀV_DS=0ꢀV

4.4

3.5

5.3

4.4

V_GS=4.5ꢀV,ꢀI_D=20ꢀA

V_GS=10ꢀV,ꢀI_D=20ꢀA

R_DS(on)

mΩ

Gate resistance

R_G

g_fs

1.7

Ω

Transconductance

|V_DS|>2|I_D|R_DS(on)max,ꢀI_D=30ꢀA

Tableꢀ5ꢀꢀꢀꢀꢀDynamicꢀcharacteristics

Values

Typ.

700

Parameter

Symbol

Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition

Min.

Max.

950

300

Input capacitance¹⁾

Output capacitance¹⁾

C_iss

C_oss

C_rss

V_GS=0ꢀV,ꢀV_DS=15ꢀV,ꢀf=1ꢀMHz

220

Reverse transfer capacitance

V_DD=15ꢀV,ꢀV_GS=10ꢀV,ꢀI_D=30ꢀA,

R_G,ext=1.6ꢀΩ

Turn-on delay time

Rise time

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

2.3

2.4

V_DD=15ꢀV,ꢀV_GS=10ꢀV,ꢀI_D=30ꢀA,

R_G,ext=1.6ꢀΩ

V_DD=15ꢀV,ꢀV_GS=10ꢀV,ꢀI_D=30ꢀA,

R_G,ext=1.6ꢀΩ

Turn-off delay time

Fall time

V_DD=15ꢀV,ꢀV_GS=10ꢀV,ꢀI_D=30ꢀA,

R_G,ext=1.6ꢀΩ

2.0

Tableꢀ6ꢀꢀꢀꢀꢀGateꢀchargeꢀcharacteristics²⁾ꢀ

Values

Typ.

1.9

Parameter

Symbol

Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition

Min.

Max.

Gate to source charge

Gate charge at threshold

Gate to drain charge

Switching charge

Q_gs

V_DD=15ꢀV,ꢀI_D=30ꢀA,ꢀV_GS=0ꢀtoꢀ4.5ꢀV

V_DD=15ꢀV,ꢀI_D=30ꢀA,ꢀV_GS=0ꢀtoꢀ10ꢀV

V_DS=0.1ꢀV,ꢀV_GS=0ꢀtoꢀ4.5ꢀV

Q_g(th)

Q_gd

1.1

1.4

Q_sw

2.2

Gate charge total

Q_g

5.2

7.2

Gate plateau voltage

Gate charge total

V_plateau

Q_g

2.7

Gate charge total, sync. FET

Output charge

Q_g(sync)

Q_oss

4.8

7.2

V_DD=15ꢀV,ꢀV_GS=0ꢀV

¹⁾Defined by design. Not subject to production test.

²⁾See ″Gate charge waveforms″ for parameter definition

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2015-04-27

OptiMOS^TM5ꢀPower-MOSFET,ꢀ30ꢀV

BSZ0506NS

Tableꢀ7ꢀꢀꢀꢀꢀReverseꢀdiode

Values

Parameter

Symbol

Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition

Max.

Min.

Typ.

Diode continuous forward current

Diode pulse current

I_S

160

1.1

T_C=25ꢀ°C

I_S,pulse

V_SD

Q_rr

T_C=25ꢀ°C

Diode forward voltage

0.81

V_GS=0ꢀV,ꢀI_F=20ꢀA,ꢀT_j=25ꢀ°C

V_R=15ꢀV,ꢀI_F=30A,ꢀdi_F/dt=400ꢀA/µs

Reverse recovery charge

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2015-04-27

OptiMOS^TM5ꢀPower-MOSFET,ꢀ30ꢀV

BSZ0506NS

5ꢀꢀꢀꢀꢀElectricalꢀcharacteristicsꢀdiagrams

Diagramꢀ1:ꢀPowerꢀdissipation

Diagramꢀ2:ꢀDrainꢀcurrent

10 V

4.5 V

120

160

120

160

T_Cꢀ[°C]

P_tot=f(T_C)

I_D=f(T_C);ꢀparameter:ꢀV_GS

Diagramꢀ3:ꢀSafeꢀoperatingꢀarea

Diagramꢀ4:ꢀMax.ꢀtransientꢀthermalꢀimpedance

10³

10¹

1 µs

0.5

10²

10 µs

10⁰

0.2

0.1

0.05

0.02

100 µs

1 ms

10¹

0.01

10^-1

10 ms

single pulse

10⁰

10^-1

10^-2

10^-1

10⁰

10¹

10²

10^-6

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

V_DSꢀ[V]

t_pꢀ[s]

I_D=f(V_DS);ꢀT_C=25ꢀ°C;ꢀD=0;ꢀparameter:ꢀt_p

Z_thJC=f(t_p);ꢀparameter:ꢀD=t_p/T

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2015-04-27

OptiMOS^TM5ꢀPower-MOSFET,ꢀ30ꢀV

BSZ0506NS

Diagramꢀ5:ꢀTyp.ꢀoutputꢀcharacteristics

Diagramꢀ6:ꢀTyp.ꢀdrain-sourceꢀonꢀresistance

160

140

120

100

4.5 V

3.5 V

5 V

3.5 V

10 V

4 V

4.5 V

3.2 V

5 V

7 V

6 V

8 V

10 V

3 V

2.8 V

V_DSꢀ[V]

I_Dꢀ[A]

I_D=f(V_DS);ꢀT_j=25ꢀ°C;ꢀparameter:ꢀV_GS

R_DS(on)=f(I_D);ꢀT_j=25ꢀ°C;ꢀparameter:ꢀV_GS

Diagramꢀ7:ꢀTyp.ꢀtransferꢀcharacteristics

Diagramꢀ8:ꢀTyp.ꢀforwardꢀtransconductance

160

200

160

120

150 °C

25 °C

120

160

V_GSꢀ[V]

I_Dꢀ[A]

I_D=f(V_GS);ꢀ|V_DS|>2|I_D|R_DS(on)max;ꢀparameter:ꢀT_j

g_fs=f(I_D);ꢀT_j=25ꢀ°C

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2015-04-27

OptiMOS^TM5ꢀPower-MOSFET,ꢀ30ꢀV

BSZ0506NS

Diagramꢀ9:ꢀDrain-sourceꢀon-stateꢀresistance

Diagramꢀ10:ꢀTyp.ꢀgateꢀthresholdꢀvoltage

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

typ

-60

-20

100

140

180

-60

-20

100

140

180

T_jꢀ[°C]

R_DS(on)=f(T_j);ꢀI_D=30ꢀA;ꢀV_GS=10ꢀV

V_GS(th)=f(T_j);ꢀV_GS=V_DS;ꢀI_D=250ꢀµA

Diagramꢀ11:ꢀTyp.ꢀcapacitances

Diagramꢀ12:ꢀForwardꢀcharacteristicsꢀofꢀreverseꢀdiode

10⁴

10³

25 °C

150 °C

10³

10²

10¹

10²

10¹

10⁰

Ciss

Coss

Crss

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

V_DSꢀ[V]

V_SDꢀ[V]

C=f(V_DS);ꢀV_GS=0ꢀV;ꢀf=1ꢀMHz

I_F=f(V_SD);ꢀparameter:ꢀT_j

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2015-04-27

OptiMOS^TM5ꢀPower-MOSFET,ꢀ30ꢀV

BSZ0506NS

Diagramꢀ13:ꢀAvalancheꢀcharacteristics

Diagramꢀ14:ꢀTyp.ꢀgateꢀcharge

10²

15 V

24 V

6 V

25 °C

10¹

100 °C

125 °C

10⁰

10¹

10²

10³

t_AVꢀ[µs]

Q_gateꢀ[nC]

I_AS=f(t_AV);ꢀR_GS=25ꢀΩ;ꢀparameter:ꢀT_j(start)

V_GS=f(Q_gate);ꢀI_D=30ꢀAꢀpulsed;ꢀparameter:ꢀV_DD

Diagramꢀ15:ꢀDrain-sourceꢀbreakdownꢀvoltage

Gate charge waveforms

-60

-20

100

140

180

T_jꢀ[°C]

V_BR(DSS)=f(T_j);ꢀI_D=1ꢀmA

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2015-04-27

OptiMOS^TM5ꢀPower-MOSFET,ꢀ30ꢀV

BSZ0506NS

6ꢀꢀꢀꢀꢀPackageꢀOutlines

Figureꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀOutlineꢀPG-TSDSON-8ꢀFL,ꢀdimensionsꢀinꢀmm/inches

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2015-04-27

OptiMOS^TM5ꢀPower-MOSFET,ꢀ30ꢀV

BSZ0506NS

RevisionꢀHistory

BSZ0506NS

Revision:ꢀ2015-04-27,ꢀRev.ꢀ2.0

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2.0

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Release of final version

2015-04-27

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automotive,ꢀaviationꢀandꢀaerospaceꢀapplicationsꢀorꢀsystemsꢀonlyꢀwithꢀtheꢀexpressꢀwrittenꢀapprovalꢀofꢀInfineonꢀTechnologies,ꢀifꢀa

failureꢀofꢀsuchꢀcomponentsꢀcanꢀreasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀcauseꢀtheꢀfailureꢀofꢀthatꢀlife-support,ꢀautomotive,ꢀaviationꢀand

aerospaceꢀdeviceꢀorꢀsystemꢀorꢀtoꢀaffectꢀtheꢀsafetyꢀorꢀeffectivenessꢀofꢀthatꢀdeviceꢀorꢀsystem.ꢀLifeꢀsupportꢀdevicesꢀorꢀsystemsꢀare

intendedꢀtoꢀbeꢀimplantedꢀinꢀtheꢀhumanꢀbodyꢀorꢀtoꢀsupportꢀand/orꢀmaintainꢀandꢀsustainꢀand/orꢀprotectꢀhumanꢀlife.ꢀIfꢀtheyꢀfail,ꢀitꢀis

reasonableꢀtoꢀassumeꢀthatꢀtheꢀhealthꢀofꢀtheꢀuserꢀorꢀotherꢀpersonsꢀmayꢀbeꢀendangered.

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BSZ0506NSATMA1产品参数

型号:	BSZ0506NSATMA1
是否无铅：	不含铅
是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active
IHS 制造商：	INFINEON TECHNOLOGIES AG
包装说明：	TSDSON-8FL, 8 PIN
Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	26 weeks
风险等级：	0.91
Samacsys Description：	BSZ0506NSATMA1 N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V OptiMOS 5, 8-Pin TSDSON Infineon
雪崩能效等级（Eas）：	20 mJ
外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	15 A
最大漏源导通电阻：	0.0053 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-PDSO-N3
湿度敏感等级：	1
元件数量：	1
端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A
表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

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