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产品型号BSP20A的Datasheet PDF文件预览

SMD Type  
Transistors  
NPN Silicon Epitaxial Transistor  
BSP20A  
SOT-223  
Unit: mm  
+0.2  
3.50  
-0.2  
+0.2  
6.50  
-0.2  
Features  
+0.2  
0.90  
-0.2  
+0.1  
3.00  
-0.1  
High Voltage: V(BR)CEO of 250 and 350 Volts.  
Available in 12 mm Tape and Reel  
+0.3  
7.00  
-0.3  
4
1 Base  
2 Collector  
1
2
3
+0.1  
0.70  
-0.1  
3 Emitter  
2.9  
4.6  
4 Collector  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25  
Parameter  
Collector-Emitter Voltage (Open Base)  
Collector-Base Voltage (Open Emitter)  
Emitter-Base Voltage (Open Collector)  
Collector Current (DC)  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
250  
Unit  
V
300  
V
5
V
1000  
0.8  
mA  
Watts  
mW/  
Total Power Dissipation @ TA = 25  
Derate above 25  
*
PD  
6.4  
Storage Temperature Range  
Junction Temperature  
Tstg  
TJ  
-65 to 150  
150  
Thermal Resistance from Junction-to-Ambient  
Maximum Temperature for Soldering Purposes  
Time in Solder Bath  
RèJA  
156  
/W  
260  
TL  
10  
Sec  
* Device mounted on a FR-4 glass epoxy printed circuit board using minimum recommended footprint.  
Electrical Characteristics Ta = 25  
Parameter  
Symbol  
V(BR)CEO  
ICBO  
Testconditons  
IC = 1.0 mA, IB = 0  
Min  
250  
Typ  
Max  
Unit  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector-Base Cutoff Current  
Emitter-Base Cutoff Current  
V
VCB = 400 V, IE = 0  
20  
10  
nA  
mA  
IEBO  
VEB = 5.0 V, IC = 0  
DC Current Gain *  
hFE  
IC = 20 mA, VCE = 10 V  
IC = 10 mA, VCE = 10 V, f = 5.0 MHz  
IC = 50 mA, IB = 4.0 mA  
IC = 50 mA, IB = 4.0 mA  
40  
70  
Current-Gain — Bandwidth Product *  
Collector-Emitter Saturation Voltage *  
Base-Emitter Saturation Voltage *  
fT  
MHz  
V
VCE(sat)  
VBE(sat)  
0.5  
1.3  
V
* Pulse Test: Pulse Width  
300 ìs, Duty Cycle = 2.0%  
Marking  
Marking  
SP20A  
1
www.kexin.com.cn  
配单直通车
BSP20A产品参数
型号:BSP20A
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:MOTOROLA INC
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.74
Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:250 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40
JEDEC-95代码:TO-261AA
JESD-30 代码:R-PDSO-G4
元件数量:1
端子数量:4
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):70 MHz
VCEsat-Max:0.5 V
Base Number Matches:1
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