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产品型号BSP319的概述

芯片BSP319的概述 BSP319是一款集成电路芯片，广泛应用于电子设备中。该芯片在数字和模拟电路中表现出优异的性能，受到许多工程师的青睐。其设计目的在于提供高效率和低功耗的解决方案，适合于多种应用场景，如音频放大、信号处理、传感器接口等。芯片BSP319的详细参数 BSP319的技术参数丰富，能够满足不同用户的需求。以下是该芯片的一些主要参数： - 工作电压(Vcc)：通常为3V至15V，适用于便携式设备和工业应用。 - 最大输出电流：约为600mA，能够驱动大部分负载。 - 工作频率：在标准操作下，工作频率可达1MHz，适合高速信号处理。 - 封装类型：提供DIP、SOIC等多种封装形式，方便不同电路板设计的需要。 - 温度范围：-40°C至85°C，适合各种工作环境。 - 增益带宽积：通常为10MHz，表明其在高频信号处理上的能力。芯片BSP319的厂家、包装、封装 BS...

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BSP 319

SIPMOS Small-Signal Transistor

• N channel

• Enhancement mode

• Logic Level

• Avalanche rated

• V

= 1.2 ...2.0 V

GS(th)

Pin 1 Pin 2 Pin 3 Pin 4

Type

DS(on)

Package

Marking

BSP 319

50 V

3.8 A

0.07 Ω

SOT-223

BSP 319

Type

Ordering Code

Tape and Reel Information

BSP 319

Q67000-S273

E6327

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

3.8

Unit

Continuous drain current

T = 29 °C

DC drain current, pulsed

Dpuls

T = 25 °C

Avalanche energy, single pulse

Ω

I = 3.8 A, V = 25 V, R = 25

L = 6.2 mH, T = 25 °C

Gate source voltage

Gate-source peak voltage,aperiodic

Power dissipation

tot

T = 25 °C

1.8

Semiconductor Group

Sep-12-1996

BSP 319

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Chip or operating temperature

Storage temperature

-55 ... + 150 °C

-55 ... + 150

stg

Thermal resistance, chip to ambient air

Therminal resistance, junction-soldering point ¹⁾

DIN humidity category, DIN 40 040

IEC climatic category, DIN IEC 68-1

≤ 70

K/W

thJA

thJS

≤

55 / 150 / 56

1) Transistor on epoxy pcb 40 mm x 40 mm x 1,5 mm with 6 cm²copper area for drain connection

Electrical Characteristics, at T = 25°C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Values

typ.

Unit

min.

max.

Static Characteristics

Drain- source breakdown voltage

(BR)DSS

GS(th)

DSS

= 0 V, I = 0.25 mA, T = 0 °C

Gate threshold voltage

I = 1 mA

1.2

1.6

GS DS, D

Zero gate voltage drain current

µA

= 50 V, V = 0 V, T = 25 °C

0.1

= 50 V, V = 0 V, T = 125 °C

100

Gate-source leakage current

= 20 V, V = 0 V

GSS

100

Ω

Drain-Source on-state resistance

= 5 V, I = 2.4 A

DS(on)

0.06

0.07

Semiconductor Group

Sep-12-1996

BSP 319

Electrical Characteristics, at T = 25°C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Values

typ.

Unit

min.

max.

Dynamic Characteristics

Transconductance

≥

2 I

R I = 2.4 A

* D * DS(on)max, D

Input capacitance

= 0 V, V = 25 V, f = 1 MHz

iss

750

240

120

1000

360

180

Output capacitance

= 0 V, V = 25 V, f = 1 MHz

oss

Reverse transfer capacitance

= 0 V, V = 25 V, f = 1 MHz

rss

Turn-on delay time

= 30 V, V = 5 V, I = 0.3 A

d(on)

Ω

= 50

Rise time

= 30 V, V = 5 V, I = 0.3 A

Ω

= 50

Turn-off delay time

= 30 V, V = 5 V, I = 0.3 A

d(off)

= 50 Ω

210

120

260

160

Fall time

= 30 V, V = 5 V, I = 0.3 A

= 50 Ω

Semiconductor Group

Sep-12-1996

BSP 319

Electrical Characteristics, at T = 25°C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Values

typ.

Unit

min.

max.

Reverse Diode

Inverse diode continuous forward current I

T = 25 °C

3.8

1.3

Inverse diode direct current,pulsed

T = 25 °C

Inverse diode forward voltage

= 0 V, I = 7.6 A, T = 25 °C

0.95

0.07

Reverse recovery time

µC

V = 30 V, I l di /dt = 100 A/µs

F S,

Reverse recovery charge

V = 30 V, I l di /dt = 100 A/µs

F S,

Semiconductor Group

Sep-12-1996

BSP 319

Power dissipation

Drain current

I = (T )

D A

= (T )

tot

≥

parameter: V

5 V

2.0

4.0

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

3.2

I_D

P_tot

2.8

2.4

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

0.0

80 100 120

°C 160

T_A

80 100 120

°C 160

T_A

Safe operating area I =f(V

)

Transient thermal impedance

parameter : D = 0, T =25°C

= (t )

th JA

parameter: D = t / T

10 ²

K/W

10 ¹

Z_thJC

10 ⁰

10 ^-1

10 ^-2

10 ^-3

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

single pulse

10 ^-4

0.01

10 ^-5

10 ^-810 ^-710 ^-610 ^-510 ^-410 ^-310 ^-210 ^-1s 10 ⁰

t_p

Semiconductor Group

Sep-12-1996

BSP 319

Typ. output characteristics

ƒ(

Typ. drain-source on-resistance

ƒ(

I =

)

I )

DS (on)

parameter: t = 80 µs , T = 25 °C

parameter: t = 80 µs, T = 25 °C

p j

0.22

_tot= 2W

Ω

[V]

0.18

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

6.0

7.0

8.0

9.0

10.0

I_D

R_{DS (on)}

0.16

0.14

0.12

0.10

0.08

0.06

0.04

khif g d ce

[V] =

0.02

0.00

2.05 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

5.0

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

5.0

V_DS

I_D

Typ. transfer characteristics I = f(V

)

Typ. forward transconductance g = f (I )

parameter: t = 80 µs

parameter: t = 80 µs,

I_D

g_fs

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

V_GS

5.0

10 12 14

I_D

Semiconductor Group

Sep-12-1996

BSP 319

Drain-source on-resistance

Gate threshold voltage

= (T )

GS (th) j

= (T )

DS (on)

parameter: I = 2.4 A, V = 5 V

parameter: V = V , I = 1 mA

GS DS D

0.17

4.6

Ω

4.0

0.14

R_{DS (on)}

V_GS(th)

3.6

3.2

2.8

2.4

2.0

1.6

1.2

0.8

0.12

0.10

0.08

0.06

0.04

98%

typ

98%

typ

0.02

0.00

0.4

0.0

-60

-20

100

°C

T_j

160

-60

-20

100

°C

T_j

160

Typ. capacitances

Forward characteristics of reverse diode

C = f (V )

I = (V

)

parameter: T , t = 80 µs

parameter:V =0V, f = 1 MHz

10 ¹

10 ²

I_F

10 ⁰

10 ^-1

10 ^-2

10 ¹

10 ⁰

10 ^-1

C_iss

C_oss

C_rss

T_j= 25 °C typ

T_j= 150 °C typ

T_j= 25 °C (98%)

T_j= 150 °C (98%)

V_DS

0.0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

V_SD

3.0

Sep-12-1996

Semiconductor Group

BSP 319

Avalanche energy E = (T )

Drain-source breakdown voltage

= (T )

(BR)DSS j

parameter: I = 3.8 A, V = 25 V

Ω

= 25 , L = 6.2 mH

100

E_AS

V_(BR)DSS

100

120

°C

T_j

160

-60

-20

100

°C

T_j

160

Safe operating area I =f(V

)

parameter : D = 0.01, T =25°C

Semiconductor Group

Sep-12-1996

BSP 319

Package outlines

SOT-223

Dimensions in mm

Semiconductor Group

Sep-12-1996

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BSP319产品参数

型号:	BSP319
生命周期：	Obsolete
IHS 制造商：	INFINEON TECHNOLOGIES AG
零件包装代码：	SOT-223
包装说明：	SOT-223, 4 PIN
针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.3
Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	50 V
最大漏极电流 (ID)：	3.8 A
最大漏源导通电阻：	0.07 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1
端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.8 W
认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

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