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    • BTX18-400图

    • 北京首天国际有限公司

       该会员已使用本站16年以上
    • BTX18-400
    • 数量10 
    • 厂家N/A 
    • 封装TO39 
    • 批号2024+ 
    • 百分百原装正品，现货库存
    • QQ:528164397QQ：528164397 复制
      QQ:1318502189QQ：1318502189 复制
    • 010-62565447 QQ:528164397QQ:1318502189
    • BTX18-400图

    • 上海熠富电子科技有限公司

       该会员已使用本站15年以上
    • BTX18-400
    • 数量4510 
    • 厂家MSC 
    • 封装CAN/TO-3 
    • 批号2023 
    • 上海原装现货库存，欢迎查询！
    • QQ:2719079875QQ：2719079875 复制
      QQ:2300949663QQ：2300949663 复制
    • 15821228847 QQ:2719079875QQ:2300949663
    • BTX18-400图

    • 深圳市一线半导体有限公司

       该会员已使用本站16年以上
    • BTX18-400
    • 数量22000 
    • 厂家原厂品牌 
    • 封装原厂外观 
    • 批号 
    • 全新原装部分现货其他订货
    • QQ:2881493920QQ：2881493920 复制
      QQ:2881493921QQ：2881493921 复制
    • 0755-88608801多线 QQ:2881493920QQ:2881493921

    产品型号BTX18-500的Datasheet PDF文件预览

    BTX18-100/BTX18-200/BTX18-300  
    BTX18-400/BTX18-500  
    SILICON THYRISTORS  
    The BTX18 series is a range of p-gate reverse blocking thyristors, in a  
    TO-39 metal enveloppe, intended for use in general low power  
    applications up to a A average on-state current.  
    RATINGS  
    Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
    Anode to Cathode - Ratings  
    Voltage 1)  
    BTX18- BTX18- BTX18- BTX18- BTX18-  
    Symbol  
    Ratings  
    100  
    200  
    300  
    400  
    500  
    VR  
    Continuous Reverse Voltage  
    Crest Working Reverse Voltage  
    100  
    200  
    300  
    400  
    500  
    V
    V
    VRWM  
    VRRM  
    100  
    120  
    200  
    240  
    300  
    350  
    400  
    500  
    500  
    600  
    Repetitive Peak Reverse Voltage  
    (δ = 0.01 ; f=50Hz)  
    V
    Non-repetitive peak reverse voltage  
    (t<10ms)  
    VRSM  
    VDWM  
    VD  
    120  
    100  
    100  
    240  
    200  
    200  
    350  
    300  
    300  
    500  
    400  
    400  
    600  
    500  
    500  
    V
    V
    V
    Crest Working off-state Voltage  
    Continuous off-state Voltage  
    Repetitive peak off-state voltage  
    (δ = 0.01 ; f=50Hz)  
    Non-repetitive peak off-state voltage  
    (t<10ms)  
    VDRM  
    VDSM  
    120  
    120  
    240  
    240  
    350  
    350  
    500  
    500  
    600 V²)  
    600 V²)  
    Currents  
    BTX18- BTX18- BTX18- BTX18- BTX18-  
    Symbol  
    Ratings  
    100  
    200  
    300  
    400  
    500  
    TCASE=105°C  
    Average on-state current  
    (averaged over any 20  
    ms period)  
    Max : 1.0  
    A
    IT(AV)  
    T
    AMB=60°C, in  
    Max : 250  
    mA  
    free air  
    On-state Current (D.C.)  
    IT  
    Max : 1.6  
    Max : 1.6  
    A
    A
    T
    CASE=100°C  
    IT(RMS)  
    RMS on-state Current  
    CO MSET SEMICO N DUCTO RS  
    1/4  
    BTX18-100/BTX18-200/BTX18-300  
    BTX18-400/BTX18-500  
    BTX18- BTX18- BTX18- BTX18- BTX18-  
    Symbol  
    ITRM  
    Ratings  
    100  
    200  
    300  
    400  
    500  
    Repetitive Peak on-state Current  
    Max : 10  
    A
    V
    Non-repetitive peak on-state current  
    t=10ms ; TJ=125°C prior to surge  
    ITSM  
    10 A  
    TJ  
    Tstg  
    Max : 125°C  
    -55 to +125°C  
    Junction Temperature  
    Storage Temperature  
    °C  
    1) These ratings apply for zero or negative bias on the gate with respect to the cathode, and when a  
    resistor R<1 kΩ is connected between gate and cathode  
    2) The device is not suitable for operation in the forward breakover mode.  
    Gate to Cathode - Ratings  
    With 1Ω resistor between gate and cathode  
    BTX18 BTX18 BTX18 BTX18 BTX18  
    Symbol  
    Ratings  
    -100  
    -200  
    -300  
    -400  
    -500  
    VFGM  
    VRGM  
    IFGM  
    Forward Peak Voltage  
    V
    V
    A
    Max : 10 V  
    Max : 5 V  
    Max : 0.2  
    Reverse Peak Voltage  
    Forward Peak Current  
    Average Power Dissipation (averaged over  
    any 20 ms period)  
    PG(AV)  
    PGM  
    W
    W
    Max : 0.05  
    Max : 0.5  
    Peak Power Dissipation  
    Temperatures  
    Symbol  
    BTX18 BTX18 BTX18 BTX18 BTX18  
    Ratings  
    -100  
    -200  
    -300  
    -400  
    -500  
    Rth j-c  
    Rth j-a  
    Zth j-c  
    From Junction to Case  
    10  
    °C/W  
    °C/W  
    °C/W  
    From Junction to Ambient  
    200  
    2.5  
    Transient Thermal Resistance (t=10 ms)  
    Anode to Cathode - Characteristics  
    Symbol Ratings  
    VT  
    BTX18 BTX18 BTX18 BTX18 BTX18  
    -100  
    -200  
    -300  
    -400  
    -500  
    On State Voltage  
    IT=1.0 A, Tj=25°C  
    <
    1.5  
    1.5  
    1.5  
    1.5  
    1.5  
    V1)  
    CO MSET SEMICO N DUCTO RS  
    2/4  
    BTX18-100/BTX18-200/BTX18-300  
    BTX18-400/BTX18-500  
    BTX18 BTX18 BTX18 BTX18 BTX18  
    Symbol  
    IRM  
    Ratings  
    -100  
    -200  
    -300  
    -400  
    -500  
    Peak Reverse Current  
    RM=VRWmax ; Tj=125°C  
    Peak off-state Current  
    DM=VDWmax ; Tj=125°C  
    <
    <
    800  
    400  
    275  
    200  
    160  
    µA  
    µA  
    V
    IDM  
    800  
    400  
    275  
    200  
    160  
    V
    IL  
    Latching current, Tj=125°C  
    Holding Current ; Tj=25°C  
    Typ : 10  
    5.0 ²)  
    mA  
    mA  
    IH  
    <
    Gate to Cathode – Characteristics  
    BTX18 BTX18 BTX18 BTX18 BTX18  
    Symbol  
    VGT  
    Ratings  
    -100  
    -200  
    -300  
    -400  
    -500  
    Voltage that will trigger all devices  
    Tj=25°C  
    Voltage that will not trigger any device  
    Tj=125°C  
    Current that vill trigger all devices  
    Tj=25°C  
    >
    <
    >
    2.0  
    V
    VGD  
    IGT  
    200  
    5.0  
    mV  
    mA  
    Switching Characteristics  
    BTX18 BTX18 BTX18 BTX18 BTX18  
    Symbol  
    Ratings  
    -100  
    -200  
    -300  
    Type : 20  
    Typ : 35  
    275  
    -400  
    -500  
    Tj=25°C  
    Turn off time when switched from  
    IT=300 mA to IR=175 mA  
    tq  
    <
    µs  
    µs  
    Tj=125°C  
    Peak off-state Current  
    DM=VDWmax ; Tj=125°C  
    IDM  
    800  
    400  
    200  
    160  
    V
    1) VT is measured along the leads at 1 cm from the case  
    2) Measurer under the following conditiond :  
    Anode sypply voltage= +6.0V  
    Initial on-state current after gate triggering= 50mA  
    The current is reduced until the device turns of.  
    CO MSET SEMICO N DUCTO RS  
    3/4  
    BTX18-100/BTX18-200/BTX18-300  
    BTX18-400/BTX18-500  
    MECHANICAL DATA CASE TO-39  
    DIMENSIONS  
    mm inches  
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    6,71  
    13,2  
    9,23  
    8,34  
    0,8  
    0,26  
    0,51  
    0,36  
    0,32  
    0,03  
    0,03  
    0,8  
    G
    H
    L
    0,42 0,016  
    45°  
    4,97  
    0,2  
    Pin 1 :  
    Pin 2 :  
    Pin 3 :  
    Kathode  
    Gate  
    Anode  
    CO MSET SEMICO N DUCTO RS  
    4/4  
    配单直通车
    •  
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    • 数量*
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