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    • 北京元坤伟业科技有限公司

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    • 北京元坤伟业科技有限公司

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    • 北京中其伟业科技有限公司

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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    产品型号BTA08-400S的Datasheet PDF文件预览

    BTA08 S/A  
    BTB08 S/A  
    SENSITIVE GATE TRIACS  
    FEATURES  
    .
    .
    .
    VERY LOW I = 10mA max  
    GT  
    LOW I = 25mA max  
    H
    BTA Family :  
    INSULATINGVOLTAGE = 2500V  
    (UL RECOGNIZED : E81734)  
    (RMS)  
    DESCRIPTION  
    A1  
    A2  
    The BTA/BTB08 S/A triac family are high perform-  
    ance glass passivated PNPN devices.  
    G
    These parts are suitables for general purpose ap-  
    plications where gate high sensitivity is required.  
    Application on 4Q such as phase control and static  
    switching.  
    TO220AB  
    (Plastic)  
    ABSOLUTE RATINGS (limiting values)  
    Symbol  
    Parameter  
    Value  
    Unit  
    I
    RMS on-state current  
    (360° conduction angle)  
    BTA  
    BTB  
    Tc = 75°C  
    Tc = 80°C  
    tp = 8.3 ms  
    tp = 10 ms  
    tp = 10 ms  
    8
    A
    T(RMS)  
    I
    Non repetitive surge peak on-state current  
    ( Tj initial = 25°C )  
    84  
    80  
    32  
    10  
    A
    TSM  
    2
    I t  
    2
    2
    A s  
    I t value  
    dI/dt  
    Critical rate of rise of on-state current  
    Repetitive  
    F = 50 Hz  
    A/µs  
    Gate supply : I = 50mA di /dt = 0.1A/µs  
    G
    G
    Non  
    50  
    Repetitive  
    Tstg  
    Tj  
    Storage and operating junction temperature range  
    - 40 to + 150  
    - 40 to + 110  
    °C  
    °C  
    Tl  
    Maximum lead temperature for soldering during 10 s at 4.5 mm  
    from case  
    260  
    °C  
    Symbol  
    Parameter  
    BTA / BTB08-  
    Unit  
    400 S/A  
    600 S/A  
    700 S/A  
    V
    V
    Repetitive peak off-state voltage  
    Tj = 110°C  
    400  
    600  
    700  
    V
    DRM  
    RRM  
    1/5  
    March 1995  
    BTA08 S/A / BTB08 S/A  
    THERMAL RESISTANCES  
    Symbol  
    Parameter  
    Value  
    60  
    Unit  
    °C/W  
    °C/W  
    Rth (j-a)  
    Junction to ambient  
    Rth (j-c) DC Junction to case for DC  
    BTA  
    BTB  
    BTA  
    BTB  
    4.4  
    3.2  
    Rth (j-c) AC Junction to case for 360° conduction angle  
    3.3  
    °C/W  
    ( F= 50 Hz)  
    2.4  
    GATE CHARACTERISTICS (maximum values)  
    P
    = 1W  
    P
    GM  
    = 10W (tp = 20 µs)  
    I
    = 4A (tp = 20 µs)  
    V = 16V (tp = 20 µs).  
    GM  
    G (AV)  
    GM  
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
    Symbol  
    Test Conditions  
    Quadrant  
    Suffix  
    Unit  
    S
    A
    I
    V =12V (DC) R =33Ω  
    Tj=25°C  
    I-II-III  
    IV  
    MAX  
    MAX  
    MAX  
    MIN  
    10  
    10  
    10  
    25  
    mA  
    GT  
    D
    L
    V
    V =12V (DC) R =33Ω  
    Tj=25°C  
    Tj=110°C  
    Tj=25°C  
    I-II-III-IV  
    I-II-III-IV  
    I-II-III-IV  
    1.5  
    0.2  
    2
    V
    V
    GT  
    D
    L
    V
    V =V  
    R =3.3kΩ  
    L
    GD  
    D
    DRM  
    DRM  
    tgt  
    V =V  
    I
    G
    = 40mA  
    TYP  
    µs  
    D
    dI /dt = 0.5A/µs  
    G
    I
    IG= 1.2 I  
    GT  
    Tj=25°C  
    I-III-IV  
    II  
    TYP  
    20  
    40  
    25  
    20  
    40  
    25  
    mA  
    L
    I
    *
    I = 100mA gate open  
    T
    Tj=25°C  
    Tj=25°C  
    Tj=25°C  
    Tj=110°C  
    Tj=110°C  
    MAX  
    MAX  
    MAX  
    MAX  
    MIN  
    mA  
    V
    H
    V
    *
    I
    = 11A tp= 380µs  
    1.75  
    0.01  
    0.75  
    TM  
    TM  
    I
    I
    V
    V
    Rated  
    Rated  
    mA  
    DRM  
    RRM  
    DRM  
    RRM  
    dV/dt *  
    Linear slope up to V =67%V  
    D
    gate open  
    10  
    5
    10  
    5
    V/µs  
    V/µs  
    DRM  
    (dV/dt)c * (dI/dt)c= 3.5A/ms  
    Tj=110°C  
    TYP  
    * For either polarity of electrode A2 voltage with reference to electrode A1.  
    2/5  
    BTA08 S/A / BTB08 S/A  
    ORDERING INFORMATION  
    Package  
    I
    V
    / V  
    DRM RRM  
    Sensitivity Specification  
    T(RMS)  
    A
    V
    S
    X
    X
    X
    X
    X
    X
    A
    X
    X
    X
    X
    X
    X
    BTA  
    (Insulated)  
    8
    400  
    600  
    700  
    400  
    600  
    700  
    BTB  
    (Uninsulated)  
    Fig.1 : Maximum RMS power dissipation versus RMS  
    on-state current (F=50Hz).  
    (curves are cut off by (dI/dt)c limitation)  
    Fig.2  
    :
    Correlation between maximum RMS power  
    amb  
    ) for different thermal resistances heatsink +  
    dissipation and maximum allowable temperatures (T  
    and T  
    case  
    contact (BTA).  
    Fig.3  
    :
    Correlation between maximum RMS power  
    amb  
    ) for different thermal resistances heatsink +  
    Fig.4 : RMS on-state current versus case temperature.  
    dissipation and maximum allowable temperatures (T  
    and T  
    case  
    contact (BTB).  
    3/5  
    BTA08 S/A / BTB08 S/A  
    Fig.5 : Relative variation of thermal impedance versus  
    pulse duration.  
    Fig.6 : Relative variation of gate trigger current and  
    holding current versus junction temperature.  
    Zth/Rth  
    1
    Zth(j-c)  
    0.1  
    Zth(j-a)  
    tp(s)  
    1E+2 5E+2  
    0.01  
    1E-3  
    1E-2  
    1E-1  
    1E+0  
    1E+1  
    Fig.7 : Non Repetitive surge peak on-state current  
    versus number of cycles.  
    Fig.8 : Non repetitive surge peak on-state current for a  
    sinusoidal pulse with width  
    :
    t
    ≤
    10ms, and  
    2
    corresponding value of I t.  
    Fig.9 : On-state characteristics (maximum values).  
    4/5  
    BTA08 S/A / BTB08 S/A  
    PACKAGE MECHANICAL DATA  
    TO220AB Plastic  
    REF.  
    DIMENSIONS  
    Millimeters  
    Min.  
    Inches  
    Min.  
    H
    Max.  
    10.50  
    15.87  
    14.70  
    6.85  
    4.50  
    3.00  
    4.82  
    4.00  
    1.39  
    0.65  
    2.70  
    5.58  
    1.20  
    0.96  
    Max.  
    0.413  
    0.625  
    0.579  
    0.270  
    0.178  
    0.119  
    0.190  
    0.158  
    0.055  
    0.026  
    0.107  
    0.22  
    A
    J
    G
    A
    B
    C
    D
    F
    10.20  
    14.23  
    12.70  
    5.85  
    0.401  
    0.560  
    0.500  
    0.230  
    I
    D
    B
    C
    G
    H
    I
    2.54  
    4.48  
    3.55  
    1.15  
    0.35  
    2.10  
    4.58  
    0.80  
    0.64  
    0.100  
    0.176  
    0.140  
    0.045  
    0.013  
    0.082  
    0.18  
    F
    O
    L
    J
    P
    L
    M
    N
    O
    P
    M
    N
    =
    =
    0.031  
    0.025  
    0.048  
    0.038  
    Cooling method : C  
    Marking : type number  
    Weight : 2.3 g  
    Recommended torque value : 0.8 m.N.  
    Maximum torque value : 1 m.N.  
    Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, SGS-THOMSON Microelectronics assumes no responsability  
    for the consequences of use of such information nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may  
    result from its use. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of SGS-THOMSON Microelectronics.  
    Specifications mentioned in this publication are subject to change without notice. This publication supersedes and replaces all  
    information previously supplied.  
    SGS-THOMSON Microelectronics products are not authorized for use as critical components in life support devices or systems  
    without express written approval of SGS-THOMSON Microelectronics.  
    1995 SGS-THOMSON Microelectronics - Printed in Italy - All rights reserved.  
    SGS-THOMSON Microelectronics GROUP OF COMPANIES  
    Australia - Brazil - France - Germany - Hong Kong - Italy - Japan - Korea - Malaysia - Malta - Morocco - The Nether-  
    lands - Singapore - Spain - Sweden - Switzerland - Taiwan - Thailand - United Kingdom - U.S.A.  
    5/5  
    配单直通车
    BTA08-400S产品参数
    型号:BTA08-400S
    是否Rohs认证： 符合
    生命周期：Obsolete
    IHS 制造商：STMICROELECTRONICS
    零件包装代码：TO-220AB
    包装说明：PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
    针数：3
    Reach Compliance Code：not_compliant
    HTS代码：8541.30.00.80
    风险等级：5.32
    其他特性：SENSITIVE GATE
    外壳连接：ISOLATED
    配置：SINGLE
    换向电压的临界上升率-最小值：1 V/us
    关态电压最小值的临界上升速率：10 V/us
    最大直流栅极触发电流：10 mA
    最大直流栅极触发电压：2.5 V
    最大维持电流：25 mA
    JEDEC-95代码：TO-220AB
    JESD-30 代码：R-PSFM-T3
    JESD-609代码：e3
    最大漏电流：0.5 mA
    元件数量：1
    端子数量：3
    最高工作温度：110 °C
    最低工作温度：-40 °C
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：FLANGE MOUNT
    峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
    认证状态：Not Qualified
    最大均方根通态电流：8 A
    断态重复峰值电压：400 V
    子类别：TRIACs
    表面贴装：NO
    端子面层：Matte Tin (Sn)
    端子形式：THROUGH-HOLE
    端子位置：SINGLE
    处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
    触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
    • 型号 *
    • 数量*
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