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产品型号BTA10的Datasheet PDF文件预览

BTA10 GP  
TRIACS  
FEATURES  
.
.
.
.
LOW I = 13mA max  
H
HIGH SURGE CURRENT : I  
= 120A  
TSM  
I
SPECIFIED IN FOUR QUADRANTS  
GT  
INSULATING VOLTAGE = 2500V  
(UL RECOGNIZED : E81734)  
(RMS)  
A1  
A2  
DESCRIPTION  
G
The BTA10 GP’s use high performance, glass pas-  
sivated chips.  
The insulated TO220AB package, the high surge  
current and low holding current make this family  
well adapted to LIGHT DIMMER applications.  
TO220AB  
(Plastic)  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values)  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
I
RMS on-state current  
(360° conduction angle)  
Tc = 90 °C  
10  
A
T(RMS)  
I
Non repetitive surge peak on-state current  
( Tj initial = 25°C )  
tp = 8.3 ms  
tp = 10 ms  
tp = 10 ms  
126  
120  
72  
A
TSM  
2
I t  
2
2
A s  
I t value  
dI/dt  
Critical rate of rise of on-state current  
Repetitive  
F = 50 Hz  
10  
A/µs  
Gate supply : I = 500mA di /dt = 1A/µs  
G
G
Non  
50  
Repetitive  
Tstg  
Tj  
Storage and operating junction temperature range  
- 40 to + 150  
- 40 to + 125  
°C  
°C  
Tl  
Maximum lead temperature for soldering during 10 s at 4.5 mm  
from case  
260  
°C  
Symbol  
Parameter  
BTA10-  
Unit  
400 GP  
400  
600 GP  
V
V
Repetitive peak off-state voltage  
Tj = 125 °C  
600  
V
DRM  
RRM  
1/4  
March 1995  
BTA10 GP  
THERMAL RESISTANCES  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Rth (j-a)  
Junction to ambient  
60  
4
Rth (j-c) DC Junction to case for DC  
Rth (j-c) AC Junction to case for 360° conduction angle  
3
( F= 50 Hz)  
GATE CHARACTERISTICS (maximum values)  
P
= 1W  
P
GM  
= 10W (tp = 20 µs)  
I
= 4A (tp = 20 µs)  
V = 16V (tp = 20 µs).  
GM  
G (AV)  
GM  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Test Conditions  
Quadrant  
Suffix  
GP  
50  
Unit  
I
V =12V (DC) R =33Ω  
Tj=25°C  
I-II-III  
IV  
MAX  
MAX  
MAX  
MIN  
mA  
GT  
D
L
75  
V
V =12V (DC) R =33Ω  
Tj=25°C  
Tj=110°C  
Tj=25°C  
I-II-III-IV  
I-II-III-IV  
I-II-III-IV  
1.5  
0.2  
2
V
V
GT  
D
L
V
V =V  
R =3.3kΩ  
L
GD  
D
DRM  
DRM  
tgt  
V =V  
I
= 500mA  
TYP  
µs  
D
G
dI /dt = 3A/µs  
G
I
L
I
=1.2 I  
Tj=25°C  
I-III-IV  
II  
TYP  
20  
40  
mA  
G GT  
I
*
I = 100mA gate open  
Tj=25°C  
Tj=25°C  
Tj=25°C  
Tj=110°C  
Tj=110°C  
MAX  
MAX  
MAX  
MAX  
MIN  
13  
mA  
V
H
T
V
*
I
= 14A tp= 380µs  
1.5  
0.01  
0.5  
30  
TM  
TM  
I
I
V
V
Rated  
Rated  
mA  
DRM  
RRM  
DRM  
RRM  
dV/dt *  
Linear slope up to V =67%V  
D
gate open  
V/µs  
V/µs  
DRM  
TYP  
MIN  
100  
1
(dV/dt)c * (dI/dt)c= 2.2A/ms  
Tj=110°C  
TYP  
10  
* For either polarity of electrode A2 voltage with reference to electrode A1.  
2/4  
BTA10 GP  
Fig.1 : Maximum RMS power dissipation versus RMS  
on-state current (F=50Hz).  
(curves are cut off by (dI/dt)c limitation)  
Fig.2  
:
Correlation between maximum RMS power  
dissipation and maximum allowable temperatures (T  
and T  
contact.  
amb  
) for different thermal resistances heatsink +  
case  
Tcase (oC)  
-85  
P (W)  
14  
P(W)  
14  
180 O  
Rth = 0 o C/W  
2.5o C/W  
= 180o  
= 120o  
= 90o  
= 60o  
5o C/W  
12  
10  
8
12  
10  
8
6
10o C/W  
-95  
-105  
-115  
-125  
6
= 30 o  
4
4
2
2
Tamb (oC)  
20 40  
I
(A)  
T(RMS)  
0
0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
60  
80  
100 120 140  
Fig.3 : RMS on-state current versus case temperature.  
Fig.4 : Relative variation of thermal impedance versus  
pulse duration.  
Zth/Rth  
1
I
(A)  
T(RMS)  
12  
10  
8
Zth(j-c)  
0.1  
Zth(j-a)  
6
= 180o  
4
2
Tcase(oC)  
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130  
tp(s)  
1E+2 5E+2  
0.01  
1E-3  
0
0
1E-2  
1E-1  
1E+0  
1E+1  
Fig.5 : Relative variation of gate trigger current and  
Fig.6 : Non repetitive surge peak on-state current  
holding current versus junction temperature.  
versus number of cycles.  
3/4  
BTA10 GP  
Fig.7 : Non repetitive surge peak on-state current for a  
Fig.8 : On-state characteristics (maximum values).  
sinusoidal pulse with width  
corresponding values of I t.  
:
t
10ms, and  
2
PACKAGE MECHANICAL DATA  
TO220AB Plastic  
REF.  
DIMENSIONS  
Millimeters Inches  
Min. Min.  
H
Max.  
10.50  
15.87  
14.70  
6.85  
4.50  
3.00  
4.82  
4.00  
1.39  
0.65  
2.70  
5.58  
1.20  
0.96  
Max.  
0.413  
0.625  
0.579  
0.270  
0.178  
0.119  
0.190  
0.158  
0.055  
0.026  
0.107  
0.22  
A
J
G
A
B
C
D
F
10.20  
14.23  
12.70  
5.85  
0.401  
0.560  
0.500  
0.230  
I
D
B
G
H
I
2.54  
4.48  
3.55  
1.15  
0.35  
2.10  
4.58  
0.80  
0.64  
0.100  
0.176  
0.140  
0.045  
0.013  
0.082  
0.18  
F
O
L
J
P
C
L
M
N
O
P
M
N
=
=
0.031  
0.025  
0.048  
0.038  
Cooling method : C  
Marking : type number  
Weight : 2.3 g  
Recommended torque value : 0.8 m.N.  
Maximum torque value : 1 m.N.  
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1995 SGS-THOMSON Microelectronics - Printed in Italy - All rights reserved.  
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lands - Singapore - Spain - Sweden - Switzerland - Taiwan - Thailand - United Kingdom - U.S.A.  
4/4  
配单直通车
BTA1-03-03-1-B-SB产品参数
型号:BTA1-03-03-1-B-SB
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:TE CONNECTIVITY LTD
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.66
相关军用规格:MIL-DTL-26482; MIL-DTL-83723
连接器支架类型:CONNECTOR ACCESSORY
DIN 符合性:NO
IEC 符合性:NO
MIL 符合性:YES
材料:ALUMINUM ALLOY
军用连接器配件名称:BACKSHELL
外壳尺寸:03
Base Number Matches:1
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