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    • BTA10-300C图

    • 北京元坤伟业科技有限公司

       该会员已使用本站17年以上
    • BTA10-300C
    • 数量5000 
    • 厂家ST 
    • 封装TO-220 
    • 批号16+ 
    • 百分百原装正品，现货库存
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    • BTA10-300CW图

    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • BTA10-300CW
    • 数量22000 
    • 厂家原厂品牌 
    • 封装原厂外观 
    • 批号 
    • 全新原装部分现货其他订货
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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • BTA10-300C
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    产品型号BTA10-400的Datasheet PDF文件预览

    BTA10  
    Discrete Triacs(Isolated)  
    T2  
    T1  
    Dimensions TO-220AB  
    Dim.  
    Inches  
    Min. Max.  
    Milimeter  
    Min. Max.  
    12.70 13.97  
    14.73 16.00  
    9.91 10.66  
    T2  
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    G
    H
    J
    K
    M
    N
    Q
    R
    0.500 0.550  
    0.580 0.630  
    0.390 0.420  
    0.139 0.161  
    0.230 0.270  
    0.100 0.125  
    0.045 0.065  
    0.110 0.230  
    0.025 0.040  
    G
    G
    T2  
    T1  
    3.54  
    5.85  
    2.54  
    1.15  
    2.79  
    0.64  
    2.54  
    4.32  
    1.14  
    0.35  
    2.29  
    4.08  
    6.85  
    3.18  
    1.65  
    5.84  
    1.01  
    BSC  
    4.82  
    1.39  
    0.56  
    2.79  
    VDRM/RRM VDSM/RSM  
    V
    V
    300  
    500  
    700  
    900  
    BTA10-200  
    200  
    400  
    600  
    800  
    BTA10-400  
    BTA10-600  
    BTA10-800  
    0.100  
    BSC  
    0.170 0.190  
    0.045 0.055  
    0.014 0.022  
    0.090 0.110  
    BTA10-1000  
    BTA10-1200  
    1000  
    1200  
    1100  
    1300  
    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
    Parameter  
    RMS on-state current (full sine wave)  
    V
    Unit  
    Symbol  
    I
    T(RMS)  
    10  
    TO-220AB  
    A
    Tc = 105°C  
    t = 16.7 ms  
    t = 20 ms  
    I
    Non repetitive surge peak on-state  
    current (full cycle, Tj initial = 25°C)  
    F = 60 Hz  
    F = 50 Hz  
    A
    100  
    105  
    TSM  
    ²
    ²
    ²
    tp = 10 ms  
    A s  
    I t  
    I t Value for fusing  
    55  
    Critical rate of rise of on-state current  
    dI/dt  
    /V  
    F = 120 Hz  
    tp = 10 ms  
    tp = 20 µs  
    Tj = 125°C  
    50  
    /V  
    A/µs  
    V
    _
    , tr < 100 ns  
    GT  
    I
    = 2 x I  
    G
    V
    Non repetitive surge peak off-state  
    voltage  
    DRM RRM  
    + 100  
    V
    Tj = 25°C  
    DSM RSM  
    I
    Peak gate current  
    Tj = 125°C  
    4
    1
    A
    GM  
    P
    G(AV)  
    Average gate p ower diss ipation  
    Tj = 125°C  
    W
    T
    Storage junction temperature range  
    Operating junction temperature range  
    - 40 to + 150  
    - 40 to + 125  
    stg  
    °C  
    T
    j
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj = 25°C, unless otherwise specified)  
    SNUBBERLESS and LOGIC LEVEL(3 Quadrants)  
    ■
    Symbol  
    Test Conditions  
    Quadrant  
    BTA  
    Unit  
    CW  
    35  
    BW  
    50  
    I
    mA  
    I - II - III  
    I - II - III  
    I - II - III  
    MAX.  
    MAX.  
    GT  
    V = 12 V  
    R = 33  
    Ω
    Ω
    D
    L
    V
    V
    V
    GT  
    1.3  
    0.2  
    V
    V = V  
    R = 3.3 k  
    Tj = 125°C  
    GD  
    D
    DRM  
    L
    MIN.  
    MAX.  
    MAX.  
    I
    I = 500 mA  
    35  
    50  
    60  
    50  
    70  
    80  
    mA  
    mA  
    H
    T
    I
    I - III  
    II  
    L
    I = 1.2 I  
    G
    GT  
    dV/dt  
    V
    V
    67 %  
    DRM  
    V/µs  
    =
    gate open Tj = 125°C  
    Tj = 125°C  
    D
    MIN.  
    MIN.  
    500  
    5.5  
    1000  
    9.0  
    (dI/dt)c  
    Without snubber  
    A/ms  
    P1  
    ©2008 SIRECTIFIER All rights reserved,  
    Tel: +86-519-86800000 Fax: +86-519-88019019 E-mail: sales@sirectifier.com  
    www.sirectifier.com  
    BTA10  
    Discrete Triacs(Isolated)  
    ■
    STANDARD (4 Quadrants)  
    Symbol  
    Test Conditions  
    Quadrant  
    Value  
    Unit  
    I - II - III  
    IV  
    50  
    100  
    I
    GT  
    MAX.  
    mA  
    Ω
    Ω
    V = 12 V  
    R = 33  
    D
    L
    V
    V
    GT  
    ALL  
    ALL  
    MAX.  
    MIN.  
    1.3  
    0.2  
    V
    V
    V = V  
    DRM  
    R = 3.3  
    Tj = 125°C  
    GD  
    D
    L
    I
    I = 500 mA  
    MAX.  
    MAX.  
    50  
    50  
    mA  
    H
    T
    I
    I = 1.2 I  
    I - III - IV  
    II  
    G
    GT  
    L
    mA  
    100  
    V = 67 % V  
    gate open Tj = 125°C  
    MIN.  
    MIN.  
    V/µs  
    V/µs  
    D
    DRM  
    dV/dt  
    400  
    10  
    (dV/dt)c  
    (dI/dt)c =4.4 A/ms Tj = 125°C  
    STATIC CHARACTERISTICS  
    Symbol  
    Test Conditions  
    Value  
    Unit  
    I
    = 10 A  
    tp = 380 µs  
    Tj = 25°C  
    MAX.  
    1.55  
    0.85  
    V
    V
    V
    TM  
    TM  
    V
    Threshold voltage  
    Tj = 125°C  
    Tj = 125°C  
    Tj = 25°C  
    Tj = 125°C  
    MAX.  
    MAX.  
    to  
    R
    Dynamic resistance  
    40  
    5
    mΩ  
    d
    I
    V
    = V  
    RRM  
    µA  
    DRM  
    RRM  
    DRM  
    MAX.  
    I
    1
    mA  
    THERMAL RESISTANCES  
    Symbol  
    Parameter  
    Value  
    1.5  
    Unit  
    R
    Junction to case (AC)  
    Junction to ambient  
    °C/W  
    th(j-c)  
    th(j-a)  
    R
    °C/W  
    60  
    PRODUCT SELECTOR  
    Part Number  
    Voltage (xxx)  
    Sensitivity  
    Type  
    Package  
    ~~  
    200 V  
    1200 V  
    BTA10  
    X
    X
    50 mA  
    Standard  
    TO-220AB  
    OTHER INFORMATION  
    Base  
    quantity  
    Packing  
    mode  
    Part Number  
    Marking  
    Weight  
    2.3 g  
    250  
    Bulk  
    BTA10  
    BTA10  
    P2  
    ©2008 SIRECTIFIER All rights reserved,  
    Tel: +86-519-86800000 Fax: +86-519-88019019 E-mail: sales@sirectifier.com  
    www.sirectifier.com  
    BTA10  
    Discrete Triacs(Isolated)  
    Fig. 1: Maximum power dissipation versus R MS  
    on-state current (full cycle).  
    Fig.2:  
    R MS on-state current versus case  
    temperature (full cycle).  
    P
    (W)  
    IT(R MS ) (A)  
    12  
    11  
    10  
    9
    8
    7
    6
    5
    4
    3
    13  
    12  
    11  
    10  
    9
    B TB  
    B TA  
    8
    7
    6
    5
    4
    3
    2
    1
    0
    2
    Tc(°C)  
    IT(R MS ) (A)  
    1
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10  
    0
    25  
    50  
    75  
    100  
    125  
    :
    Fig. 3 R elative variation of thermal impedance  
    versus pulse duration.  
    Fig. 4 :  
    values).  
    On-state characteristics (maximum  
    ITM (A)  
    K =[Zth/R th]  
    1E +0  
    100  
    10  
    1
    Tj max  
    Tj max.  
    Vto 0.8V5  
    R d 40 Wm  
    =
    Zth(j-c)  
    =
    1E -1  
    Zth(j-a)  
    Tj=25°C  
    tp (s )  
    1E +0  
    VTM (V)  
    0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0  
    1E -2  
    1E -3  
    1E -2  
    1E -1  
    1E +1  
    1E +2 5E +2  
    :
    Fig.5 :  
    number of cycles.  
    S urge peak on-state current versus  
    Fig.6  
    Non-repetitive surge peak on-state  
    sinusoidal pulse with width  
    current for  
    a
    tp < 10ms, and corresponding value of I²t.  
    ITS M (A),I²t (A²s )  
    1000  
    ITS M (A)  
    110  
    100  
    90  
    Tj initial=25°C  
    t=20ms  
    dI/dt limitation:  
    50A/µs  
    80  
    One cycle  
    Non repetitive  
    Tj initial=25°C  
    ITS M  
    I²t  
    70  
    60  
    50  
    40  
    30  
    20  
    10  
    0
    100  
    R epetitive  
    Tc=95°C  
    tp (ms )  
    Number of yccles  
    10  
    0.01  
    0.10  
    1.00  
    10.00  
    1
    10  
    100  
    1000  
    www.sirectifier.com  
    P3  
    ©2008 SIRECTIFIER All rights reserved,  
    Tel: +86-519-86800000 Fax: +86-519-88019019 E-mail: sales@sirectifier.com  
    BTA10  
    Discrete Triacs(Isolated)  
    8
    Fig.7 : R elative variation of gate trigger current,  
    holding current and latching current versus  
    junction temperature (typical values).  
    Fig. : R elative variation ofcritical rate ofdecrease  
    ofmain current versus (dV/dt)c (typical values).  
    IGT,IH,IL[Tj] / IGT,IH,IL [Tj=25°C]  
    2.5  
    (dI/dt)c [(dV/dt)c] / S pecified (dI/dt)c  
    2.0  
    1.8  
    C
    2.0  
    1.6  
    IGT  
    B
    1.4  
    1.5  
    1.2  
    BW/CW  
    IH & IL  
    1.0  
    1.0  
    0.8  
    0.5  
    0.6  
    (dV/dt)c (V/µs )  
    Tj(°C)  
    0.4  
    0.0  
    0.1  
    1.0  
    10.0  
    100.0  
    -40 -20  
    0
    20  
    40  
    60  
    80 100 120 140  
    Fig.9 : R elative variation of critical rate of  
    decrease of main current versus junction  
    temperature.  
    (dI/dt)c [Tj] / (dI/dt)c [Tj s pecified]  
    6
    5
    4
    3
    2
    1
    Tj (°C)  
    0
    0
    25  
    50  
    75  
    100  
    125  
    www.sirectifier.com  
    P4  
    ©2008 SIRECTIFIER All rights reserved,  
    Tel: +86-519-86800000 Fax: +86-519-88019019 E-mail: sales@sirectifier.com  
    配单直通车
    BTA10-400B产品参数
    型号:BTA10-400B
    是否Rohs认证： 符合
    生命周期：Obsolete
    零件包装代码：TO-220AB
    包装说明：PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
    针数：3
    Reach Compliance Code：not_compliant
    HTS代码：8541.30.00.80
    风险等级：5.82
    外壳连接：ISOLATED
    配置：SINGLE
    换向电压的临界上升率-最小值：10 V/us
    关态电压最小值的临界上升速率：100 V/us
    最大直流栅极触发电流：50 mA
    最大直流栅极触发电压：2.5 V
    最大维持电流：50 mA
    JEDEC-95代码：TO-220AB
    JESD-30 代码：R-PSFM-T3
    JESD-609代码：e3
    最大漏电流：0.5 mA
    元件数量：1
    端子数量：3
    最高工作温度：110 °C
    最低工作温度：-40 °C
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：FLANGE MOUNT
    峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
    认证状态：Not Qualified
    最大均方根通态电流：10 A
    断态重复峰值电压：400 V
    子类别：TRIACs
    表面贴装：NO
    端子面层：Matte Tin (Sn)
    端子形式：THROUGH-HOLE
    端子位置：SINGLE
    处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
    触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
    • 型号 *
    • 数量*
    • 厂商
    • 封装
    • 批号
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