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  • 北京首天国际有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市芯鹏泰科技有限公司

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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 深圳市美思瑞电子科技有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家NXP-恩智浦 
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  • 深圳市创芯联科技有限公司

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  • 深圳市宇川湘科技有限公司

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  • 深圳市亿科泰电子有限公司

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  • 深圳市炎凯科技有限公司

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  • 深圳市芳益电子科技有限公司

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  • 深圳市华来深电子有限公司

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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • 深圳市捷兴胜微电子科技有限公司

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  • 厂家PH 
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  • 原装 现货 专业PH供应商 优势库存热卖中!
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  • 深圳市芯柏然科技有限公司

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  • 封装TO-220 
  • 批号21+ 
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  • BTA216-600B图
  • 北京力通科信电子有限公司

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  • BTA216-600B
  • 数量5000 
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  • 封装TO-220AB 
  • 批号12+ 
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产品型号BTA216-600B的概述

芯片BTA216-600B的概述 BTA216-600B是一款高性能的可控硅(SCR),广泛应用于电力电子设备中,特别是在调光、调速、和温控应用中。此芯片的设计使其能够承受较高的电流和电压,适合用于多种工业和消费电子产品。此SCR具有低触发电流、快速开关特性和耐用性,确保在苛刻的环境下也能可靠运行。 芯片BTA216-600B的详细参数 BTA216-600B的主要技术参数如下: - 额定电流: 16A - 额定重复峰值电压: 600V - 触发电流(IGT): 最大 50mA - 关断状态电流(IGD): 最大 5mA - 关断电压(VGT): 最大 1.5V - 延迟时间(ton/off): 通常为100μs - 工作温度范围: -40°C至+125°C - 封装类型: TO-220及配套良好的散热器设计 这些参数使得BTA216-600B能够在高温、高电压及高电流的环境中稳定工作...

产品型号BTA216-600B的Datasheet PDF文件预览

Philips Semiconductors  
Product specification  
Three quadrant triacs  
high commutation  
BTA216 series B  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Glass passivated high commutation  
triacs in a plastic envelope intended  
foruseincircuitswherehighstaticand  
dynamic dV/dt and high dI/dt can  
occur. These devices will commutate  
the full rated rms current at the  
maximum rated junction temperature,  
without the aid of a snubber.  
SYMBOL PARAMETER  
MAX. MAX. MAX. UNIT  
500B 600B 800B  
BTA216-  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
500  
600  
800  
V
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak on-state  
current  
16  
16  
140  
16  
140  
A
A
140  
PINNING - TO220AB  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
main terminal 1  
tab  
T2  
T1  
2
main terminal 2  
gate  
3
G
1 2 3  
tab main terminal 2  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
-500  
-600  
-800  
800  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
-
-
5001  
6001  
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
full sine wave;  
16  
A
Tmb 99 ˚C  
Non-repetitive peak  
on-state current  
full sine wave;  
Tj = 25 ˚C prior to  
surge  
t = 20 ms  
-
-
-
140  
150  
98  
A
A
t = 16.7 ms  
I2t  
I2t for fusing  
Repetitive rate of rise of  
on-state current after  
triggering  
Peak gate current  
Peak gate voltage  
Peak gate power  
Average gate power  
t = 10 ms  
A2s  
A/µs  
dIT/dt  
ITM = 20 A; IG = 0.2 A;  
dIG/dt = 0.2 A/µs  
100  
IGM  
-
-
-
-
2
5
5
A
V
W
W
VGM  
PGM  
PG(AV)  
over any 20 ms  
period  
0.5  
Tstg  
Tj  
Storage temperature  
Operating junction  
temperature  
-40  
-
150  
125  
˚C  
˚C  
1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the triac may  
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 15 A/µs.  
October 1997  
1
Rev 1.200  
Philips Semiconductors  
Product specification  
Three quadrant triacs  
high commutation  
BTA216 series B  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
Rth j-mb  
Thermal resistance  
full cycle  
-
-
-
-
-
60  
1.2  
1.7  
-
K/W  
K/W  
K/W  
junction to mounting base half cycle  
Rth j-a  
Thermal resistance  
junction to ambient  
in free air  
STATIC CHARACTERISTICS  
Tj = 25 ˚C unless otherwise stated  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
IGT  
Gate trigger current2  
VD = 12 V; IT = 0.1 A  
T2+ G+  
T2+ G-  
T2- G-  
2
2
2
18  
21  
34  
50  
50  
50  
mA  
mA  
mA  
IL  
Latching current  
VD = 12 V; IGT = 0.1 A  
T2+ G+  
T2+ G-  
T2- G-  
-
31  
34  
60  
90  
60  
60  
1.5  
1.5  
-
mA  
mA  
mA  
mA  
V
-
-
30  
IH  
VT  
VGT  
Holding current  
On-state voltage  
Gate trigger voltage  
VD = 12 V; IGT = 0.1 A  
IT = 20 A  
-
31  
-
1.2  
0.7  
0.4  
0.1  
VD = 12 V; IT = 0.1 A  
-
0.25  
-
V
VD = 400 V; IT = 0.1 A; Tj = 125 ˚C  
V
ID  
Off-state leakage current VD = VDRM(max); Tj = 125 ˚C  
0.5  
mA  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Tj = 25 ˚C unless otherwise stated  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
dVD/dt  
dIcom/dt  
tgt  
Critical rate of rise of  
off-state voltage  
Critical rate of change of  
commutating current  
Gate controlled turn-on  
time  
VDM = 67% VDRM(max); Tj = 125 ˚C;  
exponential waveform; gate open circuit  
VDM = 400 V; Tj = 125 ˚C; IT(RMS) = 16 A;  
without snubber; gate open circuit  
ITM = 20 A; VD = VDRM(max); IG = 0.1 A;  
dIG/dt = 5 A/µs  
1000 4000  
-
-
-
V/µs  
A/ms  
µs  
-
-
28  
2
2 Device does not trigger in the T2-, G+ quadrant.  
October 1997  
2
Rev 1.200  
Philips Semiconductors  
Product specification  
Three quadrant triacs  
high commutation  
BTA216 series B  
IT(RMS) / A  
Tmb(max) / C  
= 180  
Ptot / W  
20  
15  
10  
5
25  
95  
99 C  
101  
107  
20  
1
120  
90  
15  
10  
5
60  
30  
113  
119  
125  
0
0
-50  
0
50  
Tmb / C  
100  
150  
0
5
10  
15  
20  
IT(RMS) / A  
Fig.1. Maximum on-state dissipation, Ptot, versus rms  
on-state current, IT(RMS), where α = conduction angle.  
Fig.4. Maximum permissible rms current IT(RMS)  
versus mounting base temperature Tmb.  
,
ITSM / A  
IT(RMS) / A  
1000  
50  
40  
30  
20  
10  
0
dIT/dt limit  
100  
I
TSM  
time  
I
T
T
Tj initial = 25 C max  
10ms 100ms  
10  
10us  
100us  
1ms  
T / s  
0.01  
0.1  
surge duration / s  
1
10  
Fig.2. Maximum permissible non-repetitive peak  
on-state current ITSM, versus pulse width tp, for  
sinusoidal currents, tp 20ms.  
Fig.5. Maximum permissible repetitive rms on-state  
current IT(RMS), versus surge duration, for sinusoidal  
currents, f = 50 Hz; Tmb 99˚C.  
VGT(Tj)  
VGT(25 C)  
ITSM / A  
150  
100  
50  
1.6  
1.4  
1.2  
1
I
TSM  
time  
I
T
T
Tj initial = 25 C max  
0.8  
0.6  
0.4  
0
1
10  
100  
1000  
-50  
0
50  
Tj / C  
100  
150  
Number of cycles at 50Hz  
Fig.3. Maximum permissible non-repetitive peak  
on-state current ITSM, versus number of cycles, for  
sinusoidal currents, f = 50 Hz.  
Fig.6. Normalised gate trigger voltage  
VGT(Tj)/ VGT(25˚C), versus junction temperature Tj.  
October 1997  
3
Rev 1.200  
Philips Semiconductors  
Product specification  
Three quadrant triacs  
high commutation  
BTA216 series B  
IGT(Tj)  
IGT(25 C)  
typ  
IT / A  
50  
40  
30  
20  
10  
0
Tj = 125 C  
Tj = 25 C  
3
2.5  
2
T2+ G+  
T2+ G-  
T2- G-  
max  
Vo = 1.195 V  
Rs = 0.018 Ohms  
1.5  
1
0.5  
0
0
0.5  
1
1.5  
VT / V  
2
2.5  
3
-50  
0
50  
100  
150  
Tj / C  
Fig.7. Normalised gate trigger current  
IGT(Tj)/ IGT(25˚C), versus junction temperature Tj.  
Fig.10. Typical and maximum on-state characteristic.  
IL(Tj)  
IL(25 C)  
Zth j-mb (K/W)  
10  
1
3
2.5  
2
unidirectional  
bidirectional  
0.1  
1.5  
1
t
P
p
D
0.01  
0.001  
t
0.5  
0
10us  
0.1ms  
1ms  
10ms  
tp / s  
0.1s  
1s  
10s  
-50  
0
50  
Tj / C  
100  
150  
Fig.8. Normalised latching current IL(Tj)/ IL(25˚C),  
versus junction temperature Tj.  
Fig.11. Transient thermal impedance Zth j-mb, versus  
pulse width tp.  
IH(Tj)  
IH(25C)  
dIcom/dt (A/ms)  
1000  
100  
10  
3
2.5  
2
1.5  
1
0.5  
0
1
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
-50  
0
50  
100  
150  
Tj / C  
Tj / C  
Fig.9. Normalised holding current IH(Tj)/ IH(25˚C),  
versus junction temperature Tj.  
Fig.12. Typical, critical rate of change of commutating  
current dIcom/dt versus junction temperature.  
October 1997  
4
Rev 1.200  
Philips Semiconductors  
Product specification  
Three quadrant triacs  
high commutation  
BTA216 series B  
MECHANICAL DATA  
Dimensions in mm  
Net Mass: 2 g  
4,5  
max  
10,3  
max  
1,3  
3,7  
2,8  
5,9  
min  
15,8  
max  
3,0 max  
not tinned  
3,0  
13,5  
min  
1,3  
1 2 3  
max  
(2x)  
0,9 max (3x)  
0,6  
2,4  
2,54 2,54  
Fig.13. TO220AB; pin 2 connected to mounting base.  
Notes  
1. Refer to mounting instructions for TO220 envelopes.  
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".  
October 1997  
5
Rev 1.200  
Philips Semiconductors  
Product specification  
Three quadrant triacs  
high commutation  
BTA216 series B  
DEFINITIONS  
Data sheet status  
Objective specification  
This data sheet contains target or goal specifications for product development.  
Preliminary specification This data sheet contains preliminary data; supplementary data may be published later.  
Product specification  
This data sheet contains final product specifications.  
Limiting values  
Limiting values are given in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). Stress above one  
or more of the limiting values may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and  
operation of the device at these or at any other conditions above those given in the Characteristics sections of  
this specification is not implied. Exposure to limiting values for extended periods may affect device reliability.  
Application information  
Where application information is given, it is advisory and does not form part of the specification.  
Philips Electronics N.V. 1997  
All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written consent of the  
copyright owner.  
The information presented in this document does not form part of any quotation or contract, it is believed to be  
accurate and reliable and may be changed without notice. No liability will be accepted by the publisher for any  
consequence of its use. Publication thereof does not convey nor imply any license under patent or other  
industrial or intellectual property rights.  
LIFE SUPPORT APPLICATIONS  
These products are not designed for use in life support appliances, devices or systems where malfunction of these  
products can be reasonably expected to result in personal injury. Philips customers using or selling these products  
for use in such applications do so at their own risk and agree to fully indemnify Philips for any damages resulting  
from such improper use or sale.  
October 1997  
6
Rev 1.200  
配单直通车
BTA216-600B产品参数
型号:BTA216-600B
生命周期:Active
IHS 制造商:WEEN SEMICONDUCTORS CO LTD
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.26
外壳连接:MAIN TERMINAL 2
配置:SINGLE
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:16 A
参考标准:IEC-134
断态重复峰值电压:600 V
表面贴装:NO
端子面层:TIN
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
触发设备类型:SNUBBERLESS TRIAC
  •  
  • 供货商
  • 型号 *
  • 数量*
  • 厂商
  • 封装
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