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    • BTA41-800E图

    • 深圳市芯福林电子有限公司

       该会员已使用本站15年以上
    • BTA41-800E
    • 数量65000 
    • 厂家ST 
    • 封装TO-220 
    • 批号23+ 
    • 真实库存全新原装正品！代理此型号
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    • BTA41-800E图

    • 深圳市惊羽科技有限公司

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    • BTA41-800E
    • 数量78800 
    • 厂家ST-意法半导体 
    • 封装TO-247-3 
    • 批号▉▉：2年内 
    • ▉▉￥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
    • QQ:43871025QQ：43871025 复制
    • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
    • BTA41-800E图

    • 深圳市创思克科技有限公司

       该会员已使用本站2年以上
    • BTA41-800E
    • 数量10000 
    • 厂家ST 
    • 封装TO-220 
    • 批号21+ 
    • 全新原装原厂实力挺实单欢迎来撩
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    产品型号BTA41-XXXBRG的Datasheet PDF文件预览

    BTB/BTA41  
    Discrete Triacs(Non-Isolated/Isolated)  
    Dim.  
    Millimeter  
    Min. Max. Min.  
    Inches  
    Max.  
    Dimensions TO-247AD  
    A
    B
    19.81 20.32 0.780 0.800  
    20.80 21.46 0.819 0.845  
    G
    T2  
    C
    D
    15.75 16.26 0.610 0.640  
    3.55 3.65 0.140 0.144  
    T1  
    E
    F
    4.32 5.49 0.170 0.216  
    T2  
    5.4  
    6.2 0.212 0.244  
    G
    H
    1.65 2.13 0.065 0.084  
    -
    4.5  
    -
    0.177  
    J
    K
    1.0  
    1.4 0.040 0.055  
    G
    10.8 11.0 0.426 0.433  
    L
    M
    4.7  
    0.4  
    5.3 0.185 0.209  
    0.8 0.016 0.031  
    T1  
    N
    1.5 2.49 0.087 0.102  
    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
    Parameter  
    Value  
    Unit  
    Symbol  
    I
    RMS on-state current (full sine wave)  
    T(RMS)  
    41  
    TO-247AD  
    A
    Tc = 80 °C  
    t = 16.7 ms  
    t = 20 ms  
    I
    Non repetitive surge peak on-state  
    current (full cycle, Tj initial = 25°C)  
    F = 60 Hz  
    F = 50 Hz  
    A
    420  
    400  
    TSM  
    ²
    ²
    ²
    tp = 10 ms  
    A s  
    I t  
    I t Value for fusing  
    880  
    50  
    Critical rate of rise of on-state current  
    dI/dt  
    /V  
    F = 120 Hz  
    tp = 10 ms  
    tp = 20 µs  
    Tj = 125°C  
    A/µs  
    V
    _
    , tr < 100 ns  
    GT  
    I
    = 2 x I  
    G
    V
    /V  
    Non repetitive surge peak off-state  
    voltage  
    DRM RRM  
    V
    Tj = 25°C  
    DSM RSM  
    + 100  
    I
    Peak gate current  
    Tj = 125°C  
    8
    1
    A
    GM  
    P
    Average gate p ower diss ipation  
    Tj = 125°C  
    W
    G(AV)  
    T
    Storage junction temperature range  
    Operating junction temperature range  
    - 40 to + 150  
    - 40 to + 125  
    stg  
    °C  
    T
    j
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj = 25°C, unless otherwise specified)  
    Symbol  
    Test Conditions  
    Quadrant  
    Value  
    Unit  
    50  
    mA  
    I - II - III  
    IV  
    I
    (1)  
    GT  
    MAX.  
    100  
    V = 12 V  
    R = 33  
    Ω
    Ω
    D
    L
    V
    V
    V
    GT  
    ALL  
    ALL  
    MAX.  
    MIN.  
    1.3  
    0.2  
    V
    V = V  
    R = 3.3 k  
    Tj = 125°C  
    GD  
    (2)  
    D
    DRM  
    L
    I
    I = 500 mA  
    mA  
    mA  
    H
    T
    80  
    70  
    MAX.  
    MAX.  
    I
    I = 1.2 I  
    I- III-IV  
    II  
    G
    GT  
    L
    160  
    dV/dt (2)  
    V
    V
    67 %  
    DRM  
    V/µs  
    =
    gate open Tj = 125°C  
    Tj = 125°C  
    D
    MIN.  
    MIN.  
    500  
    10  
    (dI/dt)c (2) Without snubber  
    A/ms  
    BTB/BTA41  
    Discrete Triacs(Non-Isolated/Isolated)  
    STATIC CHARACTERISTICS  
    Symbol  
    Test Conditions  
    Tj = 25°C  
    Value  
    Unit  
    I
    = 60 A  
    tp = 380 µs  
    MAX.  
    1.55  
    V
    V
    V
    (2)  
    (2)  
    TM  
    TM  
    V
    Threshold voltage  
    Tj = 125°C  
    Tj = 125°C  
    Tj = 25°C  
    Tj = 125°C  
    0.85  
    10  
    5
    MAX.  
    MAX.  
    to  
    R (2)  
    Dynamic resistance  
    mΩ  
    d
    I
    I
    V
    = V  
    RRM  
    µA  
    DRM  
    RRM  
    DRM  
    MAX.  
    5
    mA  
    Note 1: minimum IGT is guaranted at 5% of IGT max.  
    Note 2: for both polarities of A2 referenced to A1  
    THERMAL RESISTANCES  
    Symbol  
    Parameter  
    Value  
    Unit  
    R
    Junction to case (AC)  
    Junction to ambient  
    °C/W  
    0.6  
    50  
    th(j-c)  
    R
    °C/W  
    th(j-a)  
    PRODUCT SELECTOR  
    Part Number  
    Voltage (xxx)  
    Sensitivity  
    Type  
    Package  
    ~~  
    200 V  
    1000 V  
    BTB/BTA41  
    X
    X
    50 mA  
    Standard  
    TO-247AD  
    OTHER INFORMATION  
    Base  
    Packing  
    mode  
    Part Number  
    Marking  
    BTB/BTA41  
    Weight  
    quantity  
    4.5 g  
    120  
    Bulk  
    BTB/BTA41  
    BTB/BTA41  
    Discrete Triacs(Non-Isolated/Isolated)  
    Fig. 1: Maximum power dissipation versus R MS  
    Fig. 2: R MS on-state current versus case  
    on-state current (full cycle).  
    temperature (full cycle).  
    P (W)  
    50  
    IT(R MS ) (A)  
    45  
    B TA41  
    40  
    α = 180°  
    40  
    30  
    20  
    10  
    B TB 41  
    35  
    30  
    25  
    20  
    15  
    10  
    5
    180°  
    α
    α
    IT(R MS ) (A)  
    15 20 25  
    Tc(° C)  
    0
    0
    0
    25  
    50  
    75  
    100  
    125  
    0
    5
    10  
    30  
    35  
    40  
    Fig. 3: R elative variation of thermal impedance  
    versus pulse duration.  
    Fig. 4: On-state characteristics (maximum  
    values).  
    K =[Zth/R th]  
    ITM (A)  
    400  
    1.E +00  
    Zth(j-c)  
    Tj max  
    100  
    1.E -01  
    Zth(j-a)  
    BTA/BTB41  
    Tj=25°C  
    10  
    1.E -02  
    Tj max.:  
    Vto = 0.85 V  
    R d = 10 mΩ  
    VTM (V)  
    tp (s )  
    1
    1.E -03  
    0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0  
    1.E -03 1.E -02 1.E -01 1.E +00 1.E +01 1.E +02 1.E +03  
    Fig. 5: S urge peak on-state current versus  
    number of cycles.  
    Fig. 6: Non-repetitive surge peak on-state  
    current for  
    a
    sinusoidal pulse with width  
    tp < 10 ms, and corresponding value of I²t.  
    ITS M (A), I² t (A² s )  
    ITS M (A)  
    450  
    10000  
    ITS M  
    400  
    t=20ms  
    dI/dt limitation:  
    50A/µs  
    I²t  
    350  
    One cycle  
    Non repetitive  
    Tj initial=25°C  
    1000  
    300  
    250  
    200  
    R epetitive  
    Tc=70°C  
    150  
    100  
    Tj initial=25°C  
    tp (ms )  
    50  
    Number of cycles  
    100  
    0.01  
    0
    0.10  
    1.00  
    10.00  
    1
    10  
    100  
    1000  
    BTB/BTA41  
    Discrete Triacs(Non-Isolated/Isolated)  
    Fig. 7: R elative variation of gate trigger current,  
    holding current and latching current versus  
    Fig. 8: R elative variation ofcritical rate ofdecrease  
    of main current versus (dV/dt)c (typical values).  
    junction temperature (typical values).  
    IGT,IH,IL[Tj] / IGT,IH,IL [Tj=25° C]  
    2.5  
    (dI/dt)c [(dV/dt)c] / S pecified (dI/dt)c  
    2.0  
    1.8  
    1.6  
    1.4  
    1.2  
    1.0  
    0.8  
    2.0  
    IGT  
    1.5  
    IH & IL  
    1.0  
    0.5  
    0.6  
    0.4  
    (dV/dt)c (V/µs )  
    Tj(° C)  
    40 60  
    0.0  
    -40 -20  
    0.1  
    1.0  
    10.0  
    100.0  
    0
    20  
    80 100 120 140  
    Fig. 9: R elative variation of critical rate of  
    decrease of main current versus junction  
    temperature.  
    (dI/dt)c [Tj] / (dI/dt)c [Tj s pecified]  
    6
    5
    4
    3
    2
    1
    Tj (° C)  
    0
    0
    25  
    50  
    75  
    100  
    125  
    配单直通车
    BTA410-600BT产品参数
    型号:BTA410-600BT
    是否Rohs认证： 符合
    生命周期：Transferred
    IHS 制造商：NXP SEMICONDUCTORS
    包装说明：,
    Reach Compliance Code：unknown
    风险等级：5.75
    JESD-609代码：e3
    峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
    端子面层：TIN
    处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
    触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
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    • 数量*
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