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产品型号BTB1132M3的Datasheet PDF文件预览

Spec. No. : C313M3  
Issued Date : 2003.05.13  
Revised Date :  
CYStech Electronics Corp.  
Page No. : 1/4  
Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor  
BTB1132M3  
Features  
Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.15V (typical), at IC / IB =- 0.5A /- 50mA  
Complementary to BTD1664M3  
Symbol  
Outline  
BTB1132M3  
SOT-89  
BBase  
CCollector  
EEmitter  
B C E  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
-40  
-32  
V
V
V
A
-5  
Collector Current(DC)  
Collector Current(Pulse)  
-1  
ICP  
-2.5  
0.6  
*1  
*2  
A
Power Dissipation  
Pd  
W
2
Junction Temperature  
Tj  
Tstg  
150  
-55~+150  
°C  
°C  
Storage Temperature  
Note : *1 Single pulse, Pw=10ms  
×
×
*2 When mounted on a 40 40 0.7mm ceramic board.  
BTB1132M3  
CYStek Product Specification  
Spec. No. : C313M3  
Issued Date : 2003.05.13  
Revised Date :  
CYStech Electronics Corp.  
Page No. : 2/4  
Characteristics (Ta=25°C)  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Test Conditions  
IC=-50µA, IE=0  
IC=-1mA, IB=0  
IE=-50µA, IC=0  
VCB=-20V,IE=0  
VEB=-4V,IC=0  
IC=-500mA, IB=-50mA  
VCE=-3V, IC=-0.1A  
VCE=-5V, IC=-50mA, f=100MHz  
VCB=-10V, f=1MHz  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
-40  
-32  
-5  
-
-
-
V
-
-
V
-
-
V
-
-
-0.5  
-0.5  
-0.5  
390  
-
µA  
µA  
V
IEBO  
-
-
*VCE(sat)  
*hFE  
-0.15  
-
82  
-
-
fT  
Cob  
150  
20  
MHz  
pF  
-
30  
*Pulse Test : Pulse Width 380us, Duty Cycle2%  
Classification of hFE  
Rank  
P
Q
R
Range  
82~180  
120~270  
180~390  
BTB1132M3  
CYStek Product Specification  
Spec. No. : C313M3  
Issued Date : 2003.05.13  
Revised Date :  
CYStech Electronics Corp.  
Page No. : 3/4  
Characteristic Curves  
Saturation Voltage vs Collector Current  
Current Gain vs Collector Current  
1000  
100  
10  
1000  
VCE(SAT)@IC=10IB  
HFE@VCE=3V  
100  
1
10  
0.1  
1
10  
100  
1000 10000  
0.1  
1
10  
100  
1000 10000  
Collector Current---IC(mA)  
Collector Current---IC(mA)  
Saturation Voltage vs Collector Current  
Power Derating Curves  
10000  
1000  
100  
2.5  
2
VBESAT@IC=10IB  
See n  
ote 2 on page 1  
1.5  
1
0.5  
0
0
50  
100  
150  
200  
0.1  
1
10  
100  
1000 10000  
Ambient Temperature---TA(℃)  
Collector Current---IC(mA)  
BTB1132M3  
CYStek Product Specification  
Spec. No. : C313M3  
Issued Date : 2003.05.13  
Revised Date :  
CYStech Electronics Corp.  
Page No. : 4/4  
SOT-89 Dimension  
Marking:  
A
2
1
3
BK*  
H
C
D
B
Style: Pin 1. Base 2. Collector 3. Emitter  
E
I
F
3-Lead SOT-89 Plastic  
Surface Mounted Package  
CYStek Package Code: M3  
G
*: Typical  
Inches  
Min. Max.  
Millimeters  
Inches  
Min. Max.  
Millimeters  
DIM  
DIM  
Min.  
Max.  
4.60  
4.25  
1.70  
2.60  
0.51  
Min.  
1.48  
2.96  
1.40  
0.35  
Max.  
1.527  
3.04  
1.60  
0.41  
A
B
C
D
E
0.1732 0.1811  
0.1594 0.1673  
0.0591 0.0663  
0.0945 0.1024  
0.01417 0.0201  
4.40  
4.05  
1.50  
2.40  
0.36  
F
G
H
I
0.0583 0.0598  
0.1165 0.1197  
0.0551 0.0630  
0.0138 0.0161  
Notes: 1.Controlling dimension: millimeters.  
2.Maximum lead thickness includes lead finish thickness, and minimum lead thickness is the minimum thickness of base material.  
3.If there is any question with packing specification or packing method, please contact your local CYStek sales office.  
Material:  
Lead: 42 Alloy ; solder plating  
Mold Compound: Epoxy resin family, flammability solid burning class: UL94V-0  
Important Notice:  
All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written approval of CYStek.  
CYStek reserves the right to make changes to its products without notice.  
CYStek semiconductor products are not warranted to be suitable for use in Life-Support Applications, or systems.  
CYStek assumes no liability for any consequence of customer product design, infringement of patents, or application assistance.  
BTB1132M3  
CYStek Product Specification  
配单直通车
BTB12产品参数
型号:BTB12
生命周期:Contact Manufacturer
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.65
Is Samacsys:N
触发设备类型:TRIAC
Base Number Matches:1
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  • 数量*
  • 厂商
  • 封装
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