BTB1386M3-0-T2-G全新原装原理图各脚功能电路原理芯片引脚定义-中国IC网-芯三七

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产品型号BTB1386N3的Datasheet PDF文件预览

Spec. No. : C816N3-R

Issued Date : 2003.12.18

Revised Date :

CYStech Electronics Corp.

Page No. : 1/4

Low V_CE(sat)PNP Epitaxial Planar Transistor

BTB1386N3

Features

• Excellent DC current gain characteristics

• Low Saturation Voltage, V_CE(sat)=-0.25V(typ)

Applications

• Low frequency amplifier

• Driver

Symbol

BTB1386N3

SOT-23

B：Base

C：Collector

E：Emitter

Absolute Maximum Ratings ^(Ta=25^°^C)

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

-15

-12

-6

Collector Current(DC)

-4

Collector Current(Pulsed)(^{Note 1)}

Power Dissipation

I^CP

-8

225

°C/W

°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction Temperature

R^θJA

556

150

Storage Temperature

Tstg

-55~+150

°C

Note 1: Single pulse, Pw≤10ms, Duty Cycle≤30%.

BTB1386N3

CYStek Product Specification

Spec. No. : C816N3-R

Issued Date : 2003.12.18

Revised Date :

CYStech Electronics Corp.

Page No. : 2/4

Characteristics

(Ta=25°C)

Symbol

Min. Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

BV_CBO

-15

-12

-6

I_C=-50µA

I_C=-1mA

I_E=-50µA

V_CB=-15V

V_EB=-5V

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

-100

I_EBO

-100

*V_CE(sat)

*h_FE1

*h_FE2

*h_FE3

f_T

-0.25

I_C=-1A, I_B=-50mA

V_CE=-2V, I_C=-20mA

200

180

150

820

V_CE=-2V, I_C=-500mA

V_CE=-2V, I_C=-2A

250

MHz

V_CE=-2V, I_C=-200mA, f=100MHz

V_CB=-10V, I_E=0A, f=1MHz

Cob

*Pulse Test: Pulse Width ≤380µs, Duty Cycle≤2%

Classification Of h_FE2

Rank

Range

180~390

270~560

390~820

BTB1386N3

CYStek Product Specification

Spec. No. : C816N3-R

Issued Date : 2003.12.18

Revised Date :

CYStech Electronics Corp.

Page No. : 3/4

Characteristic Curves

Current gain vs Collector current

Saturation voltage vs Collector current

1000

100

VCE(sat)

VCE = 2V

IC=40IB

IC=10IB

IC=20IB

100

1000

10000

200

100

1000

10000

Collector current---IC(mA)

Saturation votlage vs Collector current

On voltage vs Collector Current

10000

1000

100

1000

VBE(sat)@IC=20IB

100

1000

100

1000

10000

Collector Current---IC(mA)

Power Derating Curve

250

200

150

100

150

Ambient Temperature---TA(℃)

BTB1386N3

CYStek Product Specification

Spec. No. : C816N3-R

Issued Date : 2003.12.18

Revised Date :

CYStech Electronics Corp.

Page No. : 4/4

SOT-23 Dimension

Marking:

3-Lead SOT-23 Plastic

Surface Mounted Package

CYStek Package Code: N3

Style: Pin 1.Base 2.Emitter 3.Collector

*: Typical

Inches

Millimeters

Inches

Min. Max.

0.0034 0.0070

0.0128 0.0266

0.0335 0.0453

0.0830 0.1083

0.0098 0.0256

Millimeters

DIM

Min.

Max.

Min.

Max.

3.04

1.60

1.30

0.50

2.30

0.10

Min.

Max.

0.177

0.67

1.15

2.75

0.65

0.1102 0.1204

0.0472 0.0630

0.0335 0.0512

0.0118 0.0197

0.0669 0.0910

0.0005 0.0040

2.80

1.20

0.89

0.30

1.70

0.013

0.085

0.32

0.85

2.10

0.25

Notes: 1.Controlling dimension: millimeters.

2.Maximum lead thickness includes lead finish thickness, and minimum lead thickness is the minimum thickness of base material.

3.If there is any question with packing specification or packing method, please contact your local CYStek sales office.

Material:

• Lead: 42 Alloy ; solder plating

• Mold Compound: Epoxy resin family, flammability solid burning class: UL94V-0

Important Notice:

• All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written approval of CYStek.

• CYStek reserves the right to make changes to its products without notice.

• CYStek semiconductor products are not warranted to be suitable for use in Life-Support Applications, or systems.

• CYStek assumes no liability for any consequence of customer product design, infringement of patents, or application assistance.

BTB1386N3

CYStek Product Specification

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BTB15-200B产品参数

型号:	BTB15-200B
是否无铅：	含铅
是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete
包装说明：	,
Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N
换向电压的临界上升率-最小值：	10 V/us
关态电压最小值的临界上升速率：	500 V/us
最大直流栅极触发电流：	50 mA
最大直流栅极触发电压：	2.5 V
最大维持电流：	50 mA
JESD-609代码：	e0
最大漏电流：	2 mA
最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大均方根通态电流：	15 A
断态重复峰值电压：	200 V
子类别：	TRIACs
表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	TRIAC
Base Number Matches：	1

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