BTB1424LN3原理图各脚功能电路原理芯片引脚定义引脚图及功能-中国IC网-芯三七

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首天国际（深圳）科技有限公司
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北京齐天芯科技有限公司
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厂家CYS
封装SOT-23
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原装正品，假一罚十
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产品型号BTB1424LN3的Datasheet PDF文件预览

Spec. No. : C817N3

Issued Date : 2003.06.17

CYStech Electronics Corp.

^{Revised D}ate:2004.07.01

Page:1/4

Low V_CE(sat)PNP Epitaxial Planar Transistor

BTB1424LN3

Features

• Low VCE(sat), typically -0.3 V at IC / IB = -2A / -0.2A

• Excellent current gain characteristics

• Complementary to BTD2150LN3

Symbol

Outline

BTB1424LN3

SOT-23

B：Base

C：Collector

E：Emitter

Absolute Maximum Ratings ^(Ta=25^°^C)

Parameter

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

I^CP

R^θJA

Tstg

Limit

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

Collector Current (Pulse)

Power Dissipation

-40

-30

-5

-3

-7 (Note)

°C/W

°C

225

556

150

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction Temperature

Storage Temperature

-55~+150

°C

≦

Note : Single Pulse Pw 350µs, Duty 2%.

BTB1424LN3

CYStek Product Specification

Spec. No. : C817N3

Issued Date : 2003.06.17

CYStech Electronics Corp.

^{Revised D}ate:2004.07.01

Page:2/4

Characteristics ^(Ta=25°C)

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

I_C=-50µA, I_E=0

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

-40

-30

-5

I_C=-1mA, I_B=0

I_E=-50µA, I_C=0

V_CB=-30V, I_E=0

V_EB=-3V, I_C=0

I_C=-2A, I_B=-0.2A

-1

-0.5

-2

µA

I_EBO

*V_CE(sat)

*V_BE(sat)

*h_FE1

*h_FE2

f_T

-0.3

-1

100

V_CE=-2V, I_C=-20mA

V_CE=-2V, I_C=-1A

V_CE=-5V, I_C=-0.1A, f=100MHz

V_CB=-10V, f=1MHz

500

MHz

Cob

*Pulse Test : Pulse Width ≤380µs, Duty Cycle≤2%

Classification Of h^FE2

Rank

Range

100~200

160~320

250~500

BTB1424LN3

CYStek Product Specification

Spec. No. : C817N3

Issued Date : 2003.06.17

CYStech Electronics Corp.

^{Revised D}ate:2004.07.01

Page:3/4

Characteristic Curves

aturation Voltage vs Collector current

Current gain vs Collector current

10000

1000

100

1000

VCESAT

VCE=5V

VCE=2V

VCE=1V

100

IC=40IB

IC=20IB

100

IC=10IB

1000

10000

100

1000

10000

Collector current---IC(mA)

Power Derating Curve

Collector current---IC(mA)

aturation Voltage vs Collector current

10000

1000

100

250

200

150

100

VBE(SAT )@

IC=10IB

100

150

200

100

1000

10000

Collector current---IC(mA)

Ambient Temperature---TA(℃)

BTB1424LN3

CYStek Product Specification

Spec. No. : C817N3

Issued Date : 2003.06.17

CYStech Electronics Corp.

^{Revised D}ate:2004.07.01

Page:4/4

SOT-23 Dimension

Marking:

3-Lead SOT-23 Plastic

Surface Mounted Package

CYStek Package Code: N3

Style: Pin 1.Base 2.Emitter 3.Collector

*: Typical

Inches

Millimeters

Inches

Min. Max.

0.0034 0.0070

0.0128 0.0266

0.0335 0.0453

0.0830 0.1083

0.0098 0.0256

Millimeters

DIM

Min.

Max.

Min.

Max.

3.04

1.60

1.30

0.50

2.30

0.10

Min.

Max.

0.177

0.67

1.15

2.75

0.65

0.1102 0.1204

0.0472 0.0630

0.0335 0.0512

0.0118 0.0197

0.0669 0.0910

0.0005 0.0040

2.80

1.20

0.89

0.30

1.70

0.013

0.085

0.32

0.85

2.10

0.25

Notes: 1.Controlling dimension: millimeters.

2.Maximum lead thickness includes lead finish thickness, and minimum lead thickness is the minimum thickness of base material.

3.If there is any question with packing specification or packing method, please contact your local CYStek sales office.

Material:

• Lead: 42 Alloy ; solder plating

• Mold Compound: Epoxy resin family, flammability solid burning class: UL94V-0

Important Notice:

• All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written approval of CYStek.

• CYStek reserves the right to make changes to its products without notice.

• CYStek semiconductor products are not warranted to be suitable for use in Life-Support Applications, or systems.

• CYStek assumes no liability for any consequence of customer product design, infringement of patents, or application assistance.

BTB1424LN3

CYStek Product Specification

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BTB15-200B产品参数

型号:	BTB15-200B
是否无铅：	含铅
是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete
包装说明：	,
Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N
换向电压的临界上升率-最小值：	10 V/us
关态电压最小值的临界上升速率：	500 V/us
最大直流栅极触发电流：	50 mA
最大直流栅极触发电压：	2.5 V
最大维持电流：	50 mA
JESD-609代码：	e0
最大漏电流：	2 mA
最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大均方根通态电流：	15 A
断态重复峰值电压：	200 V
子类别：	TRIACs
表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	TRIAC
Base Number Matches：	1

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