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产品型号BU4525AX的概述

芯片BU4525AX的概述 BU4525AX是一款高性能的线性电压稳压器,广泛应用于消费电子、工业控制和通信领域。它所提供的稳定输出使得各种电路对此芯片的需求持续上升。BU4525AX不仅具备稳压功能,还具有过电流保护、过热保护等多项安全功能,这使其在电源管理中扮演着关键角色。 该芯片在设计时考虑到了低功耗特性和高集成度,能够在不同的工作条件下保持稳定的输出电压,并且对输入电压的变化具有良好的耐受性。BU4525AX具有较低的静态电流,使得在待机状态下的电源消耗降至最低。此外,该稳压器也具有优良的瞬态响应能力,使得在负载快速变化的情况下,输出电压迅速回到稳态。 BU4525AX的详细参数 根据厂家提供的数据手册,BU4525AX具备以下详细参数: 1. 输出电压范围: 1.5V至5.0V,具体输出电压可以通过外部电阻进行设置。 2. 最大输出电流: 500mA,适用多种负载情况。...

产品型号BU4525AX的Datasheet PDF文件预览

Philips Semiconductors  
Product specification  
Silicon Diffused Power Transistor  
BU4525AX  
GENERAL DESCRIPTION  
Enhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-pack  
envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers and p.c monitors. Features  
exceptional tolerance to base drive and collector current load variations resulting in a very low worst case  
dissipation.  
QUICK REFERENCE DATA  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
VCESM  
VCEO  
IC  
Collector-emitter voltage peak value  
VBE = 0 V  
-
1500  
800  
12  
30  
45  
3.0  
-
V
V
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current (DC)  
-
-
A
ICM  
Collector current peak value  
Total power dissipation  
Collector-emitter saturation voltage  
Collector saturation current  
-
A
Ptot  
VCEsat  
ICsat  
Ths 25 ˚C  
-
W
V
IC = 9.0 A; IB = 2.25 A  
f = 16 kHz  
-
9.0  
7.0  
0.4  
0.15  
A
A
f = 70 kHz  
-
tf  
Fall time  
ICsat = 9.0 A;f = 16 kHz  
0.55  
-
µs  
µs  
ICsat = 7.0 A;f = 70 kHz  
PINNING - SOT399  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
case  
c
base  
2
collector  
emitter  
b
3
case isolated  
1
2 3  
e
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. MAX. UNIT  
VCESM  
VCEO  
IC  
Collector-emitter voltage peak value  
VBE = 0 V  
-
1500  
800  
12  
V
V
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current (DC)  
-
-
A
ICM  
IB  
Collector current peak value  
Base current (DC)  
-
30  
A
-
8
A
IBM  
Base current peak value  
Reverse base current peak value 1  
Total power dissipation  
-
12  
A
-IBM  
Ptot  
Tstg  
Tj  
-
-
7
A
Ths 25 ˚C  
45  
W
˚C  
˚C  
Storage temperature  
Junction temperature  
-55  
-
150  
150  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
Rth j-hs  
Rth j-a  
Junction to heatsink  
Junction to ambient  
with heatsink compound  
in free air  
-
2.8  
-
K/W  
K/W  
35  
1 Turn-off current.  
October 1998  
1
Rev 1.100  
Philips Semiconductors  
Product specification  
Silicon Diffused Power Transistor  
BU4525AX  
ISOLATION LIMITING VALUE & CHARACTERISTIC  
Ths = 25 ˚C unless otherwise specified  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
Visol  
Cisol  
Repetitive peak voltage from all R.H. 65 % ; clean and dustfree  
-
-
2500  
V
three terminals to external  
heatsink  
Capacitance from T2 to external f = 1 MHz  
heatsink  
-
22  
-
pF  
STATIC CHARACTERISTICS  
Ths = 25 ˚C unless otherwise specified  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
ICES  
ICES  
Collector cut-off current 2  
VBE = 0 V; VCE = VCESMmax  
VBE = 0 V; VCE = VCESMmax  
Tj = 125 ˚C  
-
-
-
-
1.0  
2.0  
mA  
mA  
;
IEBO  
BVEBO  
VCEOsust  
Emitter cut-off current  
Emitter-base breakdown voltage  
VEB = 6.0 V; IC = 0 A  
IB = 1 mA  
-
-
13.5  
-
100  
-
-
µA  
V
V
7.5  
800  
Collector-emitter sustaining voltage IB = 0 A; IC = 100 mA;  
L = 25 mH  
VCEsat  
VBEsat  
hFE  
Collector-emitter saturation voltage IC = 9.0 A;IB = 2.25A  
-
0.88  
-
-
3.0  
1.06  
-
V
V
Base-emitter saturation voltage  
DC current gain  
IC = 9.0 A;IB = 2.25A  
IC = 1.0 A; VCE = 5 V  
IC = 9.0 A; VCE = 5 V  
0.97  
12  
hFE  
4.2  
5.8  
7.6  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Ths = 25 ˚C unless otherwise specified  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
Cc  
Collector capacitance  
IE = 0 A; VCB = 10 V; f = 1 MHz  
145  
-
pF  
Switching times (16 kHz line  
deflection circuit)  
ICsat = 9.0 A;IB1 = 1.8 A  
(IB2 = -4.5 A)  
ts  
tf  
Turn-off storage time  
Turn-off fall time  
3.7  
0.4  
4.5  
0.55  
µs  
µs  
Switching times (70 kHz line  
deflection circuit)  
ICsat = 7.0 A;IB1 = 1.4 A  
(IB2 = -4.5 A)  
ts  
tf  
Turn-off storage time  
Turn-off fall time  
2
0.15  
-
-
µs  
µs  
2 Measured with half sine-wave voltage (curve tracer).  
October 1998  
2
Rev 1.100  
Philips Semiconductors  
Product specification  
Silicon Diffused Power Transistor  
BU4525AX  
ICsat  
90 %  
+ 50v  
100-200R  
IC  
IB  
10 %  
Horizontal  
tf  
t
Oscilloscope  
ts  
IB1  
Vertical  
1R  
t
100R  
6V  
30-60 Hz  
- IB2  
Fig.1. Test circuit for VCEOsust  
.
Fig.4. Switching times definitions.  
IC / mA  
+ 150 v nominal  
adjust for ICsat  
Lc  
250  
200  
LB  
T.U.T.  
IBend  
-VBB  
100  
0
Cfb  
min  
VCE / V  
VCEOsust  
Fig.2. Oscilloscope display for VCEOsust  
.
Fig.5. Switching times test circuit.  
hFE  
ICsat  
TRANSISTOR  
100  
IC  
IB  
DIODE  
Ths = 25 C  
Ths = 85 C  
VCE = 1V  
t
t
IB1  
10  
20us  
26us  
64us  
IB2  
VCE  
1
0.01  
0.1  
1
10  
100  
t
IC / A  
Fig.3. Switching times waveforms (16 kHz).  
Fig.6. High and low DC current gain.  
October 1998  
3
Rev 1.100  
Philips Semiconductors  
Product specification  
Silicon Diffused Power Transistor  
BU4525AX  
Normalised Power Derating  
with heatsink compound  
hFE  
100  
PD%  
120  
110  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
Ths = 25 C  
VCE = 5V  
Ths=85C
10  
1
0.01  
0
20  
40  
60  
80  
Ths /  
100  
120  
140  
0.1  
1
10  
100  
C
IC / A  
Fig.7. High and low DC current gain.  
Fig.10. Normalised power dissipation.  
PD% = 100 PD/PD 25˚C  
VBEsat / V  
Zth K/W  
10  
1
1.2  
1.1  
1
Ths = 25 C  
Ths = 85 C  
0.5  
0.2  
0.1  
IC = 9 A  
0.05  
0.1  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
0.02  
t
p
IC = 7 A  
t
p
P
0.01  
D =  
D
T
t
T
0
0.001  
1.0E-07  
1.0E-05  
1.0E-03  
t / s  
1.0E-01  
1.0E+01  
0
1
2
3
4
IB / A  
Fig.8. Typical base-emitter saturation voltage.  
Fig.11. Transient thermal impedance.  
ts/tf / us  
10  
Ic(sat) (A)  
10  
8
ICsat = 9 A  
Ths = 85 C  
Freq = 16 kHz  
8
ts  
6
6
4
4
2
2
tf  
0
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
IB / A  
0
1
2
3
4
Frequency (kHz)  
Fig.9. Typical collector storage and fall time.  
IC =9 A; Tj = 85˚C; f = 16kHz  
Fig.12. ICsat during normal running vs. frequency of  
operation for optimum performance  
October 1998  
4
Rev 1.100  
Philips Semiconductors  
Product specification  
Silicon Diffused Power Transistor  
BU4525AX  
MECHANICAL DATA  
Dimensions in mm  
5.8 max  
3.0  
16.0 max  
Net Mass: 5.88 g  
0.7  
4.5  
3.3  
10.0  
27  
max  
25  
25.1  
25.7  
22.5  
max  
5.1  
2.2 max  
4.5  
18.1  
min  
1.1  
0.4 M  
2
3.3  
0.9 max  
5.45 5.45  
Fig.13. SOT399; The seating plane is electrically isolated from all terminals.  
Notes  
1. Refer to mounting instructions for F-pack envelopes.  
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".  
October 1998  
5
Rev 1.100  
Philips Semiconductors  
Product specification  
Silicon Diffused Power Transistor  
BU4525AX  
DEFINITIONS  
Data sheet status  
Objective specification  
This data sheet contains target or goal specifications for product development.  
Preliminary specification This data sheet contains preliminary data; supplementary data may be published later.  
Product specification  
This data sheet contains final product specifications.  
Limiting values  
Limiting values are given in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). Stress above one  
or more of the limiting values may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and  
operation of the device at these or at any other conditions above those given in the Characteristics sections of  
this specification is not implied. Exposure to limiting values for extended periods may affect device reliability.  
Application information  
Where application information is given, it is advisory and does not form part of the specification.  
Philips Electronics N.V. 1999  
All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written consent of the  
copyright owner.  
The information presented in this document does not form part of any quotation or contract, it is believed to be  
accurate and reliable and may be changed without notice. No liability will be accepted by the publisher for any  
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industrial or intellectual property rights.  
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products can be reasonably expected to result in personal injury. Philips customers using or selling these products  
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from such improper use or sale.  
October 1998  
6
Rev 1.100  
配单直通车
BU4525AX产品参数
型号:BU4525AX
生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.57
Base Number Matches:1
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