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柒号芯城电子商务（深圳）有限公司
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首天国际（深圳）科技有限公司
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深圳市芯福林电子有限公司
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北京元坤伟业科技有限公司
BU807FI
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深圳市中利达电子科技有限公司
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北京元坤伟业科技有限公司
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封装T0-220
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深圳市隆鑫创展电子有限公司
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深圳市一线半导体有限公司
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深圳市钜麟科技有限公司
BU807FI

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厂家ST/意法
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INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

BU807FI

DESCRIPTION

·High Voltage: V_CBO= 330V(Min)

·Low Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 1.5V(Max)@ I_C= 5A

APPLICATIONS

·Designed for use in horizontal deflection circuits in TV’s

and CRT’s.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEV

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current

VALUE

330

150

UNIT

I_CM

I_B

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

BU807FI

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T_C=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_CEO(SUS)

V_CE(

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX UNIT

Collector-Emitter Sustaining Voltage

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Collector Cutoff Current

I_C= 100mA ;I_B= 0

150

I_C= 5A; I_B= 50mA

V_CE= 330V; V_BE= 0

1.5

2.4

0.1

3.0

2.0

)

sat

V_BE(

)

sat

I_CES

I_CEV

I_EBO

V_ECF

Collector Cutoff Current

V_CE= 330V; V_{BE( )}= 6V

off

Emitter Cutoff Current

V_EB= 6V; I_C= 0

I_F= 4A

C-E Diode Forward Voltage

isc Website：www.iscsemi.cn

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