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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 北京力通科信电子有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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产品型号BU105的Datasheet PDF文件预览

INCHANGE Semiconductor  
isc Product Specification  
isc Silicon NPN Power Transistor  
BU105  
DESCRIPTION  
·High Voltage-VCER= 1500V(Min.)  
·Collector-Emitter Saturation Voltage-  
: VCE(sat)= 5.0V(Max.)@ IC= 2.5A  
APPLICATIONS  
·Designed for use in line operated B&W(19 and 20 inch 110  
deflection circuits ) or color ( 11 and 14 inch 90deflection  
circuits TV receivers.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)  
SYMBOL  
VCBO  
VCER  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
VALUE  
1500  
1500  
750  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage RBE= 100Ω  
Collector-EmiteVoltage  
V
V
Emitter-Base Voltage  
5
V
Collector Current-Continuous  
2.5  
A
Collector Power Dissipation  
@TC= 90℃  
PC  
10  
W
TJ  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
115  
-65~115  
Tstg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX  
UNIT  
Thermal Resistance,Junction to Case  
2.5  
/W  
Rth j-c  
isc Websitewww.iscsemi.cn  
INCHANGE Semiconductor  
isc Product Specification  
isc Silicon NPN Power Transistor  
BU105  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
TC=25unless otherwise specified  
SYMBOL  
VCEO(SUS)  
V(BR)EBO  
PARAMETER  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Collector Cutoff Current  
CONDITIONS  
MIN  
750  
5
TYP.  
MAX  
UNIT  
V
IC= 100mA; IB= 0  
IE= 100mA; IC= 0  
V
IC= 2.5A; IB= 1.5A  
5.0  
1.5  
1.0  
V
VCE  
(sat)  
(sat)  
IC= 2.5A; IB= 1.5A  
V
VBE  
ICES  
VCE= 1500V; VBE= 0  
IE= 0; VCB= 10V; ftest= 0.1MHz  
IC= 0.1A; VCE= 5
mA  
pF  
MHz  
μs  
COB  
Output Capacitance  
65  
7.5  
0.5  
fT  
Current-Gain—Bandwidth Product  
Fall Time  
IC= 2A; IB1= 1.5A; LB= 12μH  
tf  
2
isc Websitewww.iscsemi.cn  
配单直通车
BU105产品参数
型号:BU105
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
包装说明:HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.83
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):2.5 A
集电极-发射极最大电压:750 V
配置:SINGLE
JEDEC-95代码:TO-204AA
JESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:2
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):7.5 MHz
Base Number Matches:1
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