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型号: | BUW32PFI |
是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete |
IHS 制造商: | STMICROELECTRONICS |
Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.9 |
Is Samacsys: | N |
外壳连接: | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC): | 10 A |
集电极-发射极最大电压: | 350 V |
配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 12 |
JEDEC-95代码: | TO-218 |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | PNP |
功耗环境最大值: | 55 W |
最大功率耗散 (Abs): | 125 W |
认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 2100 ns |
最大开启时间(吨): | 600 ns |
VCEsat-Max: | 1.5 V |
Base Number Matches: | 1 |
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