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  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

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  • 深圳市迈锐达科技有限公司

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产品型号BUZ11S2FI的Datasheet PDF文件预览

配单直通车
BUZ11S2FI产品参数
型号:BUZ11S2FI
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.71
其他特性:FAST SWITCHING
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):30 A
最大漏极电流 (ID):20 A
最大漏源导通电阻:0.04 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):120 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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