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    • BUZ408图

    • 深圳市芯福林电子有限公司

       该会员已使用本站15年以上
    • BUZ408
    • 数量65000 
    • 厂家PHI 
    • 封装TO-3P 
    • 批号23+ 
    • 真实库存全新原装正品！代理此型号
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    • BUZ408图

    • 深圳市芳益电子科技有限公司

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    • 数量30000 
    • 厂家SIEMENS 
    • 封装 
    • 批号2023+ 
    • 原装现货大量库存 低价出售 欢迎加Q详谈
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    • 0755-13631573466 QQ:498361569QQ:389337416
    • BUZ408图

    • 深圳市一线半导体有限公司

       该会员已使用本站11年以上
    • BUZ408
    • 数量22000 
    • 厂家原厂品牌 
    • 封装原厂外观 
    • 批号 
    • 全新原装部分现货其他订货
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    产品型号BUZ40B的Datasheet PDF文件预览

    BUZ 40 B  
    ®
    SIPMOS Power Transistor  
    • N channel  
    • Enhancement mode  
    • Avalanche-rated  
    Pin 1  
    Pin 2  
    Pin 3  
    G
    D
    S
    Type  
    V
    DS  
    I
    R
    )
    DS(on  
    Package  
    Ordering Code  
    D
    BUZ 40 B  
    500 V  
    8.5 A  
    0.8 Ω  
    TO-220 AB  
    C67078-S1305-A4  
    Maximum Ratings  
    Parameter  
    Symbol  
    Values  
    Unit  
    Continuous drain current  
    I
    I
    I
    A
    D
    T = 35 °C  
    C
    8.5  
    Pulsed drain current  
    Dpuls  
    AR  
    T = 25 °C  
    C
    34  
    10  
    13  
    Avalanche current,limited by T  
    jmax  
    Avalanche energy,periodic limited by T  
    Avalanche energy, single pulse  
    E
    mJ  
    jmax  
    AR  
    AS  
    E
    I = 10 A, V = 50 V, R = 25 Ω  
    D
    DD  
    GS  
    L = 10.3 mH, T = 25 °C  
    570  
    j
    ±
    Gate source voltage  
    Power dissipation  
    V
    P
    20  
    V
    GS  
    W
    tot  
    T = 25 °C  
    C
    150  
    Operating temperature  
    Storage temperature  
    T
    T
    -55 ... + 150 °C  
    -55 ... + 150  
    j
    stg  
    Thermal resistance, chip case  
    R
    ≤ 0.83  
    K/W  
    thJC  
    thJA  
    Thermal resistance, chip to ambient  
    DIN humidity category, DIN 40 040  
    IEC climatic category, DIN IEC 68-1  
    R
    75  
    E
    55 / 150 / 56  
    Semiconductor Group  
    1
    07/96  
    BUZ 40 B  
    Electrical Characteristics, at T = 25°C, unless otherwise specified  
    j
    Parameter  
    Symbol  
    Values  
    typ.  
    Unit  
    min.  
    max.  
    Static Characteristics  
    Drain- source breakdown voltage  
    V
    V
    V
    (BR)DSS  
    GS(th)  
    DSS  
    V
    GS  
    = 0 V, I = 0.25 mA, T = 25 °C  
    500  
    2.1  
    -
    -
    D
    j
    Gate threshold voltage  
    =
    V
    V
    I = 1 mA  
    3
    4
    GS DS, D  
    Zero gate voltage drain current  
    I
    I
    µA  
    V
    DS  
    V
    DS  
    = 500 V, V = 0 V, T = 25 °C  
    -
    -
    0.1  
    10  
    1
    GS  
    j
    = 500 V, V = 0 V, T = 125 °C  
    100  
    GS  
    j
    Gate-source leakage current  
    = 20 V, V = 0 V  
    nA  
    GSS  
    V
    GS  
    -
    -
    10  
    100  
    0.8  
    DS  
    Drain-Source on-resistance  
    = 10 V, I = 5.5 A  
    R
    Ω
    DS(on)  
    V
    GS  
    0.6  
    D
    Semiconductor Group  
    2
    07/96  
    BUZ 40 B  
    Electrical Characteristics, at T = 25°C, unless otherwise specified  
    j
    Parameter  
    Symbol  
    Values  
    typ.  
    Unit  
    min.  
    max.  
    Dynamic Characteristics  
    Transconductance  
    g
    S
    fs  
    ≥
    V
    2 I  
    R I = 5.5 A  
    5
    -
    8
    -
    DS  
    * D * DS(on)max, D  
    Input capacitance  
    = 0 V, V = 25 V, f = 1 MHz  
    C
    C
    C
    pF  
    iss  
    oss  
    V
    1500  
    180  
    65  
    2300  
    270  
    100  
    GS  
    DS  
    Output capacitance  
    = 0 V, V = 25 V, f = 1 MHz  
    V
    -
    GS  
    DS  
    Reverse transfer capacitance  
    = 0 V, V = 25 V, f = 1 MHz  
    rss  
    V
    -
    GS  
    DS  
    Turn-on delay time  
    = 30 V, V = 10 V, I = 3 A  
    t
    t
    t
    t
    ns  
    d(on)  
    V
    DD  
    GS  
    D
    Ω
    R
    GS  
    = 50  
    -
    -
    -
    -
    20  
    30  
    Rise time  
    = 30 V, V = 10 V, I = 3 A  
    r
    V
    DD  
    GS  
    D
    Ω
    R
    GS  
    = 50  
    70  
    110  
    340  
    100  
    Turn-off delay time  
    = 30 V, V = 10 V, I = 3 A  
    d(off)  
    V
    DD  
    GS  
    D
    Ω
    R
    GS  
    = 50  
    260  
    80  
    Fall time  
    = 30 V, V = 10 V, I = 3 A  
    f
    V
    DD  
    GS  
    D
    Ω
    = 50  
    R
    GS  
    Semiconductor Group  
    3
    07/96  
    BUZ 40 B  
    Electrical Characteristics, at T = 25°C, unless otherwise specified  
    j
    Parameter  
    Symbol  
    Values  
    typ.  
    Unit  
    min.  
    max.  
    Reverse Diode  
    Inverse diode continuous forward current I  
    A
    S
    T = 25 °C  
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    8.5  
    34  
    1.3  
    -
    C
    Inverse diode direct current,pulsed  
    I
    SM  
    T = 25 °C  
    C
    -
    Inverse diode forward voltage  
    V
    SD  
    V
    V
    GS  
    = 0 V, I = 20 A  
    1.1  
    380  
    4
    F
    Reverse recovery time  
    V = 100 V, I =l di /dt = 100 A/µs  
    t
    ns  
    µC  
    rr  
    R
    F S,  
    F
    Reverse recovery charge  
    Q
    rr  
    =
    V = 100 V, I l di /dt = 100 A/µs  
    R
    -
    F S,  
    F
    Semiconductor Group  
    4
    07/96  
    BUZ 40 B  
    Drain current  
    Power dissipation  
    ƒ
    I = (T )  
    ƒ
    P
    = (T )  
    D
    C
    tot  
    C
    ≥
    parameter: V  
    10 V  
    GS  
    9
    160  
    W
    A
    ID  
    Ptot  
    7
    120  
    100  
    80  
    6
    5
    4
    3
    2
    60  
    40  
    20  
    1
    0
    0
    0
    0
    20  
    40  
    60  
    80 100 120  
    °C 160  
    TC  
    20  
    40  
    60  
    80 100 120  
    °C 160  
    TC  
    Safe operating area  
    Transient thermal impedance  
    ƒ
    ƒ
    I = (V  
    )
    Z
    = (t )  
    th JC  
    D
    DS  
    p
    parameter: D = 0.01, T = 25°C  
    parameter: D = t / T  
    C
    p
    10 2  
    10 0  
    t
    = 6.4µs  
    10 µs  
    p
    A
    K/W  
    ID  
    ZthJC  
    100 µs  
    10 1  
    10 -1  
    I
    1 ms  
    V
    10 ms  
    D = 0.50  
    R
    0.20  
    0.10  
    0.05  
    0.02  
    0.01  
    10 0  
    10 -2  
    single pulse  
    DC  
    10 -1  
    10 -3  
    10 0  
    10 1  
    10 2  
    V 10 3  
    VDS  
    10 -7 10 -6 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1s 10 0  
    tp  
    5
    07/96  
    Semiconductor Group  
    BUZ 40 B  
    Typ. output characteristics  
    ƒ(  
    Typ. drain-source on-resistance  
    ƒ(  
    I =  
    V
    )
    R
    =
    I )  
    D
    D
    DS  
    DS (on)  
    parameter: t = 80 µs  
    parameter: V  
    p
    GS  
    2.6  
    19  
    P
    tot = 150W  
    j
    l
    k
    h g  
    i
    f
    Ω
    A
    a
    b
    c
    d
    2.2  
    V
    [V]  
    e
    16  
    GS  
    a
    4.0  
    4.5  
    5.0  
    5.5  
    6.0  
    6.5  
    7.0  
    7.5  
    8.0  
    9.0  
    ID  
    RDS (on)  
    2.0  
    b
    c
    d
    e
    f
    14  
    12  
    10  
    8
    1.8  
    1.6  
    1.4  
    1.2  
    1.0  
    0.8  
    0.6  
    0.4  
    d
    g
    h
    i
    c
    e
    f
    j
    6
    g
    k
    l
    10.0  
    20.0  
    h
    i
    j
    k
    4
    b
    V
    [V] =  
    b
    GS  
    a
    2
    0
    c
    d
    e
    f
    g
    h
    i
    j
    k
    0.2  
    0.0  
    a
    4.5 5.0 5.5 6.0 6.5 7.0  
    7.5 8.0 9.0 10.0 20.0  
    0
    4
    8
    12  
    16  
    20  
    24  
    28  
    V
    34  
    0
    2
    4
    6
    8
    10 12 14  
    A
    18  
    VDS  
    ID  
    Typ. transfer characteristics I = f (V  
    )
    Typ. forward transconductance g = f (I )  
    D
    fs  
    D
    GS  
    parameter: t = 80 µs  
    parameter: t = 80 µs,  
    p
    p
    ≥
    ≥
    V
    DS  
    2 x I x R  
    V
    DS  
    2 x I x R  
    D
    DS(on)max  
    D
    DS(on)max  
    10  
    A
    8
    12  
    S
    10  
    9
    ID  
    gfs  
    7
    8
    6
    7
    5
    6
    5
    4
    4
    3
    3
    2
    2
    1
    0
    1
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    V
    10  
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    A
    9
    VGS  
    ID  
    Semiconductor Group  
    6
    07/96  
    BUZ 40 B  
    Gate threshold voltage  
    Drain-source on-resistance  
    ƒ
    = (T )  
    j
    V
    ƒ
    = (T )  
    j
    R
    GS (th)  
    DS (on)  
    parameter: V = V , I = 1 mA  
    parameter: I = 5.5 A, V = 10 V  
    GS  
    DS  
    D
    D
    GS  
    3.4  
    4.6  
    V
    98%  
    Ω
    4.0  
    2.8  
    2.4  
    2.0  
    1.6  
    1.2  
    0.8  
    VGS(th)  
    RDS (on)  
    3.6  
    3.2  
    2.8  
    2.4  
    2.0  
    1.6  
    1.2  
    0.8  
    typ  
    2%  
    98%  
    typ  
    0.4  
    0.0  
    0.4  
    0.0  
    -60  
    -20  
    20  
    60  
    100  
    °C  
    Tj  
    160  
    -60  
    -20  
    20  
    60  
    100  
    °C  
    Tj  
    160  
    Typ. capacitances  
    Forward characteristics of reverse diode  
    C = f (V )  
    ƒ
    I = (V  
    )
    DS  
    F
    SD  
    parameter:V = 0V, f = 1MHz  
    parameter: T , t = 80 µs  
    GS  
    j
    p
    10 1  
    10 2  
    nF  
    A
    IF  
    C
    Ciss  
    10 0  
    10 -1  
    10 -2  
    10 1  
    10 0  
    10 -1  
    Coss  
    Tj = 25 °C typ  
    Crss  
    Tj = 150 °C typ  
    Tj = 25 °C (98%)  
    Tj = 150 °C (98%)  
    0
    5
    10  
    15  
    20  
    25  
    30  
    V
    40  
    0.0  
    0.4  
    0.8  
    1.2  
    1.6  
    2.0  
    2.4  
    V
    3.0  
    VDS  
    VSD  
    7
    07/96  
    Semiconductor Group  
    BUZ 40 B  
    ƒ
    Avalanche energy E = (T )  
    Typ. gate charge  
    AS  
    j
    ƒ
    parameter: I = 10 A, V = 50 V  
    V
    = (Q  
    )
    D
    DD  
    GS  
    Gate  
    Ω
    R
    = 25 , L = 10.3 mH  
    parameter: I  
    = 12 A  
    D puls  
    GS  
    600  
    mJ  
    16  
    V
    500  
    450  
    400  
    350  
    300  
    250  
    200  
    150  
    100  
    EAS  
    VGS  
    12  
    10  
    8
    V
    V
    DS max  
    0,2  
    0,8  
    DS max  
    6
    4
    2
    50  
    0
    0
    0
    20  
    40  
    60  
    80  
    100  
    120  
    °C  
    Tj  
    160  
    20  
    40  
    60  
    80  
    nC  
    110  
    QGate  
    Drain-source breakdown voltage  
    ƒ
    = (T )  
    j
    V
    (BR)DSS  
    600  
    V
    580  
    V(BR)DSS570  
    560  
    550  
    540  
    530  
    520  
    510  
    500  
    490  
    480  
    470  
    460  
    450  
    -60  
    -20  
    20  
    60  
    100  
    °C  
    Tj  
    160  
    Semiconductor Group  
    8
    07/96  
    BUZ 40 B  
    Package Outlines  
    TO-220 AB  
    Dimension in mm  
    Semiconductor Group  
    9
    07/96  
    配单直通车
    BUZ40B产品参数
    型号:BUZ40B
    生命周期：Transferred
    IHS 制造商：SIEMENS A G
    零件包装代码：SFM
    包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
    针数：3
    Reach Compliance Code：unknown
    风险等级：5.1
    Is Samacsys：N
    雪崩能效等级（Eas）：570 mJ
    配置：SINGLE
    最小漏源击穿电压：500 V
    最大漏极电流 (ID)：8 A
    最大漏源导通电阻：0.8 Ω
    FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    最大反馈电容 (Crss)：100 pF
    JEDEC-95代码：TO-220AB
    JESD-30 代码：R-PSFM-T3
    元件数量：1
    端子数量：3
    工作模式：ENHANCEMENT MODE
    最高工作温度：150 °C
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：FLANGE MOUNT
    极性/信道类型：N-CHANNEL
    功耗环境最大值：150 W
    最大脉冲漏极电流 (IDM)：34 A
    认证状态：Not Qualified
    表面贴装：NO
    端子形式：THROUGH-HOLE
    端子位置：SINGLE
    晶体管应用：SWITCHING
    晶体管元件材料：SILICON
    最大关闭时间（toff）：440 ns
    最大开启时间（吨）：140 ns
    Base Number Matches：1
    •  
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