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    • BUZ91ATU图

    • 深圳市一线半导体有限公司

       该会员已使用本站11年以上
    • BUZ91ATU
    • 数量22000 
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    产品型号BUZ92的Datasheet PDF文件预览

    BUZ 92  
    ®
    SIPMOS Power Transistor  
    • N channel  
    • Enhancement mode  
    • Avalanche-rated  
    Pin 1  
    Pin 2  
    Pin 3  
    G
    D
    S
    Type  
    V
    DS  
    I
    R
    )
    DS(on  
    Package  
    Ordering Code  
    D
    BUZ 92  
    600 V  
    3.3 A  
    3 Ω  
    TO-220 AB  
    C67078-S1343-A2  
    Maximum Ratings  
    Parameter  
    Symbol  
    Values  
    Unit  
    Continuous drain current  
    I
    I
    I
    A
    D
    T = 25 °C  
    C
    3.3  
    Pulsed drain current  
    Dpuls  
    AR  
    T = 25 °C  
    C
    13  
    3.3  
    6
    Avalanche current,limited by T  
    jmax  
    Avalanche energy,periodic limited by T  
    Avalanche energy, single pulse  
    E
    mJ  
    jmax  
    AR  
    AS  
    E
    I = 3.3 A, V = 50 V, R = 25 Ω  
    D
    DD  
    GS  
    L = 37 mH, T = 25 °C  
    220  
    j
    ±
    Gate source voltage  
    Power dissipation  
    V
    P
    20  
    V
    GS  
    W
    tot  
    T = 25 °C  
    C
    80  
    Operating temperature  
    Storage temperature  
    T
    T
    -55 ... + 150 °C  
    -55 ... + 150  
    j
    stg  
    Thermal resistance, chip case  
    R
    ≤ 1.56  
    K/W  
    thJC  
    thJA  
    Thermal resistance, chip to ambient  
    DIN humidity category, DIN 40 040  
    IEC climatic category, DIN IEC 68-1  
    R
    75  
    E
    55 / 150 / 56  
    Semiconductor Group  
    1
    07/96  
    BUZ 92  
    Electrical Characteristics, at T = 25°C, unless otherwise specified  
    j
    Parameter  
    Symbol  
    Values  
    typ.  
    Unit  
    min.  
    max.  
    Static Characteristics  
    Drain- source breakdown voltage  
    V
    V
    V
    (BR)DSS  
    GS(th)  
    DSS  
    V
    GS  
    = 0 V, I = 0.25 mA, T = 25 °C  
    600  
    2.1  
    -
    -
    D
    j
    Gate threshold voltage  
    =
    V
    V
    I = 1 mA  
    3
    4
    GS DS, D  
    Zero gate voltage drain current  
    I
    I
    µA  
    V
    DS  
    V
    DS  
    = 600 V, V = 0 V, T = 25 °C  
    -
    -
    0.1  
    10  
    1
    GS  
    j
    = 600 V, V = 0 V, T = 125 °C  
    100  
    GS  
    j
    Gate-source leakage current  
    = 20 V, V = 0 V  
    nA  
    GSS  
    V
    GS  
    -
    -
    10  
    100  
    3
    DS  
    Drain-Source on-resistance  
    = 10 V, I = 2 A  
    R
    Ω
    DS(on)  
    V
    GS  
    2.6  
    D
    Semiconductor Group  
    2
    07/96  
    BUZ 92  
    Electrical Characteristics, at T = 25°C, unless otherwise specified  
    j
    Parameter  
    Symbol  
    Values  
    typ.  
    Unit  
    min.  
    max.  
    Dynamic Characteristics  
    Transconductance  
    g
    S
    fs  
    ≥
    V
    DS  
    2 I  
    R I = 2 A  
    2.1  
    3
    -
    * D * DS(on)max, D  
    Input capacitance  
    = 0 V, V = 25 V, f = 1 MHz  
    C
    C
    C
    pF  
    iss  
    oss  
    V
    GS  
    -
    -
    -
    600  
    65  
    25  
    900  
    100  
    40  
    DS  
    Output capacitance  
    = 0 V, V = 25 V, f = 1 MHz  
    V
    GS  
    DS  
    Reverse transfer capacitance  
    = 0 V, V = 25 V, f = 1 MHz  
    rss  
    V
    GS  
    DS  
    Turn-on delay time  
    = 30 V, V = 10 V, I = 2.3 A  
    t
    t
    t
    t
    ns  
    d(on)  
    V
    DD  
    GS  
    D
    Ω
    R
    GS  
    = 50  
    -
    -
    -
    -
    10  
    50  
    70  
    40  
    15  
    70  
    95  
    55  
    Rise time  
    = 30 V, V = 10 V, I = 2.3 A  
    r
    V
    DD  
    GS  
    D
    Ω
    = 50  
    R
    GS  
    Turn-off delay time  
    = 30 V, V = 10 V, I = 2.3 A  
    d(off)  
    V
    DD  
    GS  
    D
    Ω
    = 50  
    R
    GS  
    Fall time  
    = 30 V, V = 10 V, I = 2.3 A  
    f
    V
    DD  
    GS  
    D
    Ω
    = 50  
    R
    GS  
    Semiconductor Group  
    3
    07/96  
    BUZ 92  
    Electrical Characteristics, at T = 25°C, unless otherwise specified  
    j
    Parameter  
    Symbol  
    Values  
    typ.  
    Unit  
    min.  
    max.  
    Reverse Diode  
    Inverse diode continuous forward current I  
    A
    S
    T = 25 °C  
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    3.3  
    13  
    1.4  
    -
    C
    Inverse diode direct current,pulsed  
    I
    SM  
    T = 25 °C  
    C
    -
    Inverse diode forward voltage  
    V
    SD  
    V
    V
    GS  
    = 0 V, I = 6.6 A  
    1
    F
    Reverse recovery time  
    V = 100 V, I =l di /dt = 100 A/µs  
    t
    ns  
    µC  
    rr  
    300  
    2.5  
    R
    F S,  
    F
    Reverse recovery charge  
    Q
    rr  
    =
    V = 100 V, I l di /dt = 100 A/µs  
    R
    -
    F S,  
    F
    Semiconductor Group  
    4
    07/96  
    BUZ 92  
    Drain current  
    Power dissipation  
    ƒ
    I = (T )  
    ƒ
    P
    = (T )  
    D
    C
    tot  
    C
    ≥
    parameter: V  
    10 V  
    GS  
    3.4  
    A
    90  
    W
    2.8  
    ID  
    Ptot  
    70  
    60  
    50  
    40  
    30  
    20  
    10  
    2.4  
    2.0  
    1.6  
    1.2  
    0.8  
    0.4  
    0.0  
    0
    0
    0
    20  
    40  
    60  
    80 100 120  
    °C 160  
    TC  
    20  
    40  
    60  
    80 100 120  
    °C 160  
    TC  
    Safe operating area  
    Transient thermal impedance  
    ƒ
    ƒ
    I = (V  
    )
    Z
    = (t )  
    th JC  
    D
    DS  
    p
    parameter: D = 0.01, T = 25°C  
    parameter: D = t / T  
    C
    p
    10 1  
    K/W  
    10 2  
    A
    10 0  
    ID  
    ZthJC  
    t
    = 37.0µs  
    p
    10 1  
    100 µs  
    10 -1  
    D = 0.50  
    0.20  
    I
    10 -2  
    1 ms  
    V
    10 0  
    0.10  
    0.05  
    R
    0.02  
    10 -3  
    10 ms  
    single pulse  
    0.01  
    DC  
    10 -1  
    10 -4  
    10 0  
    10 1  
    10 2  
    V 10 3  
    10 -7 10 -6 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1s 10 0  
    VDS  
    tp  
    5
    07/96  
    Semiconductor Group  
    BUZ 92  
    Typ. output characteristics  
    ƒ(  
    Typ. drain-source on-resistance  
    ƒ(  
    I =  
    V
    )
    R
    =
    I )  
    D
    D
    DS  
    DS (on)  
    parameter: t = 80 µs  
    parameter: V  
    p
    GS  
    l
    10  
    7.5  
    P
    tot = 80W  
    k
    j
    A
    6.5  
    6.0  
    5.5  
    5.0  
    4.5  
    4.0  
    3.5  
    3.0  
    2.5  
    2.0  
    1.5  
    1.0  
    i
    h
    g
    f
    Ω
    a
    b
    c
    d
    V
    [V]  
    4.0  
    4.5  
    5.0  
    5.5  
    6.0  
    6.5  
    7.0  
    7.5  
    8.0  
    9.0  
    GS  
    a
    e
    8
    ID  
    RDS (on)  
    b
    c
    d
    e
    f
    7
    6
    5
    4
    3
    2
    d
    g
    h
    i
    e
    c
    f
    j
    g
    h
    i
    j
    k 10.0  
    20.0  
    l
    k
    b
    V
    [V] =  
    b
    GS  
    a
    1
    0
    c
    d
    e
    f
    g
    h
    i
    j
    k
    4.55.0 5.5 6.0 6.5 7.0 7.5 8.0 9.0 10.0 20.0  
    a
    0.5  
    0.0  
    0
    10  
    20  
    30  
    40  
    V
    55  
    0.0  
    1.0  
    2.0  
    3.0  
    4.0  
    5.0  
    A
    7.0  
    VDS  
    ID  
    Typ. transfer characteristics I = f (V  
    )
    Typ. forward transconductance g = f (I )  
    D
    fs  
    D
    GS  
    parameter: t = 80 µs  
    parameter: t = 80 µs,  
    p
    p
    ≥
    ≥
    V
    DS  
    2 x I x R  
    V
    DS  
    2 x I x R  
    D
    DS(on)max  
    D
    DS(on)max  
    3.2  
    A
    3.6  
    S
    ID  
    gfs  
    2.8  
    2.4  
    2.0  
    1.6  
    1.2  
    0.8  
    2.4  
    2.0  
    1.6  
    1.2  
    0.8  
    0.4  
    0.0  
    0.4  
    0.0  
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    V
    10  
    0.0  
    0.4  
    0.8  
    1.2  
    1.6  
    2.0  
    A
    2.6  
    VGS  
    ID  
    Semiconductor Group  
    6
    07/96  
    BUZ 92  
    Gate threshold voltage  
    Drain-source on-resistance  
    ƒ
    = (T )  
    j
    V
    ƒ
    = (T )  
    j
    R
    GS (th)  
    DS (on)  
    parameter: V = V , I = 1 mA  
    parameter: I = 2 A, V = 10 V  
    GS  
    DS  
    D
    D
    GS  
    4.6  
    V
    14  
    Ω
    98%  
    4.0  
    12  
    11  
    10  
    9
    VGS(th)  
    RDS (on)  
    3.6  
    3.2  
    2.8  
    2.4  
    2.0  
    1.6  
    1.2  
    0.8  
    typ  
    2%  
    8
    7
    6
    5
    98%  
    typ  
    4
    3
    2
    0.4  
    0.0  
    1
    0
    -60  
    -20  
    20  
    60  
    100  
    °C  
    Tj  
    160  
    -60  
    -20  
    20  
    60  
    100  
    °C  
    Tj  
    160  
    Typ. capacitances  
    Forward characteristics of reverse diode  
    C = f (V )  
    ƒ
    I = (V  
    )
    DS  
    F
    SD  
    parameter:V = 0V, f = 1MHz  
    parameter: T , t = 80 µs  
    GS  
    j
    p
    10 1  
    10 2  
    nF  
    A
    IF  
    C
    10 0  
    10 -1  
    10 -2  
    10 1  
    10 0  
    10 -1  
    Ciss  
    Tj = 25 °C typ  
    Coss  
    Tj = 150 °C typ  
    Tj = 25 °C (98%)  
    Tj = 150 °C (98%)  
    Crss  
    0
    5
    10  
    15  
    20  
    25  
    30  
    V
    40  
    0.0  
    0.4  
    0.8  
    1.2  
    1.6  
    2.0  
    2.4  
    V
    3.0  
    VDS  
    VSD  
    7
    07/96  
    Semiconductor Group  
    BUZ 92  
    ƒ
    Avalanche energy E = (T )  
    Typ. gate charge  
    AS  
    j
    ƒ
    parameter: I = 3.3 A, V = 50 V  
    V
    = (Q  
    )
    D
    DD  
    GS  
    Gate  
    Ω
    R
    = 25 , L = 37 mH  
    parameter: I  
    = 5 A  
    D puls  
    GS  
    240  
    mJ  
    16  
    V
    200  
    180  
    160  
    140  
    120  
    100  
    80  
    EAS  
    VGS  
    12  
    10  
    8
    V
    V
    DS max  
    0,2  
    0,8  
    DS max  
    6
    60  
    4
    40  
    2
    20  
    0
    0
    0
    20  
    40  
    60  
    80  
    100  
    120  
    °C  
    Tj  
    160  
    5
    10 15 20 25 30 35 nC 45  
    QGate  
    Drain-source breakdown voltage  
    ƒ
    = (T )  
    j
    V
    (BR)DSS  
    710  
    V
    680  
    V(BR)DSS  
    660  
    640  
    620  
    600  
    580  
    560  
    540  
    -60  
    -20  
    20  
    60  
    100  
    °C  
    Tj  
    160  
    Semiconductor Group  
    8
    07/96  
    BUZ 92  
    Package Outlines  
    TO-220 AB  
    Dimension in mm  
    Semiconductor Group  
    9
    07/96  
    配单直通车
    BUZ92产品参数
    型号:BUZ92
    是否Rohs认证： 不符合
    生命周期：Obsolete
    IHS 制造商：INFINEON TECHNOLOGIES AG
    Reach Compliance Code：unknown
    风险等级：5.31
    Is Samacsys：N
    其他特性：AVALANCHE RATED
    雪崩能效等级（Eas）：220 mJ
    配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    最小漏源击穿电压：600 V
    最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.3 A
    最大漏极电流 (ID)：3.3 A
    最大漏源导通电阻：3 Ω
    FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    JEDEC-95代码：TO-220AB
    JESD-30 代码：R-PSFM-T3
    JESD-609代码：e0
    元件数量：1
    端子数量：3
    工作模式：ENHANCEMENT MODE
    最高工作温度：150 °C
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：FLANGE MOUNT
    极性/信道类型：N-CHANNEL
    最大功率耗散 (Abs)：80 W
    最大脉冲漏极电流 (IDM)：13 A
    认证状态：Not Qualified
    子类别：FET General Purpose Power
    表面贴装：NO
    端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
    端子形式：THROUGH-HOLE
    端子位置：SINGLE
    晶体管元件材料：SILICON
    Base Number Matches：1
    •  
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