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    • 深圳市芯脉实业有限公司

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    • 深圳市芯脉实业有限公司

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    • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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    • 集好芯城

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    • 首天国际（深圳）集团有限公司

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    • 百分百原装正品，现货库存
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    • 深圳市欧立现代科技有限公司

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    • 厂家ST 
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    • 批号24+ 
    • ★★专业IC现货，诚信经营，市场最优价★★
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    • 0755-83222787 QQ:1950791264QQ:2216987084
    • BYV52-200图

    • 上海磐岳电子有限公司

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    • 数量5800 
    • 厂家 
    • 封装 
    • 批号2024+ 
    • 全新原装现货,杜绝假货。
    • QQ:3003653665QQ：3003653665 复制
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    • BYV52-200图

    • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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    • 数量26068 
    • 厂家ST全系列 
    • 封装TO-247 
    • 批号2023+ 
    • 绝对原装正品全新进口深圳现货
    • QQ:1002316308QQ：1002316308 复制
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    • 美驻深办0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
    • BYV52150图

    • 北京中其伟业科技有限公司

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    • BYV52150
    • 数量8557 
    • 厂家√ 欧美㊣品 
    • 封装贴◆插 
    • 批号16+ 
    • 特价,原装正品,绝对公司现货库存,原装特价!
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    • 北京元坤伟业科技有限公司

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    • BYV52-200
    • 数量5000 
    • 厂家STMicroelectronics 
    • 封装贴/插片 
    • 批号2024+ 
    • 百分百原装正品，现货库存
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    • BYV52P1200图

    • 北京齐天芯科技有限公司

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    • BYV52P1200
    • 数量5000 
    • 厂家ST 
    • 封装原厂封装 
    • 批号2024+ 
    • 原装正品，假一罚十
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    • BYV52100图

    • 北京中其伟业科技有限公司

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    • BYV52100
    • 数量6680 
    • 厂家ST 
    • 封装TO-3P 
    • 批号16+ 
    • 特价,原装正品,绝对公司现货库存,原装特价!
    • QQ:2880824479QQ：2880824479 复制
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    • 深圳市惊羽科技有限公司

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    • 数量78800 
    • 厂家ST-意法半导体 
    • 封装pcs 
    • 批号▉▉：2年内 
    • ▉▉￥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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    • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
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    • 深圳市芯福林电子有限公司

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    • 数量75000 
    • 厂家ST 
    • 封装TO-3P 
    • 批号23+ 
    • 真实库存全新原装正品！代理此型号
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    • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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    • BYV52-150
    • 数量865000 
    • 厂家N/A 
    • 封装原厂封装 
    • 批号最新批号 
    • 一级代理,原装特价现货！
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    • 0755-83225692 QQ:2881475757
    • BYV52-200图

    • 北京元坤伟业科技有限公司

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    • BYV52-200
    • 数量5000 
    • 厂家ST全系列 
    • 封装TO-247 
    • 批号16+ 
    • 百分百原装正品，现货库存
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      QQ:1594462451QQ：1594462451 复制
    • 010-62106431 QQ:857273081QQ:1594462451
    • BYV52-150图

    • 深圳市芯福林电子有限公司

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    • BYV52-150
    • 数量65000 
    • 厂家ST 
    • 封装pcs 
    • 批号23+ 
    • 真实库存全新原装正品！代理此型号
    • QQ:2881495753QQ：2881495753 复制
    • 0755-23605827 QQ:2881495753
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    • 深圳市晶美隆科技有限公司

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    • BYV52-200
    • 数量13600 
    • 厂家ST 
    • 封装原厂特价 
    • 批号23+ 
    • 全新原装正品现货热卖
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      QQ:2885348317QQ：2885348317 复制
    • 0755-82519391 QQ:2885348339QQ:2885348317
    • BYV52PI-200RG图

    • 深圳市惊羽科技有限公司

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    • BYV52PI-200RG
    • 数量78800 
    • 厂家ST-意法半导体 
    • 封装3TO-PI 
    • 批号▉▉：2年内 
    • ▉▉￥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
    • QQ:43871025QQ：43871025 复制
    • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
    • BYV52-200图

    • 深圳市富科达科技有限公司

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    • BYV52-200
    • 数量21688 
    • 厂家ST 
    • 封装原厂特价 
    • 批号2020+ 
    • 优势库存全新原装现货热卖
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      QQ:1327510916QQ：1327510916 复制
    • 86-0755-28767101 QQ:1220223788QQ:1327510916
    • BYV52-200图

    • 深圳市创芯联科技有限公司

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    • BYV52-200
    • 数量13000 
    • 厂家ST 
    • 封装TO-3P 
    • 批号2234+ 
    • 原厂货源/正品保证，诚信经营，欢迎询价
    • QQ:1219895042QQ：1219895042 复制
      QQ:3061298850QQ：3061298850 复制
    • 0755-23606513 QQ:1219895042QQ:3061298850
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    • 深圳市婷轩实业有限公司

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    • BYV52-200
    • 数量5000 
    • 厂家STMicroelectronics 
    • 封装SOT-93 
    • 批号23+ 
    • 进口原装现货热卖
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      QQ:3026548067QQ：3026548067 复制
    • 0755-89608519 QQ:2881943288QQ:3026548067
    • BYV52-200图

    • 深圳市芳益电子科技有限公司

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    • BYV52-200
    • 数量30000 
    • 厂家STM 
    • 封装 
    • 批号2023+ 
    • 原装现货大量库存 低价出售 欢迎加Q详谈
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    • 深圳市宇川湘科技有限公司

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    • BYV52-200
    • 数量23000 
    • 厂家ST MICROELECTRONICS SEMI 
    • 封装原封装 
    • 批号23+ 
    • 原装正品现货，郑重承诺只做原装！
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      QQ:2885348305QQ：2885348305 复制
    • 0755-84534256 QQ:2885348305QQ:2885348305
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    • 深圳德田科技有限公司

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    • BYV52-200
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    • 厂家新年份 
    • 封装9600 
    • 批号 
    • 原装正品现货，可出样品！！！
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    • 0755-83254070 QQ:229754250
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    • 深圳市芯脉实业有限公司

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    • 数量6980 
    • 厂家ST 
    • 封装22+ 
    • 批号TO-3P 
    • 新到现货、一手货源、当天发货、bom配单
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    • 075584507705 QQ:2881512844
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    • 深圳市炎凯科技有限公司

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    • 数量2100 
    • 厂家ST 
    • 封装TO-3P 
    • 批号24+ 
    • 原装现货
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    • 深圳市科雨电子有限公司

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    • 厂家ST意法 
    • 封装TO3P 
    • 批号24+ 
    • 原厂渠道，全新原装现货，欢迎查询！
    • QQ:97877807QQ：97877807 复制
    • 171-4755-1968（微信同号） QQ:97877807

    产品型号BYV52的Datasheet PDF文件预览

    BYV52/PI  
    HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES  
    FEATURES  
    SUITED FOR SMPS  
    A1  
    A2  
    VERY LOW FORWARD LOSSES  
    NEGLIGIBLESWITCHING LOSSES  
    HIGH SURGE CURRENT CAPABILITY  
    HIGH AVALANCHEENERGY CAPABILITY  
    K
    INSULATEDVERSIONTOP3I :  
    Insulatingvoltage = 2500 V DC  
    Capacitance = 12 pF  
    DESCRIPTION  
    Dual center tap rectifier suited for switchmode  
    power supply and high frequency DC to DC  
    converters.  
    Packaged in SOT93, or TOP3I this device is  
    intended for use in low voltage, high frequency  
    inverters, free wheeling and polarity protection  
    applications.  
    isolated  
    TOP3I  
    (Plastic)  
    SOT93  
    (Plastic)  
    BYV52-200  
    BYV52PI-200  
    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
    Symbol  
    Parameter  
    Value  
    Unit  
    IF(RMS)  
    50  
    A
    A
    Per diode  
    Tc=110°C Per diode  
    RMS forward current  
    IF(AV)  
    30  
    30  
    SOT93  
    TOP3I  
    Average forward current  
    δ = 0.5  
    Tc=90°C  
    Per diode  
    Per diode  
    IFSM  
    500  
    A
    tp=10ms  
    Surge non repetitiveforward current  
    sinusoidal  
    Tstg  
    Tj  
    - 40 to + 150  
    - 40 to + 150  
    °C  
    C
    Storage and junction temperature range  
    °
    Symbol  
    Parameter  
    Value  
    200  
    Unit  
    VRRM  
    V
    Repetitivepeak reverse voltage  
    October 1999  
    Ed : 2C  
    1/6  
    BYV52/PI  
    THERMAL RESISTANCE  
    Symbol  
    Parameter  
    Value  
    1.2  
    Unit  
    °
    Rth (j-c)  
    C/W  
    SOT93  
    Per diode  
    Total  
    Junctionto case  
    0.75  
    1.8  
    TOP3I  
    Per diode  
    Total  
    1.2  
    Rth (c)  
    0.3  
    °C/W  
    SOT93  
    TOP3I  
    Coupling  
    0.6  
    When the diodes 1 and 2 are used simultaneously :  
    Tj-Tc (diode 1) = P(diode 1) x Rth(j-c)(Per diode) + P(diode 2) x Rth(c)  
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Per diode)  
    STATIC CHARACTERISTICS  
    Symbol  
    Test Conditions  
    Min. Typ. Max. Unit  
    µ
    A
    IR *  
    25  
    Tj = 25°C  
    Tj = 100°C  
    Tj = 125°C  
    Tj = 125°C  
    Tj = 25°C  
    VR = VRRM  
    2.5  
    mA  
    V
    VF **  
    0.85  
    1.00  
    1.15  
    IF = 20 A  
    IF = 40 A  
    IF = 40 A  
    Pulse test : * tp = 5 ms, duty cycle < 2 %  
    ** tp = 380 s, duty cycle < 2 %  
    µ
    To evaluate the conductionlosses use the following equation :  
    2
    P = 0.7 x IF(AV) + 0.0075x IF (RMS)  
    RECOVERY CHARACTERISTICS  
    Symbol  
    Test Conditions  
    Min. Typ. Max. Unit  
    °
    trr  
    Tj = 25 C  
    IF = 0.5A  
    IR = 1A  
    Irr = 0.25A  
    dIF/dt = -50A/µs  
    tr = 5 ns  
    35  
    ns  
    IF = 1A  
    VR = 30V  
    50  
    tfr  
    Tj = 25°C  
    Tj = 25°C  
    IF = 1A  
    VFR = 1.1 x VF  
    10  
    ns  
    V
    VFP  
    IF = 1A  
    tr = 5 ns  
    1.5  
    2/6  
    BYV52/PI  
    Fig.1 : Average forward power dissipation versus  
    Fig.2 : Peak current versus form factor.  
    average forward current.  
    P
    I
    F(av)(W)  
    M(A)  
    40  
    500  
    450  
    T
    =1  
    =0.5  
    =0.2  
    35  
    30  
    25  
    20  
    15  
    10  
    5
    P=20W  
    400  
    =0.1  
    I
    M
    =0.05  
    350  
    =tp/T  
    300  
    250  
    200  
    150  
    100  
    50  
    tp  
    P=10W  
    T
    P=30W  
    I
    =tp/T  
    F(av)(A)  
    15  
    tp  
    0
    0
    0
    5
    10  
    20  
    25  
    30  
    35  
    0
    0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9  
    1
    Fig.3 : Forward voltage drop versus forward  
    current (maximum values).  
    Fig.4 : Relative variation of thermal impedance  
    junction to case versus pulse duration.  
    K
    1.0  
    VFM(V)  
    1.8  
    Zth(j-c) (tp.  
    K =  
    )
    Rth(j-c)  
    1.6  
    Tj=125 o  
    C
    1.4  
    1.2  
    1.0  
    0.8  
    0.6  
    0.4  
    0.2  
    0.0  
    =0.5  
    0.5  
    =0.2  
    = 0.1  
    T
    0.2  
    0.1  
    Single pulse  
    IFM(A)  
    10  
    =tp/T  
    tp  
    1.0E+00  
    tp(s)  
    0.1  
    1
    100 300  
    1.0E-03  
    1.0E-02  
    1.0E-01  
    Fig.5 :  
    versus overload duration.  
    (SOD93)  
    Fig.6 :  
    Non repetitive surge peak forward current  
    versus overload duration.  
    (TOP3I)  
    Non repetitive surge peak forward current  
    I
    I
    M(A)  
    M(A)  
    250  
    200  
    150  
    300  
    250  
    200  
    150  
    100  
    50  
    o
    Tc=25  
    C
    o
    o
    Tc=25  
    C
    100  
    o
    Tc=50  
    C
    Tc=50  
    Tc=90  
    C
    IM  
    IM  
    o
    50  
    C
    t
    t
    o
    Tc=110  
    C
    t(s)  
    t(s)  
    =0.5  
    =0.5  
    0
    0
    0.001  
    0.01  
    0.1  
    1
    0.001  
    0.01  
    0.1  
    1
    3/6  
    BYV52/PI  
    Fig.7  
    temperature.  
    :
    Fig.8  
    temperature.  
    :
    Average current versus ambient  
    Average current versus ambient  
    (duty cycle : 0.5) (SOD93)  
    (duty cycle : 0.5) (TOP3I)  
    I
    I
    F(av)(A)  
    =0.5  
    F(av)(A)  
    =0.5  
    35  
    30  
    25  
    20  
    15  
    10  
    5
    35  
    30  
    25  
    20  
    15  
    10  
    5
    Rth(j-a)=Rth(j-c)  
    Rth(j-a)=Rth(j-c)  
    T
    T
    =tp/T  
    =tp/T  
    tp  
    tp  
    o
    o
    Rth(j-a)=15 C/W  
    Rth(j-a)=15 C/W  
    o
    o
    Tamb( C)  
    Tamb( C)  
    0
    0
    0
    20  
    40  
    60 80 100 120 140 160  
    0
    20  
    40  
    60 80 100 120 140 160  
    Fig.9 : Junction capacitance versus reverse  
    voltage applied (Typical values).  
    Fig.10 : Recoverycharges versus dIF/dt.  
    C(pF)  
    QRR(nC)  
    200  
    100  
    o
    F=1Mhz Tj=25 C  
    190  
    90%CONFIDENCE  
    90  
    IF=IF(av)  
    80  
    180  
    170  
    160  
    150  
    140  
    130  
    120  
    70  
    O
    Tj=100 C  
    60  
    50  
    40  
    O
    Tj=25 C  
    30  
    20  
    10  
    0
    110  
    VR(V)  
    dIF/dt(A/us)  
    100  
    1
    10  
    100  
    200  
    1
    10  
    100  
    Fig.11 :  
    Fig.12 :  
    temperature.  
    Peakreverse current versus dIF/dt.  
    Dynamic parameters versus junction  
    o
    IRM(A)  
    QRR;IRM[Tj]/QRR;IRM[Tj=125 C]  
    3.0  
    2.5  
    2.0  
    1.5  
    1.0  
    0.5  
    0.0  
    1.50  
    1.25  
    1.00  
    0.75  
    0.50  
    0.25  
    0.00  
    90%CONFIDENCE  
    IF=IF(av)  
    O
    Tj=100  
    C
    IRM  
    QRR  
    O
    Tj=25  
    C
    Tj(oC)  
    dIF/dt(A/us)  
    20  
    0
    25  
    50  
    75  
    100  
    125  
    150  
    1
    10  
    100  
    4/6  
    BYV52/PI  
    PACKAGE MECHANICAL DATA  
    SOD93  
    DIMENSIONS  
    Millimeters Inches  
    Min. Typ. Max. Min. Typ. Max.  
    REF.  
    A
    C
    4.70  
    1.17  
    4.90 0.185  
    1.37 0.046  
    0.193  
    0.054  
    D
    2.50  
    1.27  
    0.098  
    0.050  
    D1  
    E
    F
    0.50  
    1.10  
    0.78 0.020  
    1.30 0.043  
    0.031  
    0.051  
    F3  
    G
    H
    1.75  
    0.069  
    10.80  
    14.70  
    11.10 0.425  
    15.20 0.578  
    12.20  
    0.437  
    0.598  
    0.480  
    0.638  
    L
    L2  
    L3  
    16.20  
    18.0  
    0.709  
    1.220  
    L5 3.95  
    L6  
    O
    4.15 0.156  
    4.10 0.157  
    0.163  
    0.161  
    31.00  
    4.00  
    Marking : Type number  
    Cooling method : C  
    Weight : 3.79 g  
    Recommended torque value : 0.8m.N  
    Maximum torque value : 1.0m.N  
    5/6  
    BYV52/PI  
    PACKAGE MECHANICAL DATA  
    TOP3I (isolated)  
    DIMENSIONS  
    Millimeters Inches  
    Min. Max.  
    REF.  
    Min.  
    4.4  
    Max.  
    4.6  
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    0.173 0.181  
    0.057 0.061  
    1.45  
    1.55  
    14.35 15.60 0.565 0.614  
    0.5  
    2.7  
    0.7  
    0.020 0.028  
    0.106 0.114  
    0.622 0.650  
    0.815 0.831  
    0.594 0.610  
    0.213 0.222  
    0.134 0.144  
    0.161 0.164  
    0.047 0.055  
    0.181 typ.  
    2.9  
    15.8  
    20.4  
    15.1  
    5.4  
    16.5  
    21.1  
    15.5  
    5.65  
    3.65  
    4.17  
    1.40  
    G
    H
    J
    K
    L
    3.4  
    4.08  
    1.20  
    P
    R
    4.60 typ.  
    Marking  
    : Type number  
    Cooling method : C  
    Weight : 4.46 g  
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    Maximum torque value : 1.0m.N  
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    型号:BYV52-100
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    IHS 制造商：STMICROELECTRONICS
    包装说明：R-PSFM-T3
    Reach Compliance Code：compliant
    ECCN代码：EAR99
    HTS代码：8541.10.00.80
    风险等级：5.92
    Is Samacsys：N
    应用：EFFICIENCY
    外壳连接：CATHODE
    配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
    二极管元件材料：SILICON
    二极管类型：RECTIFIER DIODE
    最大正向电压 (VF)：1 V
    JESD-30 代码：R-PSFM-T3
    最大非重复峰值正向电流：500 A
    元件数量：2
    相数：1
    端子数量：3
    最高工作温度：150 °C
    最低工作温度：-40 °C
    最大输出电流：30 A
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：FLANGE MOUNT
    最大功率耗散：46 W
    认证状态：Not Qualified
    最大重复峰值反向电压：100 V
    最大反向电流：25 µA
    最大反向恢复时间：0.05 µs
    子类别：Rectifier Diodes
    表面贴装：NO
    端子形式：THROUGH-HOLE
    端子位置：SINGLE
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