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    • BYW4045WT图

    • 深圳市昌和盛利电子有限公司

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    • BYW4045WT
    • 数量16997 
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    • 封装TO-247 
    • 批号▊ NEW ▊ 
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    • BYW4045WT图

    • 深圳市科雨电子有限公司

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    • BYW4045WT
    • 数量9800 
    • 厂家PHILIPS(飞利浦) 
    • 封装TO-247 
    • 批号24+ 
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    • 171-4755-1968（微信同号） QQ:97877807
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    • 深圳市创思克科技有限公司

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    • BYW4045WT
    • 数量6680 
    • 厂家PHILIPS/飞利浦 
    • 封装TO-247 
    • 批号20+ 
    • 全新原装挺实单欢迎来撩/可开票
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    产品型号BYW4200B的Datasheet PDF文件预览

    SMBYW04-200  
    BYW4200B  
    ®
    HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY DIODE  
    MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS  
    IF(AV)  
    VRRM  
    4 A  
    200 V  
    0.85 V  
    150 °C  
    2
    VF (max)  
    Tj (max)  
    4 (TAB)  
    3
    4
    FEATURES AND BENEFITS  
    SUITED TO SMPS AND DRIVES  
    SURFACE MOUNT PACKAGE  
    VERY LOW FORWARD LOSSES  
    NEGLIGIBLE SWITCHING LOSSES  
    HIGH SURGE CURRENT CAPABILITY  
    2
    3
    1(nc)  
    SMC  
    DPAK  
    BYW4200B  
    (JEDEC DO-214AB)  
    SMBYW04-200  
    DESCRIPTION  
    Single chip rectifier suited to Switch Mode Power  
    Supplies and high frequency converters.  
    Packaged in DPAK and SMC, this surface mount  
    device is intended for use in low voltage, high  
    frequency inverters, free wheeling and rectification  
    applications.  
    ABSOLUTE RATINGS  
    Symbol  
    (limiting values)  
    Parameter  
    Value  
    200  
    10  
    Unit  
    V
    VRRM  
    IF(RMS) RMS forward current  
    IF(AV) Average forward current  
    Repetitive peak reverse voltage  
    A
    DPAK  
    SMC  
    Tcase = 130°C  
    Tlead = 70°C  
    4
    A
    δ
    = 0.5  
    IFSM  
    Surge non repetitive forward current  
    tp = 10 ms  
    sinusoidal  
    70  
    A
    °
    C
    Tstg  
    Tj  
    Storage temperature range  
    - 65 to + 150  
    150  
    Maximum operating junction temperature  
    °C  
    October 1999 - Ed: 4C  
    1/6  
    SMBYW04-200 / BYW4200B  
    THERMAL RESISTANCE  
    Symbol  
    Parameter  
    Package  
    DPAK  
    Value  
    5
    Unit  
    °C/W  
    °C/W  
    Rth (j-c) Junction to case  
    Rth (j-l)  
    Junction to leads  
    SMC  
    20  
    STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
    Symbol  
    Tests Conditions  
    Tests Conditions  
    Min. Typ. Max.  
    Unit  
    °
    µ
    A
    IR *  
    Reverse leakage current  
    Tj = 25 C  
    VR = VRRM  
    10  
    °
    Tj = 100 C  
    0.15  
    0.8  
    0.5  
    mA  
    V
    VF **  
    Forward voltage drop  
    Tj = 25°C  
    IF = 12 A  
    IF = 4 A  
    1.25  
    0.85  
    °
    Tj = 100 C  
    Pulse test : * tp = 5 ms, δ < 2 %  
    ** tp = 380 µs, δ < 2%  
    To evaluate the maximum conduction losses use the following equation :  
    2
    P = 0.7 x IF(AV) + 0.037 IF (RMS)  
    RECOVERY CHARACTERISTICS  
    Symbol  
    Test Conditions  
    IF = 1A  
    Min.  
    Typ.  
    Max.  
    Unit  
    µ
    trr  
    Tj = 25°C  
    Tj = 25°C  
    Tj = 25°C  
    dIF/dt = -50 A/ s  
    26  
    20  
    5
    35  
    ns  
    VF = 30V  
    tfr  
    IF = 4A  
    dIF/dt = -50 A/µs  
    dIF/dt = -50 A/µs  
    ns  
    V
    VFR = 1.1 x VF max  
    VFP  
    IF = 4A  
    Fig. 1:  
    average forward current.  
    Fig. 2:  
    Average forward power dissipation versus  
    Peak current versus form factor.  
    IM(A)  
    PF(av)(W)  
    20  
    4.5  
    T
    δ = 0.2  
    δ = 1  
    δ = 0.1  
    δ = 0.5  
    δ = 0.05  
    18  
    16  
    14  
    12  
    10  
    8
    4.0  
    3.5  
    3.0  
    2.5  
    2.0  
    1.5  
    1.0  
    0.5  
    0.0  
    tp  
    =tp/T  
    δ
    P=2.0W  
    P=2.5W  
    P=1.0W  
    6
    T
    4
    2
    0
    P=1.5W  
    IF(av) (A)  
    tp  
    =tp/T  
    δ
    δ
    0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0  
    0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0  
    2/6  
    SMBYW04-200 / BYW4200B  
    Fig. 3:  
    temperature ( =0.5).  
    Fig. 4:  
    Forward voltage drop versus forward  
    current (maximum values).  
    Average forward current versus ambient  
    δ
    IFM(A)  
    IF(av)(A)  
    70.0  
    4.5  
    DPAK  
    SMC  
    Tj=100°C  
    (Typical values)  
    4.0  
    Rth(j-a)=Rth(j-l)  
    Rth(j-a)=Rth(j-c)  
    3.5  
    3.0  
    2.5  
    2.0  
    1.5  
    10.0  
    Tj=25°C  
    Tj=100°C  
    Rth(j-a)=75°C/W  
    1.0  
    T
    1.0  
    0.5  
    VFM(V)  
    Tamb(°C)  
    tp  
    =tp/T  
    δ
    0.0  
    0.1  
    0
    25  
    50  
    75  
    100  
    125  
    150  
    0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0  
    Fig. 5-1:  
    Fig. 5-2:  
    Non repetitive surge peak forward current  
    Non repetitive surge peak forward current  
    versus overload duration (SMBYW04-200).  
    versus overload duration (BYW4200B).  
    IM(A)  
    IM(A)  
    50  
    12  
    45  
    40  
    35  
    30  
    10  
    8
    25  
    Tc=125°C  
    Ta=25°C  
    20  
    15  
    10  
    5
    6
    4
    Tc=75°C  
    Ta=50°C  
    IM  
    IM  
    t
    t
    t(s)  
    δ
    =0.5  
    t(s)  
    δ
    =0.5  
    0
    2
    1E-3  
    1E-2  
    1E-1  
    1E+0  
    1E-3  
    1E-2  
    1E-1  
    1E+0  
    Fig. 6-1:  
    Fig. 6-2:  
    Variation of thermal impedance junction  
    to case versus pulse duration (BYW4200B).  
    Variation of thermal impedance junction to  
    ambient versus pulse duration (recommended pad  
    layout, epoxy FR4, e(Cu)=35 m) (SMBYW04-200).  
    µ
    Zth(j-a)/Rth(j-a)  
    Zth(j-c)/Rth(j-c)  
    1.0  
    1.00  
    δ = 0.5  
    δ = 0.5  
    δ = 0.2  
    0.5  
    δ = 0.2  
    δ = 0.1  
    0.10  
    Single pulse  
    δ = 0.1  
    0.2  
    T
    T
    Single pulse  
    tp(s)  
    tp(s)  
    tp  
    =tp/T  
    tp  
    δ
    =tp/T  
    δ
    0.1  
    1E-3  
    0.01  
    1E-2  
    1E-2  
    1E-1  
    1E+0  
    1E-1  
    1E+0  
    1E+1  
    1E+2 5E+2  
    3/6  
    SMBYW04-200 / BYW4200B  
    Fig. 8:  
    Reverse recovery time versus dIF/dt.  
    Fig. 7:  
    Reverse recovery current versus dIF/dt.  
    trr(ns)  
    IRM(A)  
    100  
    90  
    80  
    70  
    60  
    50  
    40  
    30  
    20  
    10  
    0
    2.5  
    2.0  
    1.5  
    1.0  
    0.5  
    0.0  
    IF=IF(av)  
    90% confidence  
    IF=IF(av)  
    90% confidence  
    Tj=100°C  
    Tj=100°C  
    Tj=25°C  
    Tj=25°C  
    dIF/dt(A/µs)  
    dIF/dt(A/µs)  
    1
    10  
    100  
    1
    10  
    100  
    Fig. 9:  
    voltage applied (typical values).  
    Junction capacitance versus reverse  
    Fig. 10:  
    Dynamic parameters versus junction  
    temperature.  
    %
    C(pF)  
    100  
    250  
    F=1MHz  
    Tj=25°C  
    IF=4A  
    dIF/dt=50A/µs  
    VR=30V  
    Qrr  
    50  
    20  
    200  
    150  
    100  
    IRM  
    trr  
    VR(V)  
    Tj(°C)  
    10  
    1
    10  
    100  
    200  
    25  
    50  
    75  
    100  
    125  
    150  
    Fig. 11-2:  
    Fig. 11-1:  
    Thermal resistance junction to ambient  
    Thermal resistance junction to ambient  
    versus copper surface under each lead (Epoxy  
    printed circuit board FR4, copper thickness:  
    35mm) (SMBYW04-200).  
    versus copper surface under tab (Epoxy printed  
    circuit board FR4, copper thickness: 35mm)  
    (BYW4200B).  
    Rth(j-a) (°C/W)  
    Rth(j-a) (°C/W)  
    100  
    100  
    90  
    80  
    70  
    60  
    50  
    40  
    30  
    20  
    90  
    80  
    70  
    60  
    50  
    40  
    30  
    20  
    10  
    10  
    0
    S(Cu) (cm²)  
    S(Cu) (cm²)  
    0
    0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0  
    0
    2
    4
    6
    8
    10 12 14 16 18 20  
    4/6  
    SMBYW04-200 / BYW4200B  
    PACKAGE MECHANICAL DATA  
    DPAK  
    DIMENSIONS  
    Millimeters Inches  
    Min.  
    REF.  
    Min.  
    2.20  
    0.90  
    0.03  
    0.64  
    5.20  
    0.45  
    0.48  
    6.00  
    6.40  
    4.40  
    9.35  
    Max  
    2.40  
    1.10  
    0.23  
    0.90  
    5.40  
    0.60  
    0.60  
    6.20  
    6.60  
    4.60  
    10.10  
    Max.  
    0.094  
    0.043  
    0.009  
    0.035  
    0.212  
    0.023  
    0.023  
    0.244  
    0.259  
    0.181  
    0.397  
    A
    A1  
    A2  
    B
    0.086  
    0.035  
    0.001  
    0.025  
    0.204  
    0.017  
    0.018  
    0.236  
    0.251  
    0.173  
    0.368  
    B2  
    C
    C2  
    D
    E
    G
    H
    L2  
    L4  
    V2  
    0.80 typ.  
    0.031 typ.  
    0.60  
    0°  
    1.00  
    8°  
    0.023  
    0°  
    0.039  
    8°  
    FOOT PRINT  
    (in millimeters)  
    6.7  
    6.7  
    3
    3
    1.6  
    1.6  
    2.3 2.3  
    5/6  
    SMBYW04-200 / BYW4200B  
    PACKAGE MECHANICAL DATA  
    SMC  
    DIMENSIONS  
    Millimeters Inches  
    Min.  
    E1  
    REF.  
    Min.  
    1.90  
    0.05  
    2.90  
    0.15  
    7.75  
    6.60  
    4.40  
    5.55  
    0.75  
    Max.  
    2.45  
    0.20  
    3.2  
    Max.  
    0.096  
    0.008  
    0.126  
    0.016  
    0.321  
    0.281  
    0.185  
    0.246  
    0.063  
    D
    A1  
    A2  
    b
    0.075  
    0.002  
    0.114  
    0.006  
    0.305  
    0.260  
    0.173  
    0.218  
    0.030  
    c
    0.41  
    8.15  
    7.15  
    4.70  
    6.25  
    1.60  
    E
    E
    E1  
    E2  
    D
    A1  
    A2  
    C
    L
    E2  
    b
    L
    FOOT PRINT (in millimeters)  
    3.3  
    2.0  
    4.2  
    2.0  
    Ordering code  
    SMBYW04-200  
    BYW4200B  
    Marking  
    Package  
    SMC  
    Weight  
    Base qty  
    2500  
    75  
    Delivery mode  
    Tape and reel  
    Tube  
    D20  
    0.243g  
    0.30g  
    0.30g  
    W4200  
    W4200  
    DPAK  
    DPAK  
    BYW4200B-RL  
    2500  
    Tape and reel  
    Epoxy meets UL 94,V0  
    Band indicates cathode  
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    proval of STMicroelectronics.  
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    © 1999 STMicroelectronics - Printed in Italy - All rights reserved.  
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    Malta - Morocco - Singapore - Spain - Sweden - Switzerland - United Kingdom - U.S.A.  
    http://www.st.com  
    6/6  
    配单直通车
    BYW4200B产品参数
    型号:BYW4200B
    是否Rohs认证： 符合
    生命周期：Obsolete
    零件包装代码：TO-252
    包装说明：R-PSSO-G2
    针数：3
    Reach Compliance Code：not_compliant
    ECCN代码：EAR99
    HTS代码：8541.10.00.80
    风险等级：5.41
    其他特性：FREE WHEELING DIODE
    应用：EFFICIENCY
    外壳连接：CATHODE
    配置：SINGLE
    二极管元件材料：SILICON
    二极管类型：RECTIFIER DIODE
    最大正向电压 (VF)：1.25 V
    JESD-30 代码：R-PSSO-G2
    JESD-609代码：e3
    湿度敏感等级：1
    最大非重复峰值正向电流：70 A
    元件数量：1
    相数：1
    端子数量：2
    最高工作温度：150 °C
    最大输出电流：4 A
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：SMALL OUTLINE
    峰值回流温度（摄氏度）：260
    认证状态：Not Qualified
    最大重复峰值反向电压：200 V
    最大反向电流：20 µA
    最大反向恢复时间：0.035 µs
    子类别：Rectifier Diodes
    表面贴装：YES
    端子面层：Matte Tin (Sn)
    端子形式：GULL WING
    端子位置：SINGLE
    处于峰值回流温度下的最长时间：30
    Base Number Matches：1
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